(2021.11.22)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞

2021.11.15- 2021.11.19

1. 中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)力全面對(duì)比

全球分析師團(tuán)隊(duì)根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）與BCG聯(lián)合發(fā)布的研究報(bào)告《在不確定時(shí)代下加強(qiáng)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈》，以及維基百科《全球半導(dǎo)體晶圓廠分布》清單，對(duì)中國(guó)大陸和美國(guó)在半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈和價(jià)值鏈上的實(shí)力進(jìn)行的全方位對(duì)比：

根據(jù)芯思想研究院發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2020年中國(guó)大陸本土晶圓代工廠商總體營(yíng)收為463億元，較2019年增加66億元?？鄢B興中芯、粵芯半導(dǎo)體和寧波中芯的18億元營(yíng)收，原有7大代工廠商的營(yíng)收增長(zhǎng)了48億元。

2. 趙海軍：兩因素致芯荒，國(guó)內(nèi)需求至少三成應(yīng)由本地制造支撐

趙海軍表示，如果本地制造能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)于三成本土需求的支撐，那么國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體制造業(yè)至少還要成長(zhǎng)5倍的產(chǎn)能。

趙海軍認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)可期，制造業(yè)產(chǎn)能能夠做到在10年內(nèi)滿足自己一半需求，屆時(shí)在設(shè)計(jì)、晶圓加工、封裝測(cè)試領(lǐng)域一定會(huì)出現(xiàn)世界前三的國(guó)內(nèi)企業(yè)。

“去年年底中國(guó)大陸設(shè)計(jì)、制造的銷售只占需求的5.9%，其余主要由三星、海力士、臺(tái)積電等廠商在大陸工廠制造?！?/p>

趙海軍表示有兩方面原因造導(dǎo)致“缺芯”：

一是疫情等造成居家辦公、遠(yuǎn)程教育等場(chǎng)景下的市場(chǎng)需求“透支”，拉動(dòng)智能汽車、5G手機(jī)等電子終端類產(chǎn)品的升級(jí)，造成原來(lái)可能要在幾年內(nèi)完成的升級(jí)過(guò)程都集中在這一兩年內(nèi)發(fā)生。

二是多年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)在規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能和終端系統(tǒng)整機(jī)需求時(shí)，整個(gè)供應(yīng)鏈非?！敖┯病?，沒(méi)有一點(diǎn)余量。

“全球集成電路產(chǎn)能80%來(lái)自于美國(guó)、歐洲的IDM工廠，純代工廠商只占20%。去年因?yàn)橐咔閷?dǎo)致這些歐美工廠生產(chǎn)中斷，差不多缺少了四五個(gè)月的生產(chǎn)，今年也沒(méi)有100%恢復(fù)，所以缺芯的情況一直存在。”趙海軍說(shuō)。

3. 傳AMD將成為三星3納米首位客戶，臺(tái)媒稱或?yàn)楣室夥旁?/span>

此前臺(tái)積電高層表示，3納米制程將在2022年下半年推出。三星則宣布采用GAA技術(shù)的3納米制程預(yù)計(jì)2022年上半年量產(chǎn)，時(shí)間點(diǎn)早于臺(tái)積電。

傳聞處理器大廠AMD可能成為三星代工業(yè)務(wù)首家3納米制程客戶，原因是合作伙伴臺(tái)積電與蘋果關(guān)系密切，使AMD考慮選擇三星交付3納米制程訂單。除了AMD，高通也對(duì)三星3納米制程感興趣。

4. 高通提前設(shè)定未來(lái)三年財(cái)務(wù)目標(biāo)，直指7000億美元潛在市場(chǎng)

在高通2021投資者大會(huì)上，高通公司總裁兼首席執(zhí)行官安蒙表示，未來(lái)十年，得益于越來(lái)越多終端實(shí)現(xiàn)智能互聯(lián)，高通的潛在市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從目前的約1000億美元增長(zhǎng)至7000億美元。為此，高通提前設(shè)定了未來(lái)三個(gè)財(cái)年的全新財(cái)務(wù)目標(biāo)。

為此，高通提前設(shè)定了未來(lái)三個(gè)財(cái)年的全新財(cái)務(wù)目標(biāo)，包括：

到2024財(cái)年，QCT半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收將實(shí)現(xiàn)中雙位數(shù)（mid-teens）的復(fù)合年均增長(zhǎng)率，運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率將超過(guò)30%。具體而言：

