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FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

- FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲器,具有ROM存儲器的特點(diǎn),存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失,而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點(diǎn)。NAND FLASH 存儲器將數(shù)據(jù)線與地址線復(fù)用為8條線
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張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個(gè)雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個(gè)春天。 11月11日,臺灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán),且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺灣
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JTAG模式下的MPC5554外部FLASH編程的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

- 0 引 言
隨著信息技術(shù)的發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)越來越廣泛地應(yīng)用于手機(jī)通信、汽車、航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在這些電子產(chǎn)品中,大多以嵌人式微處理器為核心,配套相關(guān)的外圍輔助設(shè)備,對控制對象進(jìn)行軟硬件的功能 - 關(guān)鍵字: 編程 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) FLASH 外部 模式 MPC5554 JTAG
消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報(bào)道,近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠,而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理,張汝京等于找到了新舞臺。 臺灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱,成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面,但王寧國未有正面回應(yīng),目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上,成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京,兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 據(jù)報(bào)道,中芯在張汝京時(shí)代,曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議,成都市政府出資成立成
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TI 8 通道高壓雙極 DAC 系列滿足低功耗應(yīng)用需求

- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款最新數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC),其可提供 12、14 以及 16 位版本,并采用 SPI 或并行接口。8 通道 DAC87x8 系列在正常模式下的標(biāo)準(zhǔn)功耗為每通道 14.8 mW,而在斷電模式下單位通道功耗則低至不足 170 uW。內(nèi)部 4x 或 6x 可編程增益能夠在整個(gè) 8 通道上實(shí)現(xiàn)雙極 ±16 V 或單極 0 V 至 33 V 電壓輸出范圍,從而無需外部放大器。與同類競爭器件相比,其不但可節(jié)省成本,而且還可將板級空間銳降約 24%,可充分滿足
- 關(guān)鍵字: TI DAC SPI
NAND成本優(yōu)勢明顯,NOR成明日黃花

- 市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢“長壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
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