中國內(nèi)地在ISSCC、IEDM、VLSI三大會議的發(fā)文數(shù)量大幅提升，彰顯高校集成電路研究水平

每年，IEEE都舉辦一系列國際性的研討會，不過在半導體和集成電路領域，最有盛名的當屬ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國際固態(tài)電路會議）、IEDM（International Electron Devices Meeting，國際電子器件會議）、VLSI（Symposium on VLSI Technology and Circuits，超大規(guī)模集成電路技術和電路研討會），這三大會議，并稱集成電路和半導體領域的“奧林匹克盛會”。

ISSCC始于1954年，是在每年的1月或2月召開，討論的議題包括模擬電路、數(shù)字電路、電源管理、圖像/MEMS以及機器學習的等集成電路設計方向前沿進展。在ISSCC近70年的歷史里，眾多集成電路歷史上里程碑式的發(fā)明都是在這上面上首次披露。比如第一個TTL電路 (1962年)，第一個集成模擬放大器電路(1968年)，第一個容量1K的DRAM (1970年), 第一個8位微處理器 (1974年)和第一個32位微處理器 (1981年)，第一個容量1M的DRAM (1984年)和第一個容量1G的DRAM (1995年)，第一個集成GSM 收發(fā)器 (1995年),第一個GHz的微處理器 (2002)，第一個多核處理器 (2005年)等等。注意：ISSCC論文截稿時間9月初，會議時間第二年的2月。

IEDM始于1955年，最早是在10月召開，從1972開始固定在12月召開，會議時間最初是2天，從1961年會議時間生長至3天；會議討論的議題涵蓋制造、設計、物理和建模等各個方面，從最先進的CMOS工藝到Memory和顯示技術，從化合物半導體到納米器件，從MEMS到智能電源等。1962年的論文中首次提到MOSFET；1975年戈登·摩爾在IEDM大會上發(fā)表《Progress in Digital Integrated Electronics數(shù)字集成電子工業(yè)的進展》的報告，對摩爾定律進行了重新修正。注意：IEDM論文截稿時間7月中，會議時間當年12月。

這兩大會議都是由美國半導體界主導的，到了1980年代，日本的半導體已經(jīng)超越美國，日本半導體產(chǎn)業(yè)界就開始要自立門戶，要創(chuàng)辦日本人主導的大會。

于是在1981年，超大規(guī)模集成電路技術研討會（Symposium on VLSI Technology）正式舉行，主要在年中舉行，位于ISSCC和IEDM會期的中間，主要討論超大規(guī)模集成電路制造和設計。1988年舉辦的功率半導體和電路領域的頂級國際學術會議ISPSD（International Symposium on Power Semiconductor devices and ICs）也是日本半導體界從IEDM會議中強力分立出來的。注意：VLSI論文截稿時間2月初，會議時間當年 6月。

ISSCC、IEDM、VLSI三大會議在國際半導體和集成電路領域的學術界以及工業(yè)界均享有很高的學術地位和廣泛影響，主要是源于會議文章不僅需要學術上的創(chuàng)新，更需要體現(xiàn)成果的產(chǎn)業(yè)價值和技術前沿性。每年英特爾（Intel）、IBM、三星（Samsung）、IMEC和臺積電（TSMC）等國際知名半導體公司以及世界知名高校都會在三大會議上發(fā)布各自最新研究進展。

ISSCC、IEDM、VLSI三大會議源遠流長，特別是ISSCC、IEDM都是在集成電路發(fā)明之前就開始舉辦了，可謂是一路伴隨半導體和集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

中國內(nèi)地在三大盛會的腳步

中國半導體界第一次在世界上發(fā)出聲音就是在IEDM。1979年，當時在陜西微電子研究所（現(xiàn)西安微電子技術研究所）工作的黃敞先生代表中國大陸第一次登上了世界半導體的講臺，發(fā)表了題為《Transient response of I2L》的論文，和IBM、德州儀器、通用電子、東芝等分在《SESSION 8：集成電路-先進雙極集成電路》并于1979年12月4日進行了演講，這是黃敞先生以一作身份發(fā)表的第三篇文章，早在美國工作時，1955年和1956年就以第一作者的身份在IEDM上發(fā)表了兩篇論文（其中一篇的合作者是臺積電創(chuàng)始人張忠謀），那時IEDM剛起步；1980年成都電訊工程學院（現(xiàn)電子科技大學）教授毛鈞業(yè)的論文入選IEDM，這是中國內(nèi)地高校在世界上首次發(fā)聲；在沉寂了24年后，2004年中國半導體界找回了感覺，中芯國際、清華大學、中科院上海微系統(tǒng)所分別代表工業(yè)界、學術界和研究界在IEDM齊齊發(fā)聲，向全球同行展示了國內(nèi)在半導體技術上的長足進步。

