(2021.11.1)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞

2021.10.25- 2021.10.29

1. 半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化專(zhuān)題：中微、盛美、北方華創(chuàng)、華海清科、拓荊、屹唐半導(dǎo)體等是12寸線(xiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵推動(dòng)者

據(jù)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)中標(biāo)數(shù)量統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)主要的4條12寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)的整體國(guó)產(chǎn)化率不足15%。分設(shè)備類(lèi)型來(lái)看，去膠設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化水平最高，接近70%，CMP、刻蝕、清洗、熱處理等工藝設(shè)備類(lèi)別的國(guó)產(chǎn)化率均超20%，PVD設(shè)備整體國(guó)產(chǎn)化率近15%，CVD、離子注入、量測(cè)、光刻、涂膠顯影、鍍銅等設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率均不足5%。

12英寸產(chǎn)線(xiàn)的工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化平均水平接近13%。據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹無(wú)錫、合肥晶合、上海華力二期四個(gè)項(xiàng)目共累計(jì)采購(gòu)數(shù)千臺(tái)工藝設(shè)備，整體國(guó)產(chǎn)化率接近13%。

2. 士蘭微Q3凈利潤(rùn)暴漲2075.21%！

10月29日，士蘭微發(fā)布三季報(bào)稱(chēng)，2021年7-9月，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為19.14億元，同比增長(zhǎng)51.98%，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為2.97億元，同比增長(zhǎng)2075.21%?？鄯莾衾麧?rùn)2.85億元，同比增長(zhǎng)11960.79%。

2021年前三季度，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為52.22億元，同比增長(zhǎng)76.18%，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為7.28億元，同比增長(zhǎng)1543.39%?？鄯莾衾麧?rùn)6.87億元，同比增長(zhǎng)14883.51%。

士蘭微表示，2021年1-9月，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)向好，功率半導(dǎo)體等芯片國(guó)產(chǎn)替代加速，公司在特色工藝平臺(tái)建設(shè)、新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、戰(zhàn)略級(jí)大客戶(hù)合作等方面不斷取得突破，加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整，積極擴(kuò)大產(chǎn)能，集成電路和分立器件等產(chǎn)品出貨量持續(xù)增長(zhǎng)。

3. 寧南山聊聊華為的三季報(bào)

華為的芯片是2020年9月徹底斷供的--因?yàn)橹圃毂豢恕?/p>

今年10月29日華為發(fā)布2021年前三季度經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)，前三季度公司實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入4558億元人民幣，凈利潤(rùn)率10.2%。

2021年第一季度，華為營(yíng)收為1522億元，凈利潤(rùn)率11.1%，去年同期為1822億人民幣，下降16.5%；

2021年第二季度，華為營(yíng)收為1682億元，凈利潤(rùn)率8.6%，去年同期為2718億人民幣，下降38.1%；

2021年第三季度，華為營(yíng)收為1354億元，凈利潤(rùn)率10.2%，去年同期為2173億人民幣，下降37.7%。

4. Semiwiki：全球半導(dǎo)體資本支出是否過(guò)大，有產(chǎn)能過(guò)剩危險(xiǎn)？

臺(tái)積電、三星和英特爾合計(jì)占半導(dǎo)體行業(yè)總資本支出的一半以上。Gartner 7月份預(yù)測(cè)2021年行業(yè)資本支出為1419億美元，自2021年以來(lái)增長(zhǎng)28%。預(yù)計(jì)2021年資本支出將大幅增長(zhǎng)的其他公司包括代工廠聯(lián)電和格芯、美光和SK海力士；以及集成設(shè)備制造商（IDM）意法半導(dǎo)體、英飛凌和瑞薩電子。

臺(tái)積電半導(dǎo)體行業(yè)目前正經(jīng)歷著由汽車(chē)電子、5G智能手機(jī)和基礎(chǔ)設(shè)施、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、數(shù)據(jù)中心，以及由于新冠大流行驅(qū)動(dòng)的家庭工作、教育和娛樂(lè)而加速的個(gè)人電腦增長(zhǎng)所帶來(lái)的大量的需求增長(zhǎng)。Gartner預(yù)測(cè)2021年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出將增長(zhǎng)28%，這將是自2017年增長(zhǎng)29%以來(lái)的最高水平。如果2021年資本支出增長(zhǎng)30%或以上，這將是自11年前，2010年的118%的增長(zhǎng)率以來(lái)的最高水平。

