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super junction mosfet 文章 進入super junction mosfet技術社區(qū)

上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案

  • 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
  • 關鍵字： 上海貝嶺  驅動IC  MOSFET  

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

  • SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
  • 關鍵字： 羅姆半導體，MOSFET  

東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。  新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  

Nexperia發(fā)布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
  • 關鍵字： Nexperia  晶圓級  MOSFET  

單片驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術如何改善電源系統(tǒng)設計

  • 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉換效率
  • 關鍵字： ADI  MOSFET  電源系統(tǒng)設計  

Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術，這為產(chǎn)品設計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

NXP K32W061 ZigBee Super Dongle 方案

  • 隨著時代的進步,傳統(tǒng)的人工近距離控制、檢測和采樣的方式,已經(jīng)無法滿足時代的需求,而物聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)成為未來發(fā)展的趨勢,智能化、自動化在未來將為管理和生活帶來更多的便利性.在物聯(lián)網(wǎng)IoT盛行的當前,無線通信技術將起著關鍵的作用,它將可以解決遠程控制、遠程監(jiān)測和采集的問題.其中 ZigBee 技術將承擔不可替代的角色,其應用前景令人關注.應運市場發(fā)展需求一款基于NXP K32W061 ZigBee Super Dongle 方案應運而生。該方案采用超低功耗高性能 Arm?Cortex?-M4 無線微控制器，片上 F
  • 關鍵字： NXP  K32W061  ZigBee  Super Dongle  

豪威集團發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

  • 電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機鋰電池保護設計近幾年，手機快充技術飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
  • 關鍵字： 豪威集團  MOSFET  

分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究

  • 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當?shù)臇艠O電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅動電路。為此，本文介紹了
  • 關鍵字： 英飛凌   MOSFET  

具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

  • 過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化，現(xiàn)在，全新推出的CoolSiC? MO
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

  • 隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
  • 關鍵字： 富昌電子  SiC  MOSFET  

東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動IC，助力移動電子設備小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過電壓鎖定功能，能根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
  • 關鍵字： MOSFET  柵極驅動  

當SiC MOSFET遇上2L-SRC

  • 導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應用痛點氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是常見的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  2L-SRC  

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

  • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區(qū)別是它
  • 關鍵字： Tektronix  SiC  MOSFET  

耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
  • 關鍵字： 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  
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