2005年中國內(nèi)地雖然在IEDM出現(xiàn)空窗期，但是卻在ISSCC和VLSI實現(xiàn)了突破，成功實現(xiàn)首發(fā)。

2005年ISSCC首次錄用中國內(nèi)地的論文的作者來自工業(yè)界的艾迪悌新濤科技（新濤科技創(chuàng)辦于1997年，2001年被艾迪悌以8500萬美元收購，新濤科技創(chuàng)始人之一楊崇和2004年再創(chuàng)辦瀾起科技）；2006年入選論文來自科研機構(gòu)中科院半導體所；2007年，鼎芯通訊發(fā)布了CMOS TD-SCDMA射頻收發(fā)芯片，這是首顆在ISSCC發(fā)布的中國芯；2008年清華大學代表中國內(nèi)地高校亮相。

2005年VLSI電路會議首次錄用中國內(nèi)地論文的作者來自中科院半導體所石寅研究員團隊；但是VLSI技術會議首次錄用中國內(nèi)地論文的時間是2008年，文章來自北京大學康晉鋒教授團隊。

從2005年以后，中國內(nèi)地在三大會議上不再缺席。

高校方面，2007年北京大學、復旦大學在IEDM首發(fā)；2009年復旦大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)；2010年復旦大學在VLSI電路和技術都實現(xiàn)首發(fā)，2011年上海交通大學在IEDM首發(fā)；2013年浙江大學在IEDM首發(fā)；2014年重慶大學在VLSI技術都實現(xiàn)首發(fā)；2016年西安電子科技大學、浙江大學、中山大學在IEDM首發(fā)，2016年電子科技大學、南京理工大學在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2017年南京大學、山東大學、天津大學在IEDM首發(fā)，2017年清華大學在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2018年北京大學、電子科技大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2018年華中科技大學、南方科技大學在IEDM首發(fā)；2019年上海交通大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2019年北京航空航天大學在IEDM首發(fā)，2019年東南大學、浙江大學在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2020年天津大學、西安交通大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2020年南京郵電大學在IEDM首發(fā)；2021年浙江大學、中國科技大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2021年華東師范大學在IEDM和VLSI技術實現(xiàn)雙首發(fā)，2021年西安交通大學在IEDM首發(fā)；2022年東南大學、中國科技大學、西湖大學在IEDM首發(fā)。

科研機構(gòu)方面，2011年中科院計算所在ISSCC上實現(xiàn)首發(fā)，2014年中科院微電子所在IEDM首發(fā)；2015年中科院半導體所在IEDM首發(fā)； 2016年中科院微電子所在VLSI技術都實現(xiàn)首發(fā)；2020年之江實驗室、中科院蘇州醫(yī)工所在IEDM首發(fā)，2020中科院微電子所在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2021年中電科38所、中科院微電子所在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)。

工業(yè)界方面，首先是美國在華獨資企業(yè)率先發(fā)力，2016年ADI上海在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)；2017年ADI北京在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2017年Marvell上海在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2018年新驅(qū)創(chuàng)柔光電、有研集團在IEDM首發(fā)，2018年ADI上海在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2020年線易電子在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2020年紫光國芯在IEDM首發(fā)；2021年百度、南京低功耗研究院在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)；2022年紐瑞芯科技在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2022年合肥?？莆?、A1（大家都知道的公司）在VLSI技術實現(xiàn)首發(fā)。在中國工業(yè)界在ISSCC和IEDM都實現(xiàn)首發(fā)后，2022年中國內(nèi)地工業(yè)界也在VLSI實現(xiàn)了首發(fā)。有更多的公司與高校和科研機構(gòu)合作，包括華虹宏力、兆易創(chuàng)新、武漢新芯、天馬微、華潤上華、長鑫存儲等。

中國內(nèi)地三大會議論文情況

ISSCC、IEDM、VLSI三大會議歷年總共錄用超過26500篇論文，平均每個會議每年錄用超過200篇文章。近兩年來，IEDM錄用中國內(nèi)地的論文約30篇，約占15%；ISSCC錄用中國內(nèi)地的論文在20篇以內(nèi)約占10%；VLSI錄用中國內(nèi)地的論文約10篇，約占10%。

