(2021.9.13)半導(dǎo)體一周要聞－莫大康

半導(dǎo)體一周要聞

2021.9.6- 2021.9.10

1. 英特爾升級(jí)中國(guó)區(qū)組織架構(gòu)，任命王銳博士為中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)

英特爾公司今天宣布了中國(guó)區(qū)組織架構(gòu)的全新升級(jí)。王銳博士晉升為英特爾公司高級(jí)副總裁、出任英特爾中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)，全權(quán)領(lǐng)導(dǎo)英特爾中國(guó)區(qū)的所有業(yè)務(wù)和團(tuán)隊(duì)。

王銳博士是英特爾選拔的德才兼?zhèn)涞念I(lǐng)導(dǎo)人。她在英特爾累積了27年的工作履歷，擁有豐富的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗(yàn)，包括硬件、軟件、EDA、設(shè)計(jì)解決方案、銷售和市場(chǎng)營(yíng)銷等方方面面。同時(shí)，她曾在美國(guó)和中國(guó)等多個(gè)高級(jí)管理崗位任職，積累了充分的國(guó)際化管理經(jīng)驗(yàn)，領(lǐng)導(dǎo)過來自英國(guó)、印度、馬來西亞、以色列、美國(guó)和中國(guó)多地多元人才的國(guó)際化團(tuán)隊(duì)。此前，王銳博士在北京工作，擔(dān)任英特爾全球副總裁、市場(chǎng)營(yíng)銷集團(tuán)中國(guó)區(qū)總經(jīng)理。王銳博士擁有電子工程博士學(xué)位，以及電子工程和哲學(xué)的雙碩士學(xué)位。

2. 聯(lián)電20年翻身靠這個(gè)決定

聯(lián)電董事長(zhǎng)洪嘉聰8日獲頒臺(tái)灣地區(qū)清華大學(xué)授名譽(yù)工學(xué)博士，表彰這位杰出卻低調(diào)的企業(yè)家對(duì)臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)及社會(huì)的貢獻(xiàn)，以及聯(lián)電長(zhǎng)久對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)。聯(lián)電從去年下半年開始受到市場(chǎng)強(qiáng)勁需求推升，股價(jià)從長(zhǎng)年徘徊的1字頭，近期最高來到70元新臺(tái)幣關(guān)卡之上，在有效控制財(cái)務(wù)狀表現(xiàn)之下，毛利率甚至來到31.3%，這與洪嘉聰決定放棄過度先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)，穩(wěn)定在成熟制程發(fā)展有關(guān)。

聯(lián)電1980年于成立，早于現(xiàn)今的全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電，當(dāng)時(shí)聯(lián)電走垂直整合模式（IDM）。聯(lián)電則是在2000年采用IBM技術(shù)與其合作，臺(tái)積電在考慮過后選擇自行研發(fā)，并在2003年以自主研發(fā)制程推出0.13 微米「銅制程」，就此雙方在技術(shù)上出現(xiàn)決定性的差距。至于28nm制程，臺(tái)積電率先采用與英特爾相同的后閘極設(shè)計(jì)（Gate-last）架構(gòu)，超越聯(lián)電、三星、格芯等晶圓代工領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。進(jìn)入先進(jìn)制程之后，2017年臺(tái)積電、三星與格芯推出10nm制程，聯(lián)電于2018年放棄12nm以下制程研發(fā)，最終，格芯于2019年宣布放棄先進(jìn)制程研發(fā)，市場(chǎng)上僅剩臺(tái)積電、三星以及英特爾競(jìng)爭(zhēng)先進(jìn)制程。

聯(lián)電在做出放棄12nm以下先進(jìn)制程研發(fā)的決定，暫緩跟進(jìn)10、7nm制程消息，轉(zhuǎn)專注在特殊制程研發(fā)，并站穩(wěn)12nm以上制程，終于在2020年新冠疫情后的需求大幅回升迎來機(jī)會(huì)。大膽讓聯(lián)電放棄過度追求先進(jìn)制程，穩(wěn)定成熟制程發(fā)展，讓聯(lián)電在如今晶圓代工產(chǎn)能急需的狀況下能大啖商機(jī)。

3. 應(yīng)用材料公司新技術(shù)助力碳化硅芯片制造商加速導(dǎo)入200毫米晶圓

作為全球最佳電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)的核心器件，碳化硅芯片正向更大的200毫米晶圓轉(zhuǎn)型，通過加速產(chǎn)出以滿足全球日益增長(zhǎng)的需求?應(yīng)用材料公司全新的200毫米化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）系統(tǒng)能夠從晶圓上精確去除碳化硅材料，從而最大程度提升芯片性能、可靠性和良率?應(yīng)用材料公司全新的碳化硅芯片“熱注入”技術(shù)在注入離子的同時(shí)，能夠把對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的破壞降到最低，從而最大程度提升發(fā)電量和器件良率。

4. 投資170億美元，三星美國(guó)第二座晶圓廠或落地得州泰勒市

當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月8日，美國(guó)得州威廉森郡（WilliamsonCounty）行政法院、以及郡內(nèi)的泰勒市投****通過了三星電子前往當(dāng)?shù)卦O(shè)廠的特權(quán)方案。外界認(rèn)為，三星在美國(guó)的第二座晶圓廠很有可能落地泰勒市。

5. 三星臺(tái)積電3納米架構(gòu)大不同，誰具有市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

