傳三星大砍平澤三廠達(dá)產(chǎn)規(guī)模，四季度NAND價(jià)格將上調(diào)10%

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱，三星電子將下調(diào)韓國(guó)平澤三廠(P3)的 投資規(guī)模，并大砍DRAM、NAND Flash達(dá)產(chǎn)規(guī)模，其中NAND Flash產(chǎn)能增設(shè)規(guī)?；蚪抵猎ㄈ种凰疁?zhǔn)，加上隨著三星持續(xù)轉(zhuǎn)換先進(jìn)制程，設(shè)備更換期間帶來(lái)的自然減產(chǎn)效果預(yù)計(jì)也將擴(kuò)大。

自去年以來(lái)，受俄烏沖突、全球通貨膨脹、經(jīng)濟(jì)趨勢(shì)下滑等諸多因素影響，智能手機(jī)、PC等電子產(chǎn)品的需求持續(xù)下滑，使得對(duì)于存儲(chǔ)芯片的需求也出現(xiàn)了持續(xù)下跌，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)大跌，存儲(chǔ)芯片廠商的業(yè)績(jī)紛紛變臉。對(duì)此，從去年下半年以來(lái)，就有存儲(chǔ)芯片廠商開(kāi)始陸續(xù)減產(chǎn)，希望能夠通過(guò)減少供應(yīng)來(lái)改善市場(chǎng)的供需結(jié)構(gòu)，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格的止跌回升。

作為全球最大的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商，在今年一季度慘淡的業(yè)績(jī)公布之后，三星也一改之前堅(jiān)決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行減產(chǎn)。三星電子在一份聲明中稱，“在評(píng)估公司已經(jīng)獲得了足夠的產(chǎn)量以應(yīng)對(duì)未來(lái)存儲(chǔ)芯片需求變化的情況下，公司正在調(diào)整，以確保額外供應(yīng)的產(chǎn)品為核心，將存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量降低到有意義的水平，并優(yōu)化已經(jīng)在進(jìn)行的生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)。但是三星并未公布具體的減產(chǎn)規(guī)模。

隨后在二季度的財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，為了加速存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的回暖，三星宣布延長(zhǎng)減產(chǎn)計(jì)劃，并調(diào)整包括NAND Flash在內(nèi)的特定產(chǎn)品產(chǎn)出。

與此同時(shí)，另一家存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士也在二季度財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，在 NAND Flash 的庫(kù)存去化速度相比DRAM更慢，因此決定擴(kuò)大對(duì)于NAND Flash的減產(chǎn)幅度。美光也在二季度財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，美光正專注于庫(kù)存管理和控制供應(yīng)，近期DRAM和NAND晶圓將進(jìn)一步減少近30%，預(yù)計(jì)減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。

針對(duì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)目前表現(xiàn)，包括市場(chǎng)調(diào)查研究機(jī)構(gòu)及外資的研究報(bào)告都表示，當(dāng)前供應(yīng)商的減產(chǎn)狀況將持續(xù)，使得價(jià)格有逐漸恢復(fù)的趨勢(shì)。不過(guò)，整體市場(chǎng)供需與價(jià)格要回復(fù)到健康的水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)整體還需要一段時(shí)間的努力。

另?yè)?jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道，三星電子為了提振NAND Flash芯片市場(chǎng)行情，打算在第四季將NAND Flash芯片價(jià)格調(diào)漲10%以上，且最快自10月開(kāi)始漲價(jià)。業(yè)界人士認(rèn)為，第四季DRAM及NAND合約價(jià)可望看漲10%～15%。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查及研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新的預(yù)測(cè)顯示，預(yù)計(jì)2024年存儲(chǔ)芯片原廠對(duì)于 DRAM 與 NAND Flash 的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)。尤其，以虧損嚴(yán)重的 NAND Flash 更為明確。預(yù)估在 2024 年上半年消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求能見(jiàn)度仍不明朗，加上通用型服務(wù)器的資本支出仍受到 AI 服務(wù)器排擠而顯得相對(duì)需求疲弱下，鑒于 2023 年基期已低，加上部分存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格已來(lái)到相對(duì)低點(diǎn)，預(yù)估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長(zhǎng)率分別有 13% 及 16%。

編輯：芯智訊-浪客劍