新紫光集團報到，存儲+先進工藝

7月11日，紫光集團宣布正式更名為“新紫光集團”，并發(fā)布了四大創(chuàng)新技術(shù)方向，分別為多元異構(gòu)高效融合的新型智算集群系統(tǒng)解決方案、高端車規(guī)級芯片、6G與低軌道衛(wèi)星通信芯片、面向后摩爾時代的半導體技術(shù)新賽道。

據(jù)悉，新紫光集團此前主要聚焦集成電路和數(shù)字科技等領(lǐng)域，涉及芯片設計、生產(chǎn)、封裝、測試、設備等半導體產(chǎn)業(yè)鏈，以及ICT設備、云服務和數(shù)字化解決方案等領(lǐng)域，并將產(chǎn)業(yè)版圖精細地劃分為移動通訊、存儲、汽車電子與智能芯片、材料與器件、信息通信基礎(chǔ)設施、信創(chuàng)與云服務、高可靠芯片、金融及其他板塊。

隨著新品牌的發(fā)布，新紫光集團的業(yè)務板塊亦再次擴容。例如在新業(yè)務布局方面，新紫光集團已成立了紫光智行、紫光智算、紫光閃芯、新紫光半導體等新公司，分別面向汽車電子、人工智能、存儲、先進工藝等領(lǐng)域。

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存儲產(chǎn)業(yè)兩手抓兩手硬

在人工智能AI、5G、大數(shù)據(jù)、云計算等產(chǎn)業(yè)的驅(qū)動下，數(shù)據(jù)存儲需求激增，不僅促進了HBM存儲的需求，同時也讓基于閃存介質(zhì)的SSD全閃存陣列成為高性能存儲系統(tǒng)首選。為進一步強化存儲產(chǎn)業(yè)陣容，新紫光于今年正式成立了紫光閃芯科技（成都）有限公司（以下簡稱“紫光閃芯”）。

天眼查信息顯示，紫光閃芯成立于2024年2月，注冊資本1億元，由西藏紫光存儲信息技術(shù)有限公司100%持股。據(jù)官方介紹，紫光閃芯核心業(yè)務為SSD固態(tài)硬盤及閃存產(chǎn)品，產(chǎn)品系列包括企業(yè)級固態(tài)硬盤、消費級固態(tài)硬盤、移動閃存產(chǎn)品及嵌入式閃存等。

今年5月，成立僅3個月的紫光閃芯便正式發(fā)布了“紫光閃存”固態(tài)硬盤及閃存產(chǎn)品系列，涵蓋面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級固態(tài)硬盤、面向個人電腦市場的消費級固態(tài)硬盤、面向零售市場的移動閃存產(chǎn)品以及面向工業(yè)級市場的嵌入式eMMC、UFS產(chǎn)品等，主要滿足企業(yè)級、工業(yè)級及消費級市場的不同需求。

目前，新紫光集團在存儲領(lǐng)域的布局已經(jīng)涉及內(nèi)存和閃存業(yè)務，并且擁有紫光西部數(shù)據(jù)、紫光數(shù)據(jù)存儲和西安紫光國芯等企業(yè)，業(yè)務覆蓋DRAM存儲器、大數(shù)據(jù)存儲解決方案等領(lǐng)域。

其中，紫光西部數(shù)據(jù)于2016年由紫光股份和西部數(shù)據(jù)共同成立，分別持股51%和49%，在核心存儲技術(shù)、企業(yè)級存儲解決方案、以及大數(shù)據(jù)全產(chǎn)業(yè)鏈服務等領(lǐng)域形成關(guān)鍵戰(zhàn)略合作。紫光數(shù)據(jù)存儲則于2023年12月正式組建，是新紫光集團云服務和數(shù)字化解決方案領(lǐng)域存儲業(yè)務板塊的重要成員。

西安紫光國芯成立于2006年，目前其核心業(yè)務涵蓋標準存儲芯片，模組和系統(tǒng)產(chǎn)品，嵌入式DRAM和存儲控制芯片，以及專用集成電路設計開發(fā)服務，并形成了包括DRAM KGD、DRAM存儲芯片、SeDRAM和存儲控制芯片、模組和系統(tǒng)產(chǎn)品、以及設計開發(fā)服務在內(nèi)的多元化業(yè)務矩陣。今年7月1日，西安紫光國芯正式登陸新三板，開啟進入資本市場的新篇章。

存儲業(yè)務是新紫光集團八大核心業(yè)務板塊之一，未來，在紫光芯閃、西安紫光國芯等企業(yè)的合力發(fā)展下，新紫光集團在內(nèi)存和閃存領(lǐng)域的業(yè)務也有望進一步擴大。

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先進工藝技術(shù)加速突破

成都新紫光半導體科技有限公司（原名成都紫光半導體科技有限公司）成立于2022年10月，注冊資本2.5億元，不僅是新紫光集團獨立設置的全資子公司，也是新紫光集團在半導體技術(shù)研發(fā)的重要一環(huán)。

據(jù)官網(wǎng)資料顯示，新紫光半導體聚焦集成電路芯片設計領(lǐng)域，業(yè)務涵蓋智能安全芯片、半導體功率器件及超穩(wěn)晶體頻率器件等方面，主要瞄準集成電路先進制造技術(shù)以及各類特色工藝，面向商業(yè)應用開發(fā)各類工藝技術(shù)。

目前，新紫光半導體的核心技術(shù)涵蓋28nm、40nm以及55nm工藝。其中28納米低功耗工藝目標產(chǎn)品廣泛應用于智能手機、智能電視、機頂盒、車用電子、消費型電子、互聯(lián)網(wǎng)芯片等；40納米工藝引進浸潤式光刻機及應變硅技術(shù) ，相較于55納米工藝實現(xiàn)更高的整合度，效能增加幅度約20%，操作功耗減少約30%，目標產(chǎn)品廣泛應用于消費電子及無線通信等領(lǐng)域；55納米低功耗則采用業(yè)界標準的1.2V核心器件電壓以及輸入/輸出電壓為1.8V，2.5V和3.3V的組件，目標產(chǎn)品廣泛應用于車用電子，移動裝置與無線應用上。

據(jù)新紫光集團聯(lián)席總裁陳杰介紹，未來，新紫光集團將在多個硬科技領(lǐng)域進行布局。除了探索新型的“存算-算網(wǎng)”一體化架構(gòu)，打造滿足下一代智算中心的集群解決方案外，新紫光集團還將聚焦第二代III-V族化合物半導體、碳納米管、3D堆疊、異質(zhì)集成、Chiplet封裝等前沿研究，推動先進工藝加速突破。