超200億半導體項目新進展披露

近日，據(jù)長飛先進武漢基地相關負責人介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月起設備進駐廠房，明年年初開始調試，預計2025年5月量產通線，隨后將開啟良率提升和產能爬坡。

資料顯示，長飛先進與2023年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會簽署第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目，該項目聚焦第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規(guī)劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。

當前，第三代化合物半導體在新能源汽車、風光儲、電網(wǎng)、智能駕駛、5G等領域得到廣泛應用，寬禁帶半導體亦隨著在終端領域的持續(xù)滲透而從導入期過渡到快速發(fā)展期。

碳化硅是第三代化合物半導體的典型代表，憑借耐高溫、耐高壓、高頻化、低損耗等材料優(yōu)勢，能夠大幅提高器件的能源轉化效率、減少能耗并降低系統(tǒng)成本，將逐步取代傳統(tǒng)硅基器件進而成為未來功率器件的主流。

作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，到2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元。