截止2022年，包括IEDM2022還未演講的論文，中國內(nèi)場共計在三大會議發(fā)表文章394篇，其中IEDM有235篇，ISSCC有94篇，VLSI有65篇。中國內(nèi)地在三大盛會都實現(xiàn)論文發(fā)表的單位有9家，分別是北京大學、清華大學、中科院微電子所、復旦大學、浙江大學、電子科技大學、東南大學、中國科技大學、中科院半導體所（按論文發(fā)布總數(shù)排名）。

北京大學、清華大學位居論文數(shù)量前兩位，兩大高校各有側(cè)重，北京大學在IEDM數(shù)量上占有絕對優(yōu)勢；而清華大學在ISSCC和VLSI的數(shù)量都位居內(nèi)地高校首位。

北京大學黃如教授團隊自2007年在IEDM實現(xiàn)首發(fā)后，已經(jīng)連續(xù)16年在IEDM上展示其強大研究實力；2018年更是以9篇入選數(shù)量成為IEDM 2018接收來自全世界論文最多的高校，這也是IEDM歷史上首次由中國內(nèi)地高校在論文數(shù)量上領銜；隨后2021年以7篇入選數(shù)量、2022年以12篇入選數(shù)量成為當年會議接收來自全世界論文最多的高校。至今已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文104篇，居中國內(nèi)地各單位之首，其中82篇IEDM（居中國內(nèi)地各高校之首），ISSCC和VLSI各11篇。

清華大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文81篇，其中38篇IEDM，28篇ISSCC（居中國內(nèi)地高校之首），15篇VLSI（居中國內(nèi)地高校之首）。

中科院微電子所已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文42篇，其中27篇IEDM，1篇ISSCC，14篇VLSI。論文主要出自劉明院士團隊。

復旦大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文25篇，15篇ISSCC，5篇VLSI，5篇IEDM。其中2012年的論文是中國內(nèi)地高校在ISSCC會議上第一次發(fā)表關于處理器方面的文章。

電子科技大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文15篇，其中張波教授團隊自2009年以來持續(xù)在ISPSD（國際功率半導體器件討論會）大會上發(fā)表文章，發(fā)文累計超過80篇，更是在2020年首次成功入選IEDM，打破了學校自1980年以來的40年在IEDM的沉寂，同時該論文的擴展版本受邀發(fā)表在電子器件領域權威期刊IEEE T-ED的Special issue（Extended Versions of Outstanding Student Papers Presented at IEDM 2020）上。2018年電子科技大學在ISSCC上實現(xiàn)突破；2016年在VLSI上實現(xiàn)首發(fā)。

浙江大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文22篇，13篇IEDM，5篇ISSCC，4篇VLSI。

東南大學楊軍教授團隊2019年在ISSCC上發(fā)表的論文不僅實現(xiàn)東南大學的開門紅，也是首篇中國內(nèi)地存儲相關論文入選，2020年ISSCC上發(fā)表AI芯片亮點論文；而在VLSI方面，楊軍團隊在2019年也實現(xiàn)首發(fā)。孫偉鋒教授團隊從2012年開始持續(xù)在ISPSD（國際功率半導體器件討論會）大會上發(fā)表文章，2021年在ISSCC會議實現(xiàn)首發(fā)，2022年在IEDM發(fā)表的兩篇論文也是東南大學在IEDM會議取得突破。

北京航空航天大學趙巍勝教授團隊從2019年在IEDM首發(fā)自旋芯片相關論文以來，已經(jīng)發(fā)布5篇，在2021年更是以3篇的入選數(shù)量成為入選自旋芯片領域論文最多的單位。

山東大學在2016年引入陳杰智教授后，從2017年開始至今，已經(jīng)在IEDM發(fā)表了8篇論文。

西安電子科技大學郝躍院士團隊憑借在寬禁帶半導體的核心設備、材料生長到器件研制的重大創(chuàng)新，自2016年以來，已經(jīng)在IEDM上發(fā)表4篇論文；而在超寬禁帶半導體方面，也在學術期刊上發(fā)表了多篇文章。

中國內(nèi)地高校的芯片研發(fā)逐步加強

394篇論文中，來自高校的有312篇，來自研究機構(gòu)的有63篇，特別是近年來呈現(xiàn)明顯的上升趨勢，這也充分說明中國內(nèi)地高校在芯片設計方面的實力開始顯現(xiàn)。

