- 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解,希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解,切記一點:能量不會無緣無故的產生,所以,三極管一定不
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MOSFET 電源
- 在電子電路設計中,散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環(huán)境下,空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
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大功率電 MOSFET 功率耗散
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅動電路中得到了廣泛的應用,此前我們曾經為大家總結了幾種MOSFET在驅動電路中的常見應用方式,在今天的文章中
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MOSFET 驅動電路 電源
- 功率開關器件MOSFET在驅動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關電源產品中,利用MOSFET完成驅動電路的設計不僅省時省力,還具有
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MOSFET 驅動電路 設計
- 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設計中都得到了廣泛的應用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán),需要研
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MOSFET 同步整流 DC-DC
- 由于不間斷電源的興起,IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅動進行輔助
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MOSFET IGBT 隔離驅動
- 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
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MOSFET 帶電插拔 緩啟動 開關損耗
- 1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies,S
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MOSFET 筆記本電源 降壓變換器
- 在傳統(tǒng)應用領域,功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉變,實現家電工業(yè)轉型升級,優(yōu)化產業(yè)結構。而隨著物聯(lián)網、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產業(yè)的高速發(fā)展,新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
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功率半導體 MOSFET
- 在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- MOSFET漲價已經很長一段時間,從今年年初至今,其漲價幅度已經達到了5%-10%,相對另外一種被動元器件MLCC,MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內。簡而言之,今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài),包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產能。 由于去年下半年以來,汽車電子、物聯(lián)網、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求,導致電腦以及智能手機等3C電子產品用MOSFET供貨嚴重不足,價格已經從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據市場表示,今年上半年MOSFET
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中興 ODM OEM MOSFET
- 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分,其能夠幫助實現各種各樣的功能,包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
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MOSFET DC/DC轉換 SQJQ480E
- IGBT基礎與運用 IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內?! ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示: IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態(tài)特性(開關特性)?! 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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IGBT,MOSFET
- 隨著電子產品功能愈來愈多元,對于低功耗的要求也愈來愈高, MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件,而在目前市面上產能不足,客戶龐大需求下,電子產品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布,正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」,目前已有20多家海內外廠商,包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底,前來宜特進行工程試樣,并于第二季初開始進行小量產,并在下半年正式量產?! ∫颂囟麻L 余維斌指出,在車用可靠度驗證分析本業(yè)上,已做到亞洲龍頭,然而在服務客戶的同時,發(fā)現了此
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MOSFET 晶圓
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