到2024財(cái)年，智能手機(jī)和射頻前端業(yè)務(wù)營(yíng)收的增長(zhǎng)率至少將與可服務(wù)市場(chǎng)（SAM）12%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率持平；

汽車業(yè)務(wù)年?duì)I收將在未來(lái)5年增長(zhǎng)至35億美元，在未來(lái)10年增長(zhǎng)至80億美元；

2024財(cái)年，物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)年?duì)I收將增長(zhǎng)至90億美元；

QTL技術(shù)許可業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將保持現(xiàn)有的營(yíng)收規(guī)模和利潤(rùn)水平。

5. 3000億資產(chǎn)的芯片巨頭花落誰(shuí)家？這家財(cái)團(tuán)有望接手

中國(guó)芯片制造商紫光集團(tuán)有限公司(Tsinghua Unigroup)引入戰(zhàn)略投資者一事，或已進(jìn)入最后階段，阿里巴巴和浙江國(guó)資組成的聯(lián)合財(cái)團(tuán)有望以超500億元的對(duì)價(jià)整體接手紫光集團(tuán)的運(yùn)營(yíng)。

報(bào)道稱交易預(yù)計(jì)最快12月達(dá)成，但目前還在進(jìn)行談判，不排除存在變數(shù)。

6. 28nm競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入新階段

Gartner數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)全球芯片制造商今年將向資本支出投入約1460億美元，比上一年增長(zhǎng)約三分之一，但據(jù)其估計(jì)，每6美元中只有不到1美元專門用于目前面臨最長(zhǎng)積壓的所謂傳統(tǒng)芯片。成熟工藝投入的不足讓人對(duì)當(dāng)前擴(kuò)產(chǎn)的“遠(yuǎn)水能否救得了近火”產(chǎn)生懷疑。

對(duì)比之下：16nm節(jié)點(diǎn)之后要用上FinFET晶體管技術(shù)，晶圓制造成本會(huì)上升至少50%以上。此前市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IBS數(shù)據(jù)顯示，28nm之后芯片的成本迅速上升，28nm工藝的成本為0.629億美元，5nm將增至4.76億美元。

眾所周知，28nm是成熟工藝中的重要節(jié)點(diǎn)，區(qū)分了先進(jìn)制程與成熟制程，由臺(tái)積電于2011年率先推出，此后，三星、格芯、中芯國(guó)際等大廠也接連宣布突破了28nm。

7. 2021半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)率TOP25排名出爐中芯國(guó)際預(yù)計(jì)強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)近40%！

IC Insights剛剛發(fā)布對(duì)銷售額增長(zhǎng)率排名前25位的半導(dǎo)體供應(yīng)商的預(yù)測(cè)排名。

由于新冠疫情引起的習(xí)慣改變以及隨后的經(jīng)濟(jì)在 2021 年反彈，預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)23%。包括：半導(dǎo)體出貨量預(yù)計(jì)強(qiáng)勁增長(zhǎng)20%，和半導(dǎo)體總平均售價(jià)(ASP) 3%的增長(zhǎng)。23% 的增長(zhǎng)將是自 2010 年以來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的第二大漲幅，當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體銷售額在 2008 年和 2009 年金融危機(jī)和全球經(jīng)濟(jì)衰退后飆升了 33%。

8. 即使被認(rèn)為有安全風(fēng)險(xiǎn)，美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商仍然從中國(guó)獲取了創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)｜海外觀點(diǎn)

在過(guò)去的一年里，應(yīng)用材料股價(jià)幾乎翻了一番，從74美元漲到141美元，KLA股價(jià)上漲了近60%，從241美元到380美元，LAM Research股價(jià)則上漲了30%。從432美元到572美元。這樣的結(jié)果引出了一個(gè)問(wèn)題：如果這些企業(yè)向美國(guó)的主要對(duì)手出售關(guān)鍵的“卡脖子”技術(shù)，并危及美國(guó)的國(guó)家安全，那么美國(guó)政府應(yīng)該使用出口管制來(lái)阻止它們嗎？

