今明兩年全球芯片產(chǎn)能將持續(xù)增長，AI與中國大陸廠商成重要推手

6月18日，國際半導體行業(yè)權威機構SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預測報告》顯示，為跟上芯片需求持續(xù)增長的步伐，全球半導體制造產(chǎn)能預計將在2024年增長6%，并在2025年實現(xiàn)7%的增長。

行業(yè)習慣將7納米及以下的芯片劃分為先進制程，28納米及以上芯片為成熟制程。而最新的一輪擴產(chǎn)潮兩者均有涉及：一方面是來自AI算力需求的激增，以先進制程芯片的擴產(chǎn)最為明顯；另一方面是中國大陸廠商在成熟制程領域的集中擴產(chǎn)。

報告統(tǒng)計，5納米及以下先進制程節(jié)點產(chǎn)能預計在2024年將增長13%，主要受數(shù)據(jù)中心訓練、推理和前沿設備的生成式AI的驅動。到2025年時，臺積電、三星、英特爾將著手準備生產(chǎn)2納米芯片，先進制程產(chǎn)能屆時將進一步提高17%。

除了邏輯計算芯片外，從2022年開始，因市場供過于求陷入低谷的存儲芯片同樣因AI迎來一波產(chǎn)能擴張，HBM是其中的代表。這種新方案使用3D堆疊技術，將多個DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片垂直堆疊在一起，可以實現(xiàn)更高的存儲容量、更大的存儲帶寬和更低的延遲。

眼下HBM的產(chǎn)能正供不應求，大客戶是英偉達、AMD、英特爾等AI芯片廠商。行業(yè)內(nèi)的擴產(chǎn)投資主要由“存儲三巨頭”三星、SK海力士、美光領銜。其中，SK海力士、美光上半年都已宣布其2024年、2025年的HBM產(chǎn)能全部售罄，計劃重金投建新工廠用于生產(chǎn)更多HBM。三星此前也表示，計劃將HBM的產(chǎn)能比去年擴增近三倍。

存儲芯片市場主要由DRAM內(nèi)存（Memory）和 NAND Flash閃存（Flash Memory）兩大產(chǎn)品線構成。按照SEMI報告預測，由于HBM的投資需求直接刺激DRAM市場增長，2024年和2025年DRAM產(chǎn)能都將增長9%。相比之下，NAND Flash閃存市場的復蘇仍然緩慢，2024年的產(chǎn)能預計不會增長，2025年則增長5%。

除海外廠商在先進制程芯片上進行布局外，中國大陸廠商在成熟制程領域的大舉擴產(chǎn)是全球市場產(chǎn)能增長的另一大動力。

中國國內(nèi)的芯片產(chǎn)能目前以成熟芯片為主。據(jù)SEMI預測，未來將在2024年增長15%，2025年再增長14%，占據(jù)行業(yè)總產(chǎn)能的三分之一。

華虹集團、晶合集成、芯恩、中芯國際和長鑫存儲在內(nèi)的主要廠商正在大力投資建廠，產(chǎn)能幾乎全部鎖定成熟制程。

上半年的進口數(shù)據(jù)也印證了這一點。中國海關總署的數(shù)據(jù)顯示，2024年1至4月，中國大陸半導體生產(chǎn)設備的進口總額達到了104.87億美元，同比增長88%，其中絕大多數(shù)來自荷蘭、日本等地，主要用于成熟制程芯片的生產(chǎn)。

與中國大陸相比，其他大部分區(qū)域市場并未有大規(guī)模的擴產(chǎn)動作。按SEMI調查預測，主要芯片制造地區(qū)的產(chǎn)能增長率都不超過5%。其中，中國臺灣2025年預計增長4%，韓國預計增長7%，日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞地區(qū)半導體產(chǎn)能將分別增長3%、5%、4%、4% 。

全球第一大芯片生產(chǎn)商臺積電對于擴產(chǎn)的態(tài)度十分謹慎。此前，公司在一季度財報會上將2024年全球晶圓代工業(yè)產(chǎn)值增長預期由20%下調至10%。據(jù)其判斷，今年仍然是市場需求緩慢回升的一年。

盡管存在擴張產(chǎn)能未被及時消化的風險，中國大陸廠商仍將繼續(xù)積極投資擴產(chǎn)，部分原因是為減輕美國對華出口管制的影響。

一家國際分析機構的半導體研究主管告訴界面新聞記者，近兩年之內(nèi)半導體行業(yè)整體需求低迷，但由于美對華出口管制升級使得國產(chǎn)化被提上緊急議程，國內(nèi)廠商集體選擇逆勢擴產(chǎn)，不少頭部晶圓廠都背負了不小的壓力，毛利潤偏低，產(chǎn)能利用率下滑。雖然眼下正逐漸修復，但行業(yè)擴產(chǎn)要滿足國產(chǎn)化的目標依然有很長的路要走。