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super junction mosfet 文章 進入super junction mosfet技術社區(qū)

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

  • 　　摘要　　本文評測了主開關采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大?！　∏把浴　∈袌鰧﹂_關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
  • 關鍵字： MOSFET  SiC  

什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？

  • 什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
  • 關鍵字： 整流器  mosfet  二極管  

用GaN重新考慮功率密度

  • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
  • 關鍵字： mosfet  氮化鎵  pfc  

一篇文章讀懂超級結MOSFET的優(yōu)勢

  • 　　平面式高壓MOSFET的結構 　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和： 　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 　　 　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
  • 關鍵字： MOSFET  超級結  

智能電網(wǎng)端口保護：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

  • 　　今天，做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應用的端口保護設計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術，去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”，是怎么玩兒的?！　∧切┟餍窃　∠葋砑殧?shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
  • 關鍵字： 智能電網(wǎng)  MOSFET  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰脼閷虻亩搪纺褪苣芰Φ??？膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
  • 關鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

  • 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設計工程師，如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
  • 關鍵字： 電源模塊性能  PCB布局技術  MOSFET  

三極管和MOS管做開關用時的區(qū)別

  • 實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
  • 關鍵字： 三極管  MOSFET  

功率MOSFET的結構,工作原理及應用

  • “MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
  • 關鍵字： 功率MOSFET  MOSFET  

電源設計小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在本設計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分立驅(qū)動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
  • 關鍵字： 分立器件  MOSFET  同步整流器  電源設計小貼士  

電源設計小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

  • 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
  • 關鍵字： 德州儀器  分立器件  MOSFET  電源設計小貼士  

MOSFET安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在

  • 即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
  • 關鍵字： 安全工作區(qū)  MOSFET  LTC4233  熱插拔  熱插拔控制器  

電源設計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

電源設計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

  • 在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡的各種電壓代表各個溫度。
  • 關鍵字： 熱插拔  MOSFET  網(wǎng)絡  
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