國產(chǎn)存儲芯片現(xiàn)狀如何？

美光科技在6月29日公布了第三季度的財報，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra指出：“展望2020下半年的市場趨勢，有三個關(guān)鍵點。首先，希望數(shù)據(jù)中心的前景廣闊；第二，希望智能手機(jī)和消費者終端設(shè)備的銷售情況繼續(xù)改善，從而加速整個供應(yīng)鏈中的庫存消耗；第三，希望新的游戲機(jī)推動更多的DRAM和NAND需求?！?/span>
最新的數(shù)據(jù)顯示，美光科技在DRAM的出貨量和NAND ASP（平均售價）增長方面超過了其競爭對手三星和SK Hynix。五年前，我國清華紫光擬收購美光科技以加強(qiáng)DRAM和NAND閃存實力，但最終并未成功，到目前為止，DRAM和NAND依然是我國缺少的關(guān)鍵半導(dǎo)體組件之一。我國半導(dǎo)體存儲芯片的現(xiàn)狀如何？與美光科技等存儲芯片巨頭的差距還有多遠(yuǎn)呢？

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國產(chǎn)芯片供需缺口較大

目前，中國OEM廠商生產(chǎn)電子設(shè)備所需的半導(dǎo)體設(shè)備需求與中國內(nèi)部制造供應(yīng)之間在存在著較大的缺口，盡管中國自主制造的芯片數(shù)量逐年上漲，但需求量也逐年升高，預(yù)計到2022年供應(yīng)量達(dá)到4千億，需求量達(dá)到7.5億，供需差距3.5億片。

盡管在2019年受到貿(mào)易限制的影響，但中國的半導(dǎo)體進(jìn)口量增速不減，2020年新冠疫情下，中國半導(dǎo)體進(jìn)口量的增長速度甚至更快。

 在這樣的情況下，過去九個季度里中國的兩家制造存儲芯片公司，生產(chǎn)3D NAND的長江存儲技術(shù)（YMIC）和生產(chǎn)DRAM的長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）分別購買了30億美元的生產(chǎn)設(shè)備。

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國內(nèi)存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀

長江存儲長江存儲在武漢的第一個工廠是一座單層建筑，每月產(chǎn)能為12萬片晶圓。利用其全資子公司武漢新芯（XMC）現(xiàn)有的12英寸工廠，長江存儲于2017年成功設(shè)計并制造了首款32層NAND閃存芯片。2019年9月2日，長江存儲宣布64層 NAND閃存芯片已投入生產(chǎn)，基于Xtacking架構(gòu)的256Gb TLC 3D NAND閃存已投入量產(chǎn) 。2020年4月13日，長江存儲宣布通過與多個控制器合作伙伴的合作，其128層1.33Tb QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070通過了SSD平臺上的示例驗證。據(jù)悉，長江存儲的母公司清華紫光集團(tuán)計劃在武漢的第一家晶圓廠旁建造第二家晶圓廠，原定于2020底開始，但目前進(jìn)度已經(jīng)加快了。盡管清華紫光集團(tuán)沒有透露該工廠的年產(chǎn)能以及投資金額，但該公司正在考慮在十年內(nèi)對其DRAM業(yè)務(wù)進(jìn)行總計8000億元人民幣的投資。重慶清華紫光清華紫光集團(tuán)于8月27日宣布，已與重慶市政府簽署協(xié)議，成立研發(fā)中心和DRAM晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計于2022年完工，每月生產(chǎn)10萬片晶圓。該晶圓廠最初計劃于去年開始建設(shè)，但因為貿(mào)易限制以及新冠疫情而推遲了。兆易創(chuàng)新兆易創(chuàng)新于2020年4月宣布，計劃通過非公開發(fā)行新股籌集43.2億元人民幣，為進(jìn)軍DRAM存儲市場提供資金。除了自己的DRAM計劃，兆易創(chuàng)新還將投資長鑫存儲。

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長江存儲128層NAND即將投入

生產(chǎn)，僅落后美光兩個季度

2018年，長江存儲的32層NAND落后世界領(lǐng)先的NAND制造商三代，但隨著長江存儲路線圖的加速，在2020年宣布推出了128層NAND，計劃于2020年第四季度投入生產(chǎn)，這意味著長江存儲的新NAND將僅僅落后美光和SK Hynix兩個季度，與Kioxia/Western Digital（WDC）112層NAND不相上下。值得一提的是，長江存儲的第二個NAND晶圓廠的建設(shè)計劃將提前。長江存儲的NAND器件使用的是DUV浸沒式光刻技術(shù)制造，即便是沒有ASML的EUV，也能夠生產(chǎn)3D NAND芯片。因此，我們在追趕美光的過程中，并沒有太多設(shè)備上的障礙，這場存儲芯片追擊戰(zhàn)，有信心取得勝利。

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小結(jié)