【安森美#專場直播】倒計時4天！How SiC is Shifting the Future of EV

來源：旺材芯片

傳統(tǒng)的電力電子系統(tǒng)，多由硅（Si）為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體元件構(gòu)成 ，其中硅基MOEFST以及IGBT應(yīng)用最廣泛。兩種器件有各自的優(yōu)缺點，只能高效的應(yīng)用與各自的特定領(lǐng)域。隨著業(yè)界對功率，效率以及環(huán)境壓力的進(jìn)一步追求，傳統(tǒng)的硅基設(shè)計已進(jìn)入瓶頸期，無進(jìn)一步的提升性能的空間。

碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料半導(dǎo)體（Wide BandGap）的代表，因其優(yōu)異特性備受業(yè)界矚目。然而，從Si到SiC的轉(zhuǎn)變?nèi)悦媾R著諸多挑戰(zhàn)，尤其是封裝及應(yīng)用層面。這些挑戰(zhàn)阻礙了終端用戶充分發(fā)揮SiC的潛在性能。

因此這次報告著眼于此，從技術(shù)和市場的角度出發(fā)，同時鑒于平臺粉絲以及線上參與者對SiC知識的強烈需求，我們圍繞“How SiC is Shifting the Future of EV”話題開展了直播分享，吳桐先生也將給大家?guī)砀钊氲姆窒砼c解讀，談一下安森美半導(dǎo)體，針對如何幫助業(yè)界,更有效地實現(xiàn)從Si到SiC的迭代。

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01.

演講題目

How SiC is Shifting the Future of EV

02.

安森美半導(dǎo)體

安森美是一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，提供80,000多款不同的器件和全球供應(yīng)鏈，為數(shù)以百計的市場的數(shù)以十萬名客戶提供服務(wù)。Fairchild半導(dǎo)體和摩托羅拉是我們今天所知的技術(shù)行業(yè)的基石。當(dāng)前存在的幾乎每家技術(shù)公司都可以追溯它們的根基到這些先驅(qū)之一。

不過，安森美不僅傳承了行業(yè)巨頭摩托羅拉和Fairchild半導(dǎo)體, 還傳承了Cherry Semiconductor、AMI Semiconductor、三洋半導(dǎo)體、Aptina Imaging Corporation、SensL Technologies和許多其他公司。

03.

主講專家

吳桐

首席碳化硅專家

中國區(qū)汽車OEM產(chǎn)品技術(shù)負(fù)責(zé)人

上海交通大學(xué)半導(dǎo)體物理專業(yè)，數(shù)學(xué)專業(yè)輔修本科畢業(yè)，美國田納西大學(xué)電氣工程博士學(xué)位。吳博士在半導(dǎo)體封裝，寬帶隙器件（SiC）應(yīng)用，電力電子設(shè)計，自主電源模塊設(shè)計（電力電子設(shè)計4.0）方面擁有10多年的研發(fā)和工業(yè)經(jīng)驗。

吳博士目前在安森美工作，擔(dān)任首席寬禁帶器件專家，負(fù)責(zé)大中華地區(qū)的SiC產(chǎn)品市場。深度了解新能源行業(yè)的市場，供應(yīng)鏈，開發(fā)流程以及解決方案。與國內(nèi)多家整車廠，主機廠保持著深度合作以及技術(shù)支持。加入安森美之前，他曾在SF Motors擔(dān)任技術(shù)主管，領(lǐng)導(dǎo)SiC功率模塊封裝和下一代牽引逆變器研發(fā)項目。他在美國田納西州橡樹嶺橡樹嶺國家實驗室（ORNL）的電力電子和電機研究中心進(jìn)行了博士研究工作。在ORNL，他參與了多個項目，包括高功率密度電力電子系統(tǒng)的多目標(biāo)設(shè)計和優(yōu)化，寬帶隙功率半導(dǎo)體器件功率模塊封裝及其應(yīng)用。他已經(jīng)在國際會議和期刊上發(fā)表了40多篇論文，并在SiC功率模塊封裝方面獲得了多項美國專利。

04.

演講大綱

1. Limitation of SiC in HPD type package

2. Introduce the benefits of SiC Molded Package