Gartner最新預(yù)測(cè)2021年資本支出增長(zhǎng)28%，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）預(yù)測(cè)2021年市場(chǎng)增長(zhǎng)25%。根據(jù)上述模型，未來(lái)兩三年增長(zhǎng)將減速，2023年可能出現(xiàn)下降。

5. 晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)成魔王關(guān)卡，臺(tái)積電漲價(jià)對(duì)手群難跟進(jìn)

據(jù)晶圓代工業(yè)者表示，興建晶圓廠所費(fèi)不貲，先期必須掌握三大要件，包括政府補(bǔ)助、初期大客戶(hù)包產(chǎn)能或出資購(gòu)置設(shè)備，以及掌握至少未來(lái)5年需求能見(jiàn)度高檔等。

連市占過(guò)半的臺(tái)積電都難以?huà)毂ＷC，面臨毛利率面臨下滑危機(jī)，不得不出手調(diào)漲代工價(jià)格，更遑論其他業(yè)者。由此可知目前晶圓代工大掀擴(kuò)產(chǎn)潮，未來(lái)海水退了就知道實(shí)力，不論是美國(guó)新廠推進(jìn)卡關(guān)的英特爾，或是要在新加坡再設(shè)廠的聯(lián)電，產(chǎn)能增不完全是喜事，反而已成魔王關(guān)卡。

以臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)藍(lán)圖來(lái)看，目前美國(guó)5納米廠、南京28納米擴(kuò)產(chǎn)，或是日本22/28納米特殊制程新廠，都已確定量產(chǎn)後2~3年內(nèi)的客戶(hù)名單與訂單規(guī)模，美國(guó)與日本新廠更有當(dāng)?shù)卣狀~資金補(bǔ)助落袋，因此至少能將初期「不賺錢(qián)」的風(fēng)險(xiǎn)疑慮降低最低，賠本的生意臺(tái)積電不會(huì)去做。

事實(shí)上，外界對(duì)於英特爾重返代工或是展開(kāi)歐美大擴(kuò)產(chǎn)的動(dòng)作多持平保守看待，主要是英特爾首要迫切的危機(jī)不在產(chǎn)能短缺，而是先進(jìn)制程技術(shù)卡關(guān)問(wèn)題。大舉擴(kuò)產(chǎn)、重返委外代工對(duì)於毛利率與整體獲利影響甚鉅，英特爾很難像臺(tái)積電大漲代工報(bào)價(jià)，現(xiàn)在啟動(dòng)大擴(kuò)產(chǎn)，恐將承受始料未及的獲利下滑壓力。

目前市場(chǎng)又陷入需求放緩，已難再有上半年爆發(fā)的榮景雜音，聯(lián)電要在成本高昂的新加坡興建新廠，恐將折損拉升不易的毛利率與利潤(rùn)，未來(lái)供需反轉(zhuǎn)、產(chǎn)能閑置更將會(huì)是惡夢(mèng)，最有可能應(yīng)只是在既有新加坡12i廠進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充，營(yíng)運(yùn)低迷多年的聯(lián)電，應(yīng)相當(dāng)清楚半導(dǎo)體超級(jí)循環(huán)期不會(huì)一直無(wú)止境。

6. 傳紫光集團(tuán)破產(chǎn)重整迎來(lái)新進(jìn)展，兩家意向投資方進(jìn)入下一輪競(jìng)標(biāo)

據(jù)財(cái)新報(bào)道，兩名知情人士透露，參與紫光重組的七家意向投資方中有兩家進(jìn)入下一輪競(jìng)標(biāo)，分別是浙江省國(guó)資和阿里巴巴聯(lián)合體以及北京的智路建廣聯(lián)合體。

7. SK海力士將以4.92億美元收購(gòu)8英寸晶圓代工廠Key Foundry

全球第二大內(nèi)存芯片制造商SK海力士周五表示，將以5760億韓元（4.92億美元）收購(gòu)韓國(guó)晶圓代工廠商KeyFoundry。

公開(kāi)資料顯示，KeyFoundry成立于2020年9月，由MagnaChipSemiconductor的代工部門(mén)分拆而成。

8. 美國(guó)參議院投****通過(guò)安全設(shè)備法案，加強(qiáng)對(duì)華為和中興等企業(yè)的限制

據(jù)路透社10月29日?qǐng)?bào)道，美國(guó)參議院周四一致投****批準(zhǔn)立法，防止華為或中興通訊等被視為帶來(lái)安全威脅的公司，從美國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)獲得新的設(shè)備許可證。

