半導(dǎo)體領(lǐng)域臺(tái)積電納米片晶體管

臺(tái)積電2021年度技術(shù)研討會(huì)上公布了新工藝進(jìn)展，6nm至2nm都有新消息。

2nm目前是各大半導(dǎo)體巨頭角逐的新趨勢(shì)產(chǎn)品，IBM甚至已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)搞定，率先公布了2nm芯片，而除了臺(tái)積電、三星兩大代工巨頭，歐洲、日本也在規(guī)劃中。

不同之前時(shí)代，在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷改進(jìn)，臺(tái)積電的2nm工藝是真正全新設(shè)計(jì)的，一大特點(diǎn)就是會(huì)引入納米片晶體管，取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。

臺(tái)積電表示，納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓——在半導(dǎo)體領(lǐng)域，Vt是電路運(yùn)行所需的*低電壓，它的任何輕微波動(dòng)，都會(huì)顯著影響芯片的設(shè)計(jì)、性能，自然是越小越好。

臺(tái)積電宣稱，根據(jù)試驗(yàn)，納米片晶體管可將Vt波動(dòng)降低至少15%。目前，臺(tái)積電的2nm工藝剛剛進(jìn)入正式研發(fā)階段，將于2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。

選購(gòu)晶體管、貼片二極管、三極管困擾點(diǎn)擊查看詳情：http://www.smd88.com/product/jtg.html