SiC 市場(chǎng)高速增長(zhǎng)

來(lái)源：Qorvo 半導(dǎo)體

據(jù)國(guó)際知名分析機(jī)構(gòu) Yole 在早前的一份報(bào)告中介紹，受汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁推動(dòng)，尤其是在 EV 主逆變器方面的需求，SiC 市場(chǎng)將迎來(lái)高速增長(zhǎng)。

報(bào)告指出，繼特斯拉采用 SiC 后，2020 年和 2021 年又有多款新發(fā)布的 EV 使用SiC。此外，特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄的出貨量幫助 SiC 器件在 2021 年達(dá)到 10 億美元的規(guī)模。他們指出，為了滿足長(zhǎng)續(xù)航的需求，800V EV 是實(shí)現(xiàn)快速直流充電的解決方案，這也就是 1200V SiC 器件發(fā)揮重要作用的地方。

Yole 在報(bào)告中表示，除汽車外，工業(yè)和能源應(yīng)用市場(chǎng)將成為 SiC 營(yíng)收增長(zhǎng)超過 20% 的市場(chǎng)。為此 Yole 預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)到 2027 年，SiC 器件市場(chǎng)將從 2021 年的 10 億美元業(yè)務(wù)增長(zhǎng)到 60 億美元以上。

作為一家在寬禁帶方面有多年積累經(jīng)驗(yàn)的企業(yè)，Qorvo 去年通過收購(gòu) UnitedSiC，加強(qiáng)了公司在這方面的投入。

UnitedSiC 前總裁兼首席執(zhí)行官、Qorvo 現(xiàn)任電源設(shè)備解決方案部門總經(jīng)理 Chris Dries 之前在接受 EETIMES的采訪時(shí)強(qiáng)調(diào)，Dries 表示，Qorvo 對(duì) Active-Semi 的收購(gòu)觸發(fā)了其對(duì)功率電子設(shè)備領(lǐng)域的興趣。如今，Qorvo 的目標(biāo)就是，利用 UnitedSiC 的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)偉大的多元化戰(zhàn)略。

“可編程電源管理業(yè)務(wù)發(fā)展迅速，Qrovo 希望在電力市場(chǎng)占有更大的份額。此次收購(gòu)有助于加快其進(jìn)軍該市場(chǎng)領(lǐng)域的步伐，進(jìn)而創(chuàng)建將我們可編程性、靈活性和模擬控制 IP 與 UnitedSiC 產(chǎn)品組合在一起的解決方案，以便為客戶打造端到端解決方案?！盦orvo 可編程電源管理業(yè)務(wù)部門高級(jí)總監(jiān) David Briggs 在同一個(gè)采訪中補(bǔ)充說。

據(jù)采訪所說，UnitedSiC 已開發(fā)出一種共源共柵布局的 SiC，適用于需要常閉器件的功率電子設(shè)備應(yīng)用。在共源共柵配置中，功率 MOSFET 置于 JFET 頂部，而且兩者被封裝在一起，以實(shí)現(xiàn)極低熱阻。

UnitedSiC 提供 SiC FET、JFET 和肖特基二極管設(shè)備等產(chǎn)品。JFET 結(jié)構(gòu)是最基本的 SiC 開關(guān)。因?yàn)樗鼪]有柵極氧化物，并且是單極傳導(dǎo)裝置，所以可以避免一些與 MOSFET 相關(guān)的缺陷。新推出的第四代 SiC FET 的最大工作電壓為 750 V, RDS (on) 為 5.9 毫歐姆，可將各行各業(yè)的效率提升至新高度。

改進(jìn)開關(guān)性能和 RDS(on) 可在電動(dòng)汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更強(qiáng)大的新應(yīng)用，如牽引驅(qū)動(dòng)、車載和車外充電器以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器和 AC/DC 或 DC/DC 功率轉(zhuǎn)換等所有階段的功率轉(zhuǎn)換。

Dries 表示：“我們剛剛發(fā)布了第四代器件，其芯片尺寸縮小了 30-50%，從而進(jìn)一步降低了解決方案成本。當(dāng)您考慮碳化硅逆變器所帶來(lái)的效率優(yōu)勢(shì)時(shí)，就更應(yīng)該把握住這一機(jī)會(huì)。我認(rèn)為，在這個(gè)十年結(jié)束之時(shí)，碳化硅可能會(huì)開始占主導(dǎo)地位，尤其是在更大功率的汽車領(lǐng)域。”

Briggs 補(bǔ)充道：“IGBT 仍將繼續(xù)存在，它們不會(huì)輕易地被 SiC 取代，但由于其效率、性能和可靠性，碳化硅遲早會(huì)占據(jù)大部分市場(chǎng)份額并最終取代 IGBT。”

SiC FET 通常用于功率轉(zhuǎn)換、電路保護(hù)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。據(jù) UnitedSiC 的研究，所述眾多應(yīng)用的一個(gè)特點(diǎn)就是，柵極驅(qū)動(dòng)器特性與其他器件（如 MOSFET 和 IGBT）兼容，這樣就可以輕松地將其集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中。

在 Qorvo 產(chǎn)品組合中整合 UnitedSiC 解決方案將涵蓋新興市場(chǎng)的許多應(yīng)用，主要與能源相關(guān)。UnitedSiC 和 Qorvo 強(qiáng)調(diào)了繼續(xù)創(chuàng)建可擴(kuò)展且增長(zhǎng)快速的業(yè)務(wù)機(jī)會(huì)，以加快 SiC 的采用，從而提高支持電動(dòng)汽車部署的動(dòng)力總成解決方案的效率。