9. 三星規(guī)劃史無(wú)前例的晶圓代工投資

三星電子周四表示，今年的資本支出將從去年的 330 億美元大幅增加，主要是在內(nèi)存市場(chǎng)前景不明朗的情況下，在確認(rèn)收入接近 2018 年鼎盛時(shí)期的收入以及第三季度最強(qiáng)芯片收入創(chuàng)下有史以來(lái)最好的芯片之后出貨量。

該公司計(jì)劃在新采用 DDR5 的情況下繼續(xù)擴(kuò)展 15 納米 DRAM 和 128 層 V-NAND。它還將擴(kuò)大14納米DRAM和176-后來(lái)的V-NAND的量產(chǎn)，并通過(guò)降低成本來(lái)增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)，三星高層Han Seung-hoon 28日在財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上表示，2026年產(chǎn)能計(jì)劃擴(kuò)充三倍，不但會(huì)擴(kuò)增位于平澤市的生產(chǎn)線(xiàn)，也許還會(huì)前往美國(guó)打造一座全新晶圓廠，盡量滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

三星并重申，預(yù)定明(2022)年上半年為客戶(hù)生產(chǎn)旗下第一代3nm制程芯片，而第二代3nm芯片則預(yù)計(jì)2023年出爐。Han表示，晶圓代工事業(yè)將藉由3nmGAA制程拿下技術(shù)領(lǐng)先地位，大幅改善業(yè)績(jī)表現(xiàn)。

10. 年增百分之13.3， 2022年晶圓代工產(chǎn)值有望達(dá)1176.9億美元

展望2022年，在臺(tái)積電為首的漲價(jià)潮帶動(dòng)下，預(yù)期明年晶圓代工產(chǎn)值將達(dá)1,176.9億美元，年增13.3%。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2021年前十大晶圓代工業(yè)者資本支出超越500億美元，年增43%；2022年在新建廠房完工、設(shè)備陸續(xù)交貨移入的帶動(dòng)下，資本支出預(yù)估將維持在500~600億美元高檔，年增幅度約15%，且在臺(tái)積電正式宣布日本新廠的推升下，整體年增率將再次上修，預(yù)估2022年全球晶圓代工廠8吋產(chǎn)能年均新增約6%，12吋的年均新增約14%。

由于8吋晶圓制造設(shè)備價(jià)格與12吋相當(dāng)，但晶圓平均銷(xiāo)售單價(jià)卻相對(duì)較低，擴(kuò)產(chǎn)較難達(dá)到成本效益，因此擴(kuò)產(chǎn)幅度相當(dāng)有限；12吋方面，從制程來(lái)看，12吋新增產(chǎn)能當(dāng)中，超過(guò)50%為現(xiàn)今最為短缺的成熟制程（1Xnm及以上），且相較于2021年新增產(chǎn)能多半來(lái)自于如華虹無(wú)錫（Hua Hong Wuxi）及合肥晶合（Nexchip），2022年新增產(chǎn)能主要來(lái)自臺(tái)積電及聯(lián)電，擴(kuò)產(chǎn)制程集中于現(xiàn)階段極其短缺的40nm及28nm節(jié)點(diǎn)，預(yù)期芯片荒將稍有緩解。

11. 做晶圓廠的新型戰(zhàn)略伙伴，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備要馭勢(shì)而行

隨著中芯國(guó)際提出要打造新型戰(zhàn)略供應(yīng)商模式，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的重要性被再一次凸顯出來(lái)。怎樣在難得一遇的行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)潮面前，進(jìn)一步提高設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率，將是整個(gè)行業(yè)面臨的一次“大考”。

在剛剛結(jié)束的IC world 2021上，中芯國(guó)際表示去年花了1/3的時(shí)間來(lái)梳理和支持國(guó)產(chǎn)廠商。為此，公司成立了關(guān)健部件攻關(guān)技術(shù)委員會(huì)，下轄6大模塊16小組。每個(gè)模塊均由公司資深專(zhuān)家掛帥，全力解決備件自主問(wèn)題，經(jīng)過(guò)不到一年的時(shí)間，風(fēng)險(xiǎn)備件的替代率已經(jīng)快速提升到30%以上。

