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MRAM的黃金時(shí)代即將來(lái)臨？

  • 　　MRAM市場(chǎng)可能會(huì)在明年開(kāi)始變得越來(lái)越“擁擠”──開(kāi)發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國(guó)業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標(biāo)是在明年第一季開(kāi)始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。 　　STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hobe
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三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開(kāi)MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 　　韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲(chǔ)器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫(xiě)入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過(guò)少量電力就可以驅(qū)動(dòng)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不使用時(shí)也完全不需要電力。
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問(wèn)世

  • 　　SamsungFoundry準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 　　SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用

  • 　　據(jù)海外媒體報(bào)道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 　　韓媒 BusinessKorea 11 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

  • 　　在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競(jìng)賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 　　比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門(mén)總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問(wèn)題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 　　28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長(zhǎng)的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開(kāi)發(fā)成功超高速小電流MRAM

  • 　　日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開(kāi)發(fā)成功了可超高速動(dòng)作的新型磁存儲(chǔ)器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實(shí)際驗(yàn)證了動(dòng)作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實(shí)現(xiàn)的小電流動(dòng)作和高速動(dòng)作。 　　 ? 　　三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開(kāi)發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點(diǎn)擊放大) 　　PC及智能手機(jī)使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，因構(gòu)成元件的微細(xì)化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  • 　　記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過(guò)磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開(kāi)發(fā)這種“萬(wàn)能”記憶體(可取代各種記憶體)的問(wèn)題 　　遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛(ài)因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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替代閃存的存儲(chǔ)新技術(shù)有哪些？

  • 不同存儲(chǔ)器都有其各自的優(yōu)勢(shì)和缺點(diǎn)，由消費(fèi)類產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)器市場(chǎng)在呼喚性能更優(yōu)存儲(chǔ)器技術(shù)，當(dāng)然也要價(jià)格便宜。
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DRAM微縮到頂！新存儲(chǔ)器MRAM、ReRAM等接班？

  • 　　DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認(rèn)為次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身，要以更快的存取速度橫掃市場(chǎng)。 　　   　　韓媒BusinessKorea 16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無(wú)法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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SK海力士與東芝訴訟和解　提升未來(lái)技術(shù)發(fā)展力

  • 　　東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開(kāi)發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷對(duì)SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭(zhēng)取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長(zhǎng)時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開(kāi)始共同開(kāi)發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。 　　MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。 　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲(chǔ)技術(shù)的原型。
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分析師預(yù)測(cè)2019年MRAM市場(chǎng)可達(dá)21億美元

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報(bào)告預(yù)測(cè)，磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來(lái)因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 　　CoughlinAssociates的報(bào)告指出，因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長(zhǎng)至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長(zhǎng)率(CAGR)估計(jì)為50%。
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非易失性存儲(chǔ)器FeRAM、MRAM和OUM

  • 本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯?chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。 當(dāng)前應(yīng)用于存儲(chǔ)
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NVE對(duì)Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟

  • 　　專門(mén)授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開(kāi)發(fā)商N(yùn)VR公司表示，該公司已于美國(guó)聯(lián)邦法院對(duì) MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 　　NVE公司指出，在美國(guó)明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對(duì)其侵權(quán)行為造成的NVE財(cái)務(wù)損失進(jìn)行
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