寧夏一半導(dǎo)體晶圓芯片項目動工建設(shè)

據(jù)石嘴山發(fā)布消息，5月8日，年產(chǎn)60萬片8英寸新能源半導(dǎo)體晶圓芯片智造孵化園項目在寧夏石嘴山市正式落地動工。

消息介紹稱，該項目計劃投資15.2億元，年產(chǎn)值達到30億元以上，新增設(shè)備152余臺（套），年設(shè)計生產(chǎn)溝道金屬氧化物半導(dǎo)體勢壘肖特基二極管晶圓60萬片，規(guī)劃總占地面積約296.27畝，建構(gòu)筑物占地面積81851.49平方米，總建筑面積約為220629.59平方米，主要建設(shè)內(nèi)容包括生產(chǎn)廠房、動力廠房、封裝廠房、丙類廠房、綜合倉、變電站、甲類庫、大宗氣站、生產(chǎn)調(diào)度樓、食堂、門衛(wèi)等。

據(jù)了解，肖特基勢壘芯片或肖特基障壘芯片，是光伏發(fā)電組件的重要部件之一。與普通芯片不同的是，肖特基芯片的導(dǎo)電是通過肖特基勢壘，具有更低的導(dǎo)通損耗、反向截止更低漏電、快速開關(guān)和低噪聲特性。