在加強(qiáng)美國(guó)國(guó)內(nèi)網(wǎng)絡(luò)安全的同時(shí)，有必要阻止中國(guó)收購(gòu)美國(guó)的敏感技術(shù)。然而，美國(guó)的出口管制框架不一致，漏洞百出，這會(huì)讓對(duì)手鉆空子。例如，在特朗普?qǐng)?zhí)政期間，美國(guó)商務(wù)部將中國(guó)最大的芯片制造商中芯國(guó)際列入了實(shí)體清單，而拜登政府對(duì)此表示了支持。不過(guò)，像長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司這樣的中國(guó)軍用芯片制造商還繼續(xù)享受著進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。

新美國(guó)安全中心（Center for a New American Security）的技術(shù)與國(guó)家安全項(xiàng)目主任Martijn Rasser指出，與中國(guó)有軍事關(guān)系的頂級(jí)芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司應(yīng)該被列入清單中。美國(guó)國(guó)會(huì)議員Michael McCaul最近在接受采訪時(shí)說(shuō)：“短期的企業(yè)利潤(rùn)正在犧牲美國(guó)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略利益，美國(guó)政府必須利用出口管制來(lái)阻止中國(guó)進(jìn)一步建設(shè)其半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。”

9. IC Insights預(yù)測(cè)DRAM價(jià)格將在2021年第4季度回落

11月11日消息，據(jù)IC Insights更新的《麥克林報(bào)告》顯示，DRAM價(jià)格在2021年前八個(gè)月飆升了41%，從1月份的平均銷售價(jià)格（ASP）3.37美元上漲至8月份的4.77美元。9月份DRAM ASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增長(zhǎng)37%。2019年對(duì)DRAM來(lái)說(shuō)是相對(duì)困難的一年，ASP下降44%，不過(guò)2020年出現(xiàn)了強(qiáng)勁的價(jià)格上漲和市場(chǎng)反彈。不過(guò)這一年爆發(fā)的疫情給這一細(xì)分市場(chǎng)的發(fā)展蒙上了陰影。

具體而言，PC和服務(wù)器制造商在上半年購(gòu)買了大量DRAM，以幫助緩解2021年晚些時(shí)候潛在的制造和運(yùn)輸延遲。預(yù)計(jì)他們將在2021年第四季度減少大量DRAM采購(gòu)，以消耗現(xiàn)有庫(kù)存。PC和服務(wù)器DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)將在2021年第四季度下滑0-5%。

10. 10年內(nèi)突破2nm工藝瓶頸，ASML計(jì)劃推出新一代EUV設(shè)備

ASML將自2023上半年起提供客戶0.55數(shù)值孔徑(NA)的新一代EUV機(jī)臺(tái)(目前版本為0.33NA)，號(hào)稱可延長(zhǎng)摩爾定律壽命至少10年。該公司副總裁Teun van Gogh接受《EE Times》采訪時(shí)表示，這將有助于芯片制造業(yè)者在至少10年內(nèi)突破2納米節(jié)點(diǎn)的瓶頸。

Hosseini表示，在接下來(lái)幾年，ASML將推出的0.55NA設(shè)備將有助于臺(tái)積電等領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)者突破前進(jìn)3納米以下工藝的障礙；“晶圓廠唯一能實(shí)現(xiàn)3納米工藝的方法是采用EUV設(shè)備與多重圖形技術(shù)，這絕對(duì)會(huì)讓晶圓制造成本大幅提高，而避免EUV多重圖形的唯一方法，就是采用高NA (0.55NA)設(shè)備?！?/p>

11. 中芯寧波晶圓量產(chǎn)！

中芯集成電路（寧波）有限公司（簡(jiǎn)稱：中芯寧波）自主研發(fā)的體聲波（BAW）諧振器工藝技術(shù)平臺(tái)：SASFR?，已經(jīng)支持多家設(shè)計(jì)公司實(shí)現(xiàn)射頻前端中高頻BAW濾波器量產(chǎn)，客戶產(chǎn)品性能已達(dá)到國(guó)內(nèi)最優(yōu)、業(yè)界先進(jìn)水平，可開(kāi)始向高端手機(jī)供貨，在中國(guó)大陸?yīng)殬?shù)一幟，也在長(zhǎng)期被國(guó)外廠商壟斷的中高端BAW濾波器領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了具有全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)和規(guī)模制造突圍。

