ultra c sic 文章最新資訊

超過(guò)20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓

　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過(guò)20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個(gè)數(shù)kV的GTO來(lái)確保耐壓的。如果使用耐壓超過(guò)20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
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羅姆清華探索校企合作新模式

??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國(guó)際產(chǎn)學(xué)連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開(kāi)，來(lái)自清華的教授跟與會(huì)者分享了與羅姆合作以來(lái)在某些領(lǐng)域取得的成果以及一些教學(xué)科研經(jīng)驗(yàn)。會(huì)后，羅姆株式會(huì)社常務(wù)董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學(xué)研方面的相關(guān)合作。以“羅姆”命名清華樓，并無(wú)排他性 ?????
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
關(guān)鍵字：氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
關(guān)鍵字： SiC 功率元件 GaN 導(dǎo)通電阻

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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世界首家“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。
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用SiC撬動(dòng)新能源、汽車(chē)電子新興市場(chǎng)

由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來(lái)，并積極投身其中，在08年收購(gòu)生產(chǎn)SiC晶圓的德國(guó)SiCrystal公司之后，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
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瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
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科銳推出芯片型碳化硅功率器件

碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。
關(guān)鍵字：科銳 SiC MOSFET

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē))和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類(lèi)型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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研華推出新型COM-Ultra模塊

作為全球嵌入式計(jì)算平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠商、并提供跨越多個(gè)垂直市場(chǎng)的嵌入式平臺(tái)解決方案的研華公司，今日推出了一款基于Intel N455處理器的COM-Ultra模塊--SOM-7562 B1。這款采用Intel N455處理器的新型B1版本模塊作為升級(jí)產(chǎn)品，內(nèi)存技術(shù)由DDR2更新至DDR3，且具備更寬的溫度范圍(-40 ~ 85° C)，而其功耗僅為5 V的可選版本更是具備非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
關(guān)鍵字：研華 COM-Ultra SOM-7562 B1

羅姆半導(dǎo)體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動(dòng)力

據(jù)羅姆中國(guó)營(yíng)業(yè)本部村井美裕介紹，面對(duì)未來(lái)的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
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富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

　　富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。　　
關(guān)鍵字：富士電機(jī) SiC