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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
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【供應(yīng)商亮點(diǎn)】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型

  • Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）解決方案的美國(guó)企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動(dòng)運(yùn)動(dòng)型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號(hào)，是因?yàn)樗軌蛟谳^寬
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MRAM，新興的黑馬

  • 1956 年，IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺(tái)冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲(chǔ)時(shí)代的開始。此后，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行過程中對(duì)數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲(chǔ)設(shè)備之一。存儲(chǔ)技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來新型存儲(chǔ)技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
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生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒

  • 最新一代人工智能或?qū)㈤_啟新一輪科技革命，全面提升各種人機(jī)交互體驗(yàn)。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來深刻變化?；谌斯ぶ悄艿奈谋竞蛨D像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語音轉(zhuǎn)文字（STT）和自然語言處理（NLP）等音頻應(yīng)用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語言模型的生成式人工智能？還是說硬件依然功不可沒？就拿高信噪比（SNR）微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)來說，它為實(shí)現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|(zhì)人機(jī)交互
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臺(tái)積電新型存儲(chǔ)技術(shù)問世，功耗僅為同類技術(shù)的1%

  • 臺(tái)積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢(shì)，正在積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵

  • M 是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過磁致電阻的變化來表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì) MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
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迷人的新型存儲(chǔ)

  • 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程?，F(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng)，芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強(qiáng)?！沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
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尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

  • 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì)議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國(guó)際電子器件會(huì)議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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工業(yè)儲(chǔ)存技術(shù)再進(jìn)化 完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身

  • 近年來，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲(chǔ)存技術(shù)早已成為工控設(shè)備的主流配備。近年來，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運(yùn)算需求，
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一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)熱情

  • 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟 新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識(shí)，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開發(fā)并開拓出更多新型市場(chǎng)應(yīng)用。本冊(cè)電子書匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
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MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
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MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

  • 　　據(jù)報(bào)道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)?！　∪?月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。　　這種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
  • 關(guān)鍵字： MRAM  三星  

英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

  • 　　在第 64 屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)?！　RAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))，是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入?！　∮⑻貭栐硎酒淝度胧?MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
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聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品

  • 　　聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司?！　÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應(yīng)用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費(fèi)型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場(chǎng)的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)華電子  MRAM  28納米  
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