三星與臺(tái)積電在先進(jìn)制程的大戰(zhàn)，進(jìn)入3納米之后也變得更多元，主要在于兩家公司切入3納米的技術(shù)架構(gòu)大不同。三星押注環(huán)繞閘極（GAA）架構(gòu)，并宣稱其在GAA研發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電；臺(tái)積電則延續(xù)先前采用的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，最快2納米才評(píng)估導(dǎo)入GAA架構(gòu)。對(duì)于三星發(fā)展先進(jìn)制程態(tài)度積極，臺(tái)積電一向不回應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手動(dòng)態(tài)。業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電明年3納米量產(chǎn)計(jì)劃仍順利，且有信心更獲得客戶支持，也是在客戶的選擇之下，維持3納米FinFET架構(gòu)設(shè)計(jì)，非常具有優(yōu)勢(shì)。

6. 行業(yè)大咖認(rèn)為中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備資本支出數(shù)據(jù)奇怪，SEMI這么回答

昨天，SEMI發(fā)表了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告，其中，中國(guó)臺(tái)灣今年第2季半導(dǎo)體制造設(shè)備出貨金額50.4億美元，排名全球第三，中國(guó)大陸則以82.2億美元居冠。知名半導(dǎo)體分析師陸行之覺得「SEMI 公布的數(shù)據(jù)有點(diǎn)奇怪」。SEMI則是解釋， Intel、三星西安、SK Hynix、臺(tái)積電大陸廠的資本開支都算在中國(guó)大陸市場(chǎng)。陸行之強(qiáng)調(diào)，「難怪高的嚇?biāo)廊恕?，「剛才嚇了一跳，以為是大陸不知名的廠在大買半導(dǎo)體設(shè)備，可能是未來晶圓代工，內(nèi)存嚴(yán)重供過于求的前兆」。

7. SIA7月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)454億美元，創(chuàng)歷史單月最高紀(jì)錄！

國(guó)際電子商情9日訊 美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的數(shù)據(jù)顯示，今年7月，全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額達(dá)到454億美元，創(chuàng)下月度紀(jì)錄，同比增長(zhǎng)29%，環(huán)比增長(zhǎng)2.1%。SIA預(yù)計(jì)2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額將增長(zhǎng)25.1%，將達(dá)到5510億美元，其中存儲(chǔ)市場(chǎng)將增長(zhǎng)37.1%，模擬將增長(zhǎng)29.1%，邏輯將增長(zhǎng)26.2%。SIA還預(yù)估2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額將增長(zhǎng)10.1%至6060億美元，其中存儲(chǔ)市場(chǎng)的2位數(shù)增長(zhǎng)仍是主要推動(dòng)力。

8. Intel近十年資本支出

9. 英特爾CEO計(jì)劃十年內(nèi)斥資950億美元在歐洲建八家芯片廠

9月8日消息，據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，芯片巨頭英特爾首席執(zhí)行官帕特?蓋爾辛格（Pat Gelsinger）表示，該公司計(jì)劃斥資950億美元在歐洲新建八家芯片廠，以應(yīng)對(duì)全球芯片供應(yīng)緊張之際各國(guó)競(jìng)相增加產(chǎn)能的局面。

10. 2021年Q2全球十大封測(cè)廠商排名出爐

11. 英特爾CEO預(yù)測(cè)到2030年芯片將占高端汽車BOM的20%以上

英特爾CEO帕特?基辛格預(yù)測(cè)，到2030年，“萬物數(shù)字化”將推動(dòng)芯片在全新高端汽車物料清單（BOM）中的占比超過20%，這一數(shù)字將比2019年的4%增長(zhǎng)5倍之多。

到2030年前，汽車芯片的總體市場(chǎng)規(guī)模（TAM）增長(zhǎng)將超過一倍，達(dá)到1150億美元——約占整個(gè)芯片市場(chǎng)的11%。

12. 2020年中國(guó)人工智能產(chǎn)業(yè)

《中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展報(bào)告(2021)》顯示，2020年，我國(guó)人工智能產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到3031億元，同比增長(zhǎng)15%，略高于全球增速。我國(guó)通過人工智能強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略部署，大力推動(dòng)人工智能與5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域深度融合。截至目前，我國(guó)人工智能企業(yè)共計(jì)1454家，居全球第二位。

13. 2014 to 2024全球代工業(yè)銷售額包括IDM

17. 談?wù)凣aN功率器件未來5 to6年的發(fā)展趨勢(shì)

Yole Developpement今年發(fā)布的GaN Power 2021報(bào)告預(yù)期，到2026年GaN功率市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到11億美元。所以這兩年活躍于市場(chǎng)的GaN功率器件與更完整的解決方案層出不窮。其中比較具有代表性的是今年英飛凌發(fā)布的CoolGaN? IPS系列產(chǎn)品：也就是集成了driver和GaN HEMT晶體管的整合型產(chǎn)品。

Yole預(yù)期2026年的GaN功率市場(chǎng)規(guī)模為11億美元。我們找兩個(gè)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)的參考：Yole這個(gè)量級(jí)的數(shù)據(jù)預(yù)期和MarketsAndMarkets的數(shù)據(jù)略有差異。后者前兩年的報(bào)告預(yù)期2023年，GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模就能達(dá)到18.9億美元。還有一家做過此類市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)的，Allied Market Research數(shù)據(jù)提及2027年GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模到2027年預(yù)計(jì)是12.45億美元。