美光預(yù)警：存儲芯片需求將下降

雖然季度收入創(chuàng)造歷史第二高的紀(jì)錄，但隨著PC需求的下滑及長短料影響，美光預(yù)警存儲芯片需求將在未來幾個(gè)月下滑。

凈利潤同比增長126%，NAND Flash收入創(chuàng)紀(jì)錄

在截止到2021年8月31日的2021年第四財(cái)季中，美光創(chuàng)造了歷史季度營收第二高的紀(jì)錄，達(dá)到83億美元，同比增長37%，環(huán)比增長11%；其中NAND Flash收入和嵌入式部門收入均創(chuàng)季度高點(diǎn)。營業(yè)利潤為31億美元，環(huán)比增長30%，同比增長136%；凈利潤為28億美元，環(huán)比增長28%，同比增長126%。

來源：美光

從各部門收入情況來看，

數(shù)據(jù)中心：由于IT支出的恢復(fù)以及云計(jì)算需求的驅(qū)動(dòng)，本財(cái)季的數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)環(huán)比和同比均增長。美光也將在今年晚些時(shí)候開始支持客戶轉(zhuǎn)入DDR5平臺。同時(shí)，美光在財(cái)報(bào)會(huì)議中也提到，在數(shù)據(jù)中心采購BOM中存儲芯片的占比由以前的30%，提高到現(xiàn)在的40%，未來將進(jìn)一步提高到50%。數(shù)據(jù)中心將引導(dǎo)未來存儲芯片的增長。

PC：預(yù)計(jì)2021年P(guān)C出貨量可達(dá)到雙位數(shù)成長，本季度PC DRAM和QLC SSD在PC上的應(yīng)用快速成長。

Mobile：本季度Mobile業(yè)務(wù)營收同比成長25%，尤其是MCP銷售額連續(xù)三個(gè)季度超過10億美元。美光預(yù)計(jì)今年全球5G手機(jī)將超過5億部，并消耗50%的高容量DRAM和較4G手機(jī)兩倍以上的NAND。美光表示，未來將第一個(gè)帶來LPDDR5X和uMCP5在智能手機(jī)上的應(yīng)用。

DRAM和NAND Flash量價(jià)齊升，但美光預(yù)警下個(gè)季度出貨量將減少

本財(cái)季DRAM收入為61億美元，環(huán)比增長12%，同比增長39%。DRAM Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數(shù)成長，ASP環(huán)比高個(gè)位數(shù)成長。2021年DRAM bit需求成長20%左右，2022年成長15%以上。

本財(cái)季NAND Flash收入20億美元，環(huán)比增長9%，同比增長29%。NAND Flash Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數(shù)成長，ASP環(huán)比增長5%。2021年NAND bit需求成長35%以上，2022年成長接近30%。

來源：美光，CFM閃存市場

雖然本財(cái)季中DRAM和NAND Flash量價(jià)齊升，但從終端需求來看，由于PC OEM客戶遭遇其他零部件的短缺，并進(jìn)而影響到對存儲芯片的采購，美光預(yù)警存儲芯片的出貨量將在短期內(nèi)從非常強(qiáng)勁水平溫和下降。當(dāng)然，除PC客戶遇到零部件短缺外，對美光來說目前服務(wù)器SSD主控也非常緊缺，同時(shí)還有模擬IC等，這些都會(huì)影響到產(chǎn)品的出貨。此外，美光本身的庫存還是處于非常低的水平，本財(cái)季庫存價(jià)值45億美元，庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為94天，低于正常95-105天的水平。

在下個(gè)季度里，美光預(yù)計(jì)收入74.5~78.5億美元，環(huán)比減少8%左右。不過，美光也預(yù)計(jì)客戶這種采購的調(diào)整將在未來幾個(gè)月內(nèi)得到基本解決。

來源：美光

雖然下季度收入會(huì)有一定程度的下滑，但并不改變美光對未來成長的樂觀預(yù)期。美光在2021財(cái)年資本支出為97億美元，預(yù)計(jì)在2022財(cái)年資本支出將增加到110至120億美元，按中位數(shù)計(jì)算資本支出將同比增長18.5%。其中大部分支出將用于176L NAND和引入EUV在DRAM的試驗(yàn)性生產(chǎn)中。

美光進(jìn)一步解釋到，因1a DRAM制程能帶來很高的產(chǎn)出，2022年DRAM生產(chǎn)設(shè)備支出將下降，2022年供應(yīng)增長主要由高產(chǎn)出節(jié)點(diǎn)例如1a DRAM和176L NAND在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中的提升帶來，而非增加wafer產(chǎn)出。從生產(chǎn)來看，2022年將主要增加NAND Flash的生產(chǎn)支出， DRAM的生產(chǎn)支出是相對減少的。同時(shí)研發(fā)費(fèi)用將較2021年增加15%。