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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 宜特

宜特獲USB-IF授權 成為USB PD認證測試實驗室

  • 宜特宣布，正式取得 USB-IF 協(xié)會的授權，成為 USB Power Delivery（PD）認證測試實驗室， 將可協(xié)助客戶驗證產品是否能夠正確的傳輸和接收電力，確保產品符合USB-IF 最新的Power Delivery 3.1技術標準和規(guī)范，并核發(fā)Logo標章。歐盟預計於 2024 年底宣布，針對包括手機、平板、手提電腦、數(shù)位相機、耳機及耳機充電盒、手持游戲機、可攜式揚聲器、電子閱讀器、鍵盤、滑鼠、可攜式導航設備以及可穿戴裝置在內的13類電子產品，規(guī)定必須采用 USB Type-C 作為統(tǒng)一充電接囗
  • 關鍵字： USB  PD  宜特  

宜特登上車電最高殿堂，獲認可為AEC亞洲唯一實驗室

  • 電子產品驗證服務龍頭——iST宜特科技今宣布，經過層層審核，全球汽車電子最高殿堂-汽車電子協(xié)會(Automotive Electronics Council，簡稱AEC)于近期正式認可宜特成為AEC協(xié)會會員，是亞洲唯一獲認可實驗室。全球會員只有93家公司，臺灣地區(qū)僅9家成為協(xié)會一員，其中包括晶圓代工大廠臺積電(TSMC)；臺達電(Delta)等。 圖說:宜特科技非常榮幸于今年成為AEC協(xié)會成員，是亞洲唯一第三方公正驗證分析實驗室。AEC是于1990年由克萊思勒、福特汽車、通用汽車組成的組織，目的
  • 關鍵字： 宜特  AEC  實驗室  

宜特晶圓減薄能力達1.5mil

  • 隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動車蓬勃發(fā)展，對于低功耗要求越來越高，功率半導體成為這些產業(yè)勢不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過客戶肯定，成功開發(fā)晶圓減薄達1.5mil(38um)技術，技術門坎大突破。同時，為更專注服務國際客戶，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。 使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析宜
  • 關鍵字： 宜特  晶圓減薄  

宜特晶背FIB電路修補能力突破7奈米工藝

  • 　　隨半導體產業(yè)朝更先進工藝 發(fā)展之際，宜特電路修補技術(IC Circuit Edit)檢測技術再突破!宜特今(3/15)宣布，宜特通過先進工藝 客戶肯定，IC芯片背面(Backside，簡稱晶背)FIB電路修補技術達7奈米(nm)工藝 。　　宜特針對IC設計業(yè)者為何須進行電路修補進行說明。由于即使電路仿真軟件不斷地提升演進，仍難以100%來確保芯片的設計及布局正確性，一旦發(fā)現(xiàn)電路瑕疵只能再次進行光罩改版;然而光罩價格不斐，且重新下光罩后，等待修補過后的芯片時間通常超過一個月。因此，多數(shù)IC設計業(yè)者
  • 關鍵字： 宜特  晶背電路  

宜特FSM化學鍍服務本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

  • 　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進行量產，在線生產良率連續(xù)兩月高于99.5%?！　⊥瑫r為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
  • 關鍵字： 宜特  MOSFET  
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