張昕就指出，晶圓廠要改變國(guó)產(chǎn)設(shè)備的采購(gòu)策略，從“價(jià)低者得和降價(jià)30%”向批量采購(gòu)支持戰(zhàn)略供應(yīng)商的策略轉(zhuǎn)變。

半導(dǎo)體設(shè)備使用的核心零部件種類(lèi)繁多，具有研發(fā)周期長(zhǎng)、小批量高成本等特點(diǎn)，要實(shí)現(xiàn)完全替代，還需要經(jīng)過(guò)技術(shù)和市場(chǎng)的反復(fù)考驗(yàn)。好在國(guó)內(nèi)擁有全部工業(yè)門(mén)類(lèi)，只要條件成熟，終會(huì)跨過(guò)這個(gè)門(mén)檻。

12. 中微公司前三季度凈利潤(rùn)增長(zhǎng)95.66%，新簽訂單金額達(dá)35.2億元

集微網(wǎng)消息 10月27日，中微公司發(fā)布三季報(bào)稱(chēng)，2021年7-9月，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為7.34億元，同比增長(zhǎng)47.45%，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為1.45億元，同比下降8.02%。

13. TSIA估今年中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將突破4萬(wàn)億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)24.7%

27日，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音以臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（TSIA）理事長(zhǎng)身份出席TSIA首度召開(kāi)的在線(xiàn)年會(huì)開(kāi)幕致詞。

他提到，TSIA統(tǒng)計(jì)2020年中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值已突破3萬(wàn)億元新臺(tái)幣，今年產(chǎn)值突破4萬(wàn)億元新臺(tái)幣，成長(zhǎng)24.7%。2019年底開(kāi)始的新冠疫情在全球蔓延已快兩年，使得全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈遭遇很大沖擊，然而中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍然創(chuàng)造出制造第一、封測(cè)第一、IC設(shè)計(jì)第二的好成績(jī)。

14. ICinsights：傳感器銷(xiāo)量放緩阻礙OSD增幅

據(jù)IC insights預(yù)計(jì)，光電子、傳感器/執(zhí)行器和分立器件 (OSD) 今年的全球銷(xiāo)售額將從 2020 年的 883 億美元增長(zhǎng) 18%至 1,043 億美元，在 Covid-19 病毒爆發(fā)期間，這一半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)不到 3%年，根據(jù) IC Insights的報(bào)告預(yù)計(jì) ，2022 年 OSD 總銷(xiāo)售額將增長(zhǎng) 11%達(dá)到 1155 億美元（圖 ）。OSD 產(chǎn)品約占全球半導(dǎo)體總銷(xiāo)售額的 18%，其余 (82%) 來(lái)自集成電路。25 年前，不到 13% 的半導(dǎo)體收入來(lái)自 OSD 產(chǎn)品。

15. 總投資400億元浙江首條12吋晶圓生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目最新進(jìn)展

資料顯示，杭州富芯半導(dǎo)體有限公司成立于2019年，主要從事高性能模擬芯片的生產(chǎn)制造。

其中項(xiàng)目一期投資金額180億元，建設(shè)全球領(lǐng)先的12吋高性能模擬芯片生產(chǎn)線(xiàn)，規(guī)劃產(chǎn)能5萬(wàn)片/月，達(dá)產(chǎn)后將是國(guó)內(nèi)汽車(chē)電子、5G通信、云計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域重要的高性能模擬芯片生產(chǎn)基地。

16. 中芯國(guó)際深圳新工廠更多細(xì)節(jié)曝光

從公告可以看到，待最終協(xié)議簽訂后，項(xiàng)目的新投資額估計(jì)為23.5億美元。各方的實(shí)際出資額將根據(jù)第三方專(zhuān)業(yè)公司對(duì)中芯深圳所作評(píng)估而定。預(yù)期于建議出資完成后， 中芯深圳將由本公司和深圳重投集團(tuán)分別擁有約55%和不超過(guò)23%的權(quán)益。中芯國(guó)際表示，公司和深圳政府將共同推動(dòng)其他第三方投資者完成余下出資。

