super junction mosfet 文章 進入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)
安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅(qū)動器獲ASPENCORE全球電子成就獎(WEAA)的功率半導體/驅(qū)動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻的企業(yè)和個人,由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎者。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎項,同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
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2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布
- 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下,第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度,有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱,引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?!皠?chuàng)新為基,創(chuàng)芯為本”,11月27日,2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?;景雽w總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善,產(chǎn)品競爭力再度提升,將助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展,受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車級全碳化硅功
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東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備,現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT/MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設(shè)計小型
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非常見問題第191期:負載點DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問題
- 問題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源?答案:效率和精度是兩大優(yōu)勢,但實現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應的最佳方法之一。負載點轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器,放置在盡可能靠近負載的位置,以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如,在汽車應用中,高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增,導致需要更快的數(shù)
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Diodes Incorporated 目標電動汽車產(chǎn)品應用推出高電流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝,能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作,另外,80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應用的最佳選擇,像是能量熱回
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意法半導體端口保護IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制
- 意法半導體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護 IC為雙角色輸電(DRP)應用量身定制,針對能給相連設(shè)備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品,可以簡化其設(shè)計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片,TCPP03-M20讓設(shè)計者以經(jīng)濟劃算的方式進行USB Type-C 接口硬件分區(qū),實現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案,從而節(jié)省
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SRII重磅亮相CICD 2021,以先進ALD技術(shù)賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)
- 功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應用場景。例如,傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過,隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應用的興起,擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角,獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。如今,在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下,老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導體,SiC和GaN功率器件開始投入批量應用,并迎來了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
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提高遲滯,實現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過壓閉鎖
- 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平,且低壓電路不會出現(xiàn)過載或損壞。在功率路徑控制電路中,電阻分壓器有助于設(shè)置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作,避免導致系統(tǒng)故障。例如,當電源電壓低于規(guī)格要求時,數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定,甚至死機。當電源為可充電電池時,欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
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基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板,讓設(shè)計師實現(xiàn)用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器
- EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器,可提供2 kW的功率和實現(xiàn)96.5%的效率,是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9163,這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉(zhuǎn)換器演示板,可在非常小的占板面積上實現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設(shè)計具有可擴展性 - 并聯(lián)兩個轉(zhuǎn)換器可以實現(xiàn)4 kW的功率,或者并聯(lián)三個轉(zhuǎn)換器以實現(xiàn)6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET(EPC2218),并由模塊控制,該模塊采用Mic
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添加靈活的限流功能
- 問題:我可以根據(jù)負載輕松而精確地進行限流嗎?答案:可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中,需要精確地限制電流。無論是要保護電源(例如,中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能),還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載,都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時,我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見??烧{(diào)限流功能在采用外部電源開關(guān)的控制器設(shè)計中更加常見,而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且,可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
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使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開關(guān)效率和可靠性
- 在越來越多的應用中,對導通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進行優(yōu)化是一個重要考慮因素,這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開關(guān)和插頭、調(diào)光器和人體感應傳感器,特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設(shè)計。當AC電源異步導通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時,效率和可靠性會受到不利影響,必須添加電路以保護開關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當AC電源異步導通時,浪涌電流可能超過100A。反復暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負面影響。電觸點的預期壽命因浪涌電流需求
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在單個封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案
- 源設(shè)計者如今面臨兩個主要問題:消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導致傳輸設(shè)備過熱,并帶來后續(xù)必須解決的干擾難題;這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線路上的負載不是純電阻性的,輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移,從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負載使輸入電流波形失真,則會引起電流諧波,從而進一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問題,需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路,整流管將交流電壓
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利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
- 目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組,它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations,包含內(nèi)部集成PowiGaN?開關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
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如何選擇合適的電路保護
- 問題:有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲?答案:可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業(yè)的制造商都在不斷推動提升高端性能,同時試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設(shè)計人員面臨著平衡設(shè)計復雜性、可靠性和成本這一困難任務。以一個電子保護子系統(tǒng)為例,受其特性限制,無法進行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護敏感且成本高昂的下游電子器件(FPGA、ASIC和微處理器),這些器件都要求保證零故障。許多傳統(tǒng)的可靠保護解決方案(例如二極管、保險絲和TVS器件)能夠保持待保護狀態(tài),但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
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super junction mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對super junction mosfet的理解,并與今后在此搜索super junction mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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