美國放松限制！三星及SK海力士在華晶圓廠獲“無限期豁免”！

10月9日，據韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國商務部已經同意向三星電子和SK海力士位于中國的晶圓廠提供“無限期豁免”，即美國供應商無需任何許可，就可向三星和SK還來在中國的晶圓廠供應半導體設備。

韓國總統(tǒng)經濟首席秘書崔尚木（ Choi Sang-mok）表示：“韓國半導體企業(yè)在中國運營和投資的不確定性已大大緩解；他們將能夠冷靜地尋求長期的全球經營戰(zhàn)略?！?/p>

崔尚木表示，美國已經將這一決定通知了三星和SK海力士，這表明該決定已經立即生效。

據悉，針對三星電子和SK海力士在華工廠的“無限期豁免”將通過更新 Validated End-User（VEU）清單來取得。只要被納入這份清單，就無需另外取得單獨許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被永久暫停。

對此，三星電子在一份聲明中回應稱：“通過與相關政府的密切協(xié)調，三星電子在中國的半導體生產線運營的不確定性已經大大消除。公司將繼續(xù)密切與所有相關政府保持密切合作，為全球半導體產業(yè)維護穩(wěn)定的供應鏈?！?/p>

SK海力士則在聲明中表示：“我們歡迎美國政府延長出口管制法規(guī)豁免的決定。我們相信這一決定將有助于全球半導體供應鏈的穩(wěn)定?！?/p>

2022年10月7日，美國出臺了新的對華半導體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠商獲取先進邏輯制程芯片、128層NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備的能力，除非獲得美國商務部的許可。這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業(yè)在中國大陸的晶圓廠。

雖然在數日之后的，三星電子、SK海力士、臺積電均獲得了美國商務部的1年豁免期的許可，他們可以在之后1年內無需辦理任何額外的手續(xù)即可獲得美國半導體設備的供應，這也使得他們位于中國大陸的工廠的生產都將暫時不會受到禁令的影響。但是，隨著這1年豁免時間即將到期，是否還能順利延長豁免許可，則成為了他們未來在華發(fā)展的首要的問題。

目前主流的NAND Flash芯片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM芯片也在進入10納米級。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產能，如果無法獲得美系先進的半導體設備，那么不僅現(xiàn)有的產線運營將受影響，未來也將無法繼續(xù)進行技術升級和擴大產能，這勢必將會影響到他們在華工廠的正常運營，以及未來的產能布局和市場競爭力。

隨著此番三星和SK海力士在華工廠成功獲得“無限期豁免”，這也意味著未來三星、SK海力士在華工廠將可以繼續(xù)升級和擴產，原有的不確定性被大大消除。

有相關業(yè)內人士表示，此舉勢必會讓三星和SK海力士加大產能，而為了重新?lián)寠Z市場，雙方可能會進一步在中國市場開打價格戰(zhàn)。

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至目前，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。數據顯示，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產量的42%。2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。

SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續(xù)推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM芯片全球生產總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無錫，預計2022年全部投產后將月產11.5萬片8吋晶圓，高于原來韓國M8工廠的10萬片月產能。

研調機構TrendForce數據顯示，截至今年6月底，三星與SK海力士一起占據了全球近70%的DRAM和50%的NAND Flash市場。另有數據顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量占該公司 NAND Flash總產能的 42.3%，全球產能占比也高達 15.3%。SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能在中國大陸。

同樣，對于韓國來說，中國也是其最大的芯片出口國。數據顯示，韓國芯片廠商將大約 60% 的芯片出口到了中國大陸，并且韓國芯片制造商在中國工廠的產能也遠高于其他國家和地區(qū)的芯片制造商?？傮w而言，包括三星和SK海力士等韓國芯片制造商對中國市場的依賴程度要遠大于其他國家和地區(qū)。這也促使韓國政府一直在積極與美國政府進行斡旋，三星和SK海力士過去一年來也一直在積極的對美國政府進行游說，最終成功獲得了“無限期豁免”。

需要指出的是，目前三星正斥資170億美元在美國德克薩斯州泰勒市建設4nm制程的新晶圓廠，計劃在2023年完成，并在2024年年底開始大規(guī)模生產。目前尚不清楚三星是否有在申請美國的芯片法案補貼，如果三星有申請的話，那么其在中國大陸的晶圓廠的擴產有可能將會受到一定的影響。畢竟獲得美國芯片法案補貼的企業(yè)在未來十年內將被限制擴大在華先進制程的產能。

編輯：芯智訊-浪客劍