受5G、高性能計(jì)算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、3C產(chǎn)品以及家用電器等領(lǐng)域的需求提升，國(guó)內(nèi)的12英寸晶圓代工產(chǎn)能處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，2019年產(chǎn)能缺口約為10.2萬(wàn)片/月，至2024年產(chǎn)能缺口還將進(jìn)一步擴(kuò)大。根據(jù)專(zhuān)業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2024年中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)12英寸流片需求可達(dá)到81.5萬(wàn)片/月，其中，28nm及以上線(xiàn)寬對(duì)應(yīng)流片需求量為69.6萬(wàn)片/月，12英寸晶圓代工市場(chǎng)需求旺盛。

本項(xiàng)目產(chǎn)品定位于12英寸28nm及以上線(xiàn)寬顯示驅(qū)動(dòng)芯片及電源管理芯片等，產(chǎn)業(yè)類(lèi)型、建設(shè)內(nèi)容、發(fā)展前景與深圳市坪山區(qū)的定位和規(guī)劃高度契合。項(xiàng)目新建大宗氣站與化學(xué)品倉(cāng)庫(kù)等設(shè)施，建成后可提供生產(chǎn)所使用的氮?dú)?、氧氣等大宗氣體以及酸堿等化學(xué)品，配套月投12英寸晶圓4萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，極大的補(bǔ)足深圳集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)，促進(jìn)深圳集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展。

17. 北方華創(chuàng)前三季凈利潤(rùn)大增102%，下游需求旺盛，研發(fā)投入“亮眼”

10月28日，北方華創(chuàng)發(fā)布了今年前三季度的業(yè)績(jī)報(bào)告，報(bào)告期內(nèi)，該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入61.7億元，同比增長(zhǎng)60.95%；同期歸屬于上市公司股東的扣非前和扣非后凈利潤(rùn)分別為6.58億元和5.25億元，同比分別增長(zhǎng)101.57%和200.95%。

其中在第三季度，該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入25.65億元，同比增長(zhǎng)54.65%。實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)3.48億元，同比增長(zhǎng)144.16%。實(shí)現(xiàn)基本每股收益0.7068元，同比增長(zhǎng)143.39%。

中國(guó)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)信息網(wǎng)財(cái)經(jīng)頻道注意到，2019年和2020年，北方華創(chuàng)的研發(fā)投入金額分別為11.4億元和16.1億元，同期研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入的比例分別為28.03%和26.56%，研發(fā)投入占比較高。

18. 年產(chǎn)40萬(wàn)片晶盛機(jī)電擬打造超30億元6英寸碳化硅襯底晶片項(xiàng)目

10月25日晚間，晶盛機(jī)電披露向特定對(duì)象發(fā)行股****預(yù)案。本次發(fā)行對(duì)象為不超過(guò)35名符合證監(jiān)會(huì)規(guī)定的特定投資者，募集資金總額不超過(guò)57億元。在扣除發(fā)行費(fèi)用后資金擬全部用于以下項(xiàng)目：31.34億元用于碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目；5.64億元用于12英寸集成電路大硅片設(shè)備測(cè)試實(shí)驗(yàn)線(xiàn)項(xiàng)目；4.32億元用于年產(chǎn)80臺(tái)套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項(xiàng)目；15.7億元用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。

19. 2020全球MOCVD及外延設(shè)備市占率  

20. 2020 to2026各類(lèi)外延技術(shù)設(shè)備CAGR預(yù)測(cè) 

21. 從研發(fā)投入看中國(guó)半導(dǎo)體

1）40家芯片設(shè)計(jì)類(lèi)公司平均研發(fā)投入比例為19%，其中博通研發(fā)投入比例逼近30%；

 2）設(shè)備方面，A應(yīng)用材料、ASML、泛林、東京電子等的研發(fā)投入比例在10%-16%之間；

 3）IDM公司多為存儲(chǔ)、功率及模擬類(lèi)公司，平均研發(fā)投入比例12%；其中模擬、功率類(lèi)公司研發(fā)強(qiáng)度相對(duì)較高，在15%上下，三星、海力士等存儲(chǔ)器廠在10%上下；

