延長Flash存儲囂使用壽命的研究

引 言
隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、MP3音樂播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用，Flash存儲器已經(jīng)逐步取代其他半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)據(jù)和程序載體。Flash存儲器又稱閃存，是一種可在線多次擦除的非易失性存儲器NVM(Non-Volatile Memo-ry)，即掉電后數(shù)據(jù)不會丟失。Flash存儲器還具有體積小、功耗低、抗振性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是嵌入式系統(tǒng)的首選存儲設(shè)備。
世面上常用的Flash存儲設(shè)備有兩種：NOR Flash和NAND Flash。根據(jù)存儲容量，NOR一般為1～16 MB，而NAND為8～512 MB，現(xiàn)在的大容量NAND已經(jīng)可以達(dá)到4 GB；讀取速度NOR較NAND快，寫入速度NOR比NAND慢一些；擦除速度NOR需要2～5 s，而NAND僅僅需要2～5 ms；NAND的價(jià)格比NOR低很多。由于種種原因，較常用的是NAND Flash。但是由于NANDFlash的工藝不能保證NAND的存儲陣列(memory ar-ray)在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生產(chǎn)中及使用過程中會產(chǎn)生壞塊。其表現(xiàn)是：當(dāng)編程／擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，這會造成頁編程(page program)和塊擦除(block erase)操作時(shí)的錯(cuò)誤；相應(yīng)地，反映到狀態(tài)寄存器(status register)的相應(yīng)位。
總體上，壞塊可以分為兩大類：第一類為固有壞塊，這是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的壞塊，一般芯片原廠都會在出廠時(shí)將壞塊第一個(gè)頁的擴(kuò)展區(qū)域(Spare Area)的第6個(gè)字節(jié)標(biāo)記為不等于0xff的值；第二類為使用壞塊，這是在NANDFlash使用過程中，如果塊擦除或者頁編程錯(cuò)誤，就可以簡單地將這個(gè)塊作為壞塊來處理，這個(gè)時(shí)候需要把壞塊標(biāo)記起來。為了和固有壞塊信息保持一致，將新發(fā)現(xiàn)壞塊的第一個(gè)頁的擴(kuò)展區(qū)域的第6個(gè)字節(jié)標(biāo)記為非0xff的值。由于Flash寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候是先擦除塊，這樣這個(gè)塊里面的數(shù)據(jù)將全部變成0xff，寫入1時(shí)，該位不變；寫入0時(shí)，該位由1變?yōu)?。如果將擴(kuò)展區(qū)域的第6個(gè)字節(jié)標(biāo)記為非0xff之后，將不可能再恢復(fù)為0xff，除非格式化有可能恢復(fù)。
我們已經(jīng)了解到，壞了的塊是無法擦除和寫人數(shù)據(jù)的，而在嵌入式系統(tǒng)中，啟動(dòng)的第一步就是將Flash里面的前4KB數(shù)據(jù)自動(dòng)復(fù)制到SRAM里面去運(yùn)行。如果僅僅Flash的第一塊壞了，而導(dǎo)致引導(dǎo)程序無法下載進(jìn)去，那么這個(gè)塊不是不能讀取數(shù)據(jù)，而是讀不出我們想再要放入的數(shù)據(jù)，這樣這個(gè)Flash設(shè)備就報(bào)廢了。本文就這個(gè)問題作了深入的討論，用一種基于Flash的地址重映射的方法解決這個(gè)問題。本文采用三星(Samscrag)公司的S3C2440 ARM處理器和NAND Flash存儲設(shè)備K9F1208UOM討論地址重映射的思想。

1 S3C2440使用NAND Flash引導(dǎo)系統(tǒng)的方法
自動(dòng)啟動(dòng)模式順序：
①復(fù)位完成；
②當(dāng)設(shè)置為自動(dòng)啟動(dòng)模式，NAND Flash的開始4 KB被拷貝到Steppingstone的4 KB內(nèi)部緩沖器；
③Steppingstone映射到nGCS0；
④CPU開始在Steppingstone執(zhí)行啟動(dòng)代碼程序。
由系統(tǒng)引導(dǎo)順序看出，如果Flash的第一塊壞了，那么讀出的數(shù)據(jù)不一定是引導(dǎo)程序，這樣，系統(tǒng)將無法啟動(dòng)。而在這種情況下，就只能換一塊完好的Flash了，這樣就造成了很大的浪費(fèi)。

2 Flash存儲器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
K9F1208UOM型Flash芯片內(nèi)部存儲器結(jié)構(gòu)如圖1所示。

典型的NAND Flash由4 096塊組成，每一個(gè)塊包含32頁，而每頁是512+16=528字節(jié)。對于一個(gè)頁，0～511字節(jié)為主存儲區(qū)，即通常所說的用戶可設(shè)定地址區(qū)，用來存儲數(shù)據(jù)；512～527共16字節(jié)為擴(kuò)展存儲區(qū)，用來存儲頁的信息。擴(kuò)展區(qū)的16字節(jié)用于描述主存儲區(qū)的512字節(jié)。而對于壞塊，也僅僅是將這16字節(jié)的第6字節(jié)設(shè)置為不等于0xff，來標(biāo)示壞塊。
在NANDFlash使用過程中可能會出現(xiàn)這樣的問題：產(chǎn)生壞塊或壞頁、由此引發(fā)的數(shù)據(jù)丟失、對一些扇區(qū)或塊的過分磨損導(dǎo)致NANDFlash壽命縮短等。為了能更好地使用NAND Flash，在其損壞時(shí)使損失最小化，需要一種方法，使用相同的地址可以屏蔽掉壞了的塊，而指針指向好塊。即使第一塊壞了，還可以使用O地址去操作一個(gè)好塊。