2007年北京大學黃如教授團隊在IEDM會議首次發(fā)表中國內(nèi)地集成電路主流MOS器件方面的論文后，已經(jīng)連續(xù)16年在IEDM發(fā)表相關論文。

在PLL方面：2008年清華大學代表中國內(nèi)地高校首次亮相ISSCC，王志華教授團隊博士生喻學藝依靠PLL論文成為中國內(nèi)地第一個獲頒ISSCC Silk Road Award絲綢之路獎的學生。在2009年，喻學藝和復旦大學唐長文教授團隊的博士生盧磊分別發(fā)表PLL論文，標志著中國內(nèi)地PLL的研究已經(jīng)達到世界先進水平。

中國內(nèi)地處理器在ISSCC實現(xiàn)三連貫：2011年中科院計算所龍芯3B處理器發(fā)布，這是中國內(nèi)地第一次發(fā)表關于處理器方面的文章；2012年復旦大學在ISSCC上介紹了一款16核處理器的設計，這是是中國內(nèi)地高校在ISSCC會議上第一次發(fā)表關于處理器方面的文章；2021年中科院計算所龍芯3B1500處理器發(fā)布，采用32nm高K金屬柵工藝，硅片面積182.5mm2，晶體管數(shù)目達到11億個，集成8核心向量處理器，峰值運算能力可達192GFLOPS。

在ADC/DAC方面：首先在DAC上取得突破，2005年中科院半導體所石寅團隊的倪衛(wèi)寧在VLSI發(fā)表中國內(nèi)地第一篇有關DAC的論文；2018年電子科技大學李強教授團隊的陳海文在VLSI發(fā)表中國內(nèi)地第一篇有關ADC的論文；2020年清華大學劉佳欣與孫楠教授團隊在ISSCC發(fā)表完成中國內(nèi)地第一篇ADC論文。

可重構(gòu)計算、人工智能方面：清華大學尹首一教授、劉雷波教授和魏少軍教授團隊、劉永攀教授團隊、吳華強教授和錢鶴教授團隊在ISSCC、VLSI近年持續(xù)發(fā)表論文。

在存儲方面，中國內(nèi)地高校有多個團隊在對DRAM、3D FLASH和新型存儲進行研究，包括劉明院士團隊（中科院微電子所、復旦大學）、北京大學黃如院士團隊、清華大學吳華強團隊、東南大學楊軍教授團隊、北航趙巍勝教授團隊等，安徽大學在存儲研究方面也實力不俗；而在存內(nèi)計算方面，高校研發(fā)團隊更是不可算數(shù)。

后記

394篇論文中，來自中國內(nèi)地產(chǎn)業(yè)界的只有11篇，算上外資企業(yè)的也不過19篇，說明我國產(chǎn)業(yè)界在原始創(chuàng)新方面，還有很長的路要走。反觀臺灣省，僅僅臺積電2022年在IEDM上就發(fā)表了13篇一作，還有多篇合作論文。

針對國內(nèi)有網(wǎng)友評論說目前內(nèi)地工業(yè)界不一定要在會議上發(fā)表論文來證明自己，有業(yè)界專家表示，近年來，工業(yè)界在三大會議上發(fā)表的論文數(shù)量有所下降，但仍占有每年40%的數(shù)量。40%被錄用的稿件來自工業(yè)界，很難下結(jié)論說這是或者不是一件好事。大多數(shù)企業(yè)對于技術研發(fā)和宣傳的態(tài)度，是以商業(yè)驅(qū)動為主導，不排除部分企業(yè)借會議平臺來擴大自身的影響力。但三大會議對于文章的錄用是有嚴格的標準的，其程序委會員的委員可不是白吃飯的，如果企業(yè)投稿不能詳細說明令人認同的技術細節(jié)，是不可能被錄用的。對于在三大會議上發(fā)表論文，產(chǎn)業(yè)界不可太看重，但也不可太看重。目前主要的矛盾是吃不到葡萄，而不是葡萄酸不酸的問題。

另外在我國一個較迫切的問題是要堅定的走產(chǎn)學研相結(jié)合的道路。今天，由政府資金推動的大量科研項目，取得了豐富的科研成果，但總體上技術轉(zhuǎn)化率可能并不高。只有企業(yè)在高?？蒲许椖可贤度刖揞~資金時，對于技術成果轉(zhuǎn)化的要求才會更迫切，高校所受到壓力和推動力也更大，也將更務實高效。