 4）代工領(lǐng)域，臺(tái)積電研發(fā)投入比例8%；

 5）封測(cè)和材料平均研發(fā)投入比例均接近4%。

中國(guó)大陸30家設(shè)計(jì)公司平均研發(fā)投入比例約11%，相較美國(guó)27%的平均水平有較大差距。研發(fā)差距主要來(lái)源于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、業(yè)務(wù)規(guī)模的差異。美國(guó)頭部設(shè)計(jì)公司主要聚焦先進(jìn)邏輯產(chǎn)品，且多為各自細(xì)分賽道絕對(duì)龍頭，如博通、英偉達(dá)研發(fā)投入比例達(dá)28%、24%；這也拉高了美國(guó)整體的研發(fā)投入水平。國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司大都處于早期階段，業(yè)務(wù)規(guī)模相對(duì)較小、且多為成熟制程產(chǎn)品，研發(fā)投入比例集中在10%-20%之間。代工：加速研發(fā)投入。臺(tái)積電、聯(lián)電研發(fā)投入比例在7%-8%之間，大陸中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體2020年研發(fā)投入比例分別為17%、11%，加速發(fā)力工藝研發(fā)。封測(cè)：國(guó)際領(lǐng)先水平。2020年度，長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技研發(fā)投入比例分別為4%、8%、6%，均已接近或超日月光、安靠3%-4%的水平，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

22. 中國(guó)實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)面臨多種挑戰(zhàn)

到2025年，單位國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值能耗比2020年下降13.5%；單位國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值二氧化碳排放比2020年下降18%；非化石能源消費(fèi)比重達(dá)到20%左右；森林覆蓋率達(dá)到24.1%，森林蓄積量達(dá)到180億立方米，為實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和奠定基礎(chǔ)。

到2030年，單位國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值能耗大幅下降；單位國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值二氧化碳排放比2005年下降65%以上；非化石能源消費(fèi)比重達(dá)到25%左右，風(fēng)電、太陽(yáng)能發(fā)電總裝機(jī)容量達(dá)到12億千瓦以上；森林覆蓋率達(dá)到25%左右，森林蓄積量達(dá)到190億立方米，二氧化碳排放量達(dá)到峰值并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)中有降。

23. 晶圓代工黑洞凸顯

IC Insights發(fā)布的統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球晶圓代工廠總銷(xiāo)售額將首次突破1000億美元大關(guān)，增至1072億美元，增長(zhǎng)23%，與2017年創(chuàng)下的創(chuàng)紀(jì)錄增長(zhǎng)率相媲美。到2025年將以11.6%的強(qiáng)勁年均增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，屆時(shí)代工廠總銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)將達(dá)到1512億美元。

24. 臺(tái)積電1.8nm工廠曝光2026年量產(chǎn)

護(hù)島神山出決勝新武器。臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓廠根留臺(tái)灣，其中2納米Fab 20超大型晶圓廠已選定建廠地點(diǎn)為新竹寶山，2納米之后的更先進(jìn)制程已進(jìn)入埃米（angstorm）時(shí)代，預(yù)期臺(tái)積電將推進(jìn)到18埃米（1.8納米），雖然尚未決定設(shè)廠地點(diǎn)，但據(jù)設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積電18埃米先進(jìn)制程晶圓廠可望落腳臺(tái)中，現(xiàn)在中科Fab 15廠旁的高爾夫球場(chǎng)已被納入考慮。

隨著半導(dǎo)體制程將于2024年進(jìn)入埃米時(shí)代，臺(tái)積電的建廠動(dòng)向受到業(yè)界及市場(chǎng)矚目，市場(chǎng)傳出臺(tái)積電下一座先進(jìn)制程晶圓廠可望落腳臺(tái)中，現(xiàn)在中科Fab 15廠旁的興農(nóng)高爾夫球場(chǎng)及軍方用地已納入考慮，臺(tái)積電若取得用地，將用于建置2奈米以下先進(jìn)制程的超大型晶圓廠區(qū)，并分為第一期到第四期建廠計(jì)劃，等于會(huì)在當(dāng)?shù)嘏d建4座12吋晶圓廠。

臺(tái)積電已確認(rèn)的先進(jìn)制程晶圓廠建廠計(jì)畫(huà)，包括南科Fab 18超大型晶圓廠（GigaFab）將建置P1～P4共4座5納米晶圓廠，P5～P8共4座3納米晶圓廠。其中P1～P3廠已進(jìn)入量產(chǎn)，P4～P6廠正在興建中，未來(lái)將再擴(kuò)建P7～P8廠。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠將擴(kuò)建P8廠為特殊制程生產(chǎn)基地。

臺(tái)積電Fab 20廠區(qū)將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構(gòu)，技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期。

臺(tái)積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構(gòu)，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電2納米之后的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，將推進(jìn)到1.8納米（18埃米），預(yù)計(jì)2026～2027年進(jìn)入量產(chǎn)。