12. 晶盛機(jī)電碳化硅襯底國(guó)產(chǎn)替代空間大6英寸碳化硅晶片將成主流

本次臨時(shí)股東大會(huì)審議通過(guò)了《關(guān)于公司向特定對(duì)象發(fā)行股****方案的議案》等議案。為滿足業(yè)務(wù)發(fā)展的需要，擴(kuò)大公司經(jīng)營(yíng)規(guī)模，進(jìn)一步增強(qiáng)公司資本實(shí)力及盈利能力，晶盛機(jī)電擬通過(guò)向特定對(duì)象發(fā)行股****的方式募集資金不超過(guò)57億元，募集資金將用于碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目、12英寸集成電路大硅片設(shè)備測(cè)試實(shí)驗(yàn)線項(xiàng)目、年產(chǎn)80臺(tái)套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。

13. 華虹半導(dǎo)體2021Q3季報(bào)總結(jié)及法說(shuō)會(huì)紀(jì)要

華虹（HHGrace，1347.HK）于11月11日發(fā)布2021年第三季度財(cái)報(bào)，三季度營(yíng)收4.52億美元，同比+78.5%/環(huán)比+30.4%，毛利率27.1%，同比+2.9pcts/環(huán)比+2.3pcts。綜合財(cái)報(bào)及交流會(huì)議信息，總結(jié)要點(diǎn)如下：

1、營(yíng)收超指引并創(chuàng)歷史新高，毛利率超指引上限。

21Q3收入達(dá)4.52億美元，超21Q2指引并創(chuàng)歷史新高，同比+78.5%，環(huán)比+30.4%。毛利率穩(wěn)定上升至27.1%，超21Q2指引上限，同比+2.9pcts，環(huán)比+2.3pcts。營(yíng)收及毛利率均超預(yù)期，主要系下游MCU、射頻、電源管理、標(biāo)準(zhǔn)式內(nèi)存、超級(jí)結(jié)MOSFET等需求強(qiáng)勁，產(chǎn)能提升、產(chǎn)能利用率維持滿載、晶圓ASP提升。①產(chǎn)能提升：21Q3整體產(chǎn)能達(dá)29.7萬(wàn)片/月（等效8寸），環(huán)比提升10.8%，主要系資本開(kāi)支穩(wěn)定增長(zhǎng)，12寸產(chǎn)能爬坡順利，21Q3總資本開(kāi)支2.52億美元，其中華虹無(wú)錫占2.25億美元、華虹8寸占2800萬(wàn)美元。②產(chǎn)能利用率持續(xù)滿載：整體產(chǎn)能利用率從21Q2的109.5%提升至21Q3的110.9%，8寸產(chǎn)能利用率維持高位達(dá)112.3%，12寸線產(chǎn)能利用率環(huán)比大幅提升5pcts達(dá)109%。③ASP保持上升態(tài)勢(shì)：按照付運(yùn)晶圓測(cè)算8寸ASP為506美元，環(huán)比+5.6%，按照付運(yùn)晶圓測(cè)算12寸ASP為1079美元，環(huán)比+4.9%。

2、8寸線營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，12寸線產(chǎn)能穩(wěn)定增長(zhǎng)但盈利受折舊影響承壓。

①8寸：21Q3 8寸線實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.15億美元，創(chuàng)歷史新高，同比/環(huán)比+33.2%/+20.2%，毛利率為35.2%，同比/環(huán)比+8pcts/+3.6pcts，主要系產(chǎn)品組合優(yōu)化。②12寸：12寸實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.367億美元，同比/環(huán)比+723.3%/+62.5%，營(yíng)收占比達(dá)30.3%，12寸產(chǎn)能持續(xù)爬坡，目前達(dá)6.5萬(wàn)片/月，提前完成目標(biāo)。12寸線毛利率為8.5%，環(huán)比+5.2pcts，主要系晶圓ASP上升。12寸稅前溢利虧損擴(kuò)大，由21Q2虧損1409萬(wàn)美元擴(kuò)大至21Q3虧損2414.3萬(wàn)美元，主要系12寸線折舊及攤銷加大，同時(shí)部分利潤(rùn)被外匯損失和增加的人工成本抵消。