sic mosfet 文章最新資訊

美國阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

美國設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C 時(shí)工作的集成電路，該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運(yùn)行的航空航天設(shè)備......
關(guān)鍵字： SiC 集成電路

新日本無線變身綜合電子元器件供應(yīng)商

　　]新日本無線的MEMS傳感器累計(jì)出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長(zhǎng)村田隆明先生今年來訪時(shí)帶來的最新消息，同時(shí)在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運(yùn)算放大器等各個(gè)方面都有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。　　記得去年七月份村田隆明來到本刊時(shí)，詳細(xì)介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。　　電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 　　縱觀新日本無線公司歷長(zhǎng)達(dá)50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨(dú)特的模擬技術(shù)和微
關(guān)鍵字： MEMS MOSFET 濾波器

IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變器，以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET

超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長(zhǎng)而成。　　在一場(chǎng)由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
關(guān)鍵字： III-V族 MOSFET

超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長(zhǎng)而成。　　在一場(chǎng)由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
關(guān)鍵字：矽晶 MOSFET

東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。　　展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介:　　1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)　　東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強(qiáng)”(IE：Inject
關(guān)鍵字：東芝 IEGT SiC

EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機(jī)遇

　　功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)份額。　　增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406

Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。　　《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個(gè)門類的最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評(píng)審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計(jì)算設(shè)備中顯著提高效率
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 電子產(chǎn)品世界

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動(dòng)汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。　　美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的良好條件，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì)，從201
關(guān)鍵字：美高森美 MOSFET SiC

開關(guān)電源技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r分析

　　開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。　　根據(jù)中國電源學(xué)會(huì)收集整理的數(shù)據(jù)，2008年全國開關(guān)電源(主要包含消費(fèi)類開關(guān)電源、工業(yè)類開關(guān)電源、通信電源、PC電源，下同)產(chǎn)值達(dá)到855億元，2009年達(dá)931億元，
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耐高溫半導(dǎo)體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎

　　日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議，后者將會(huì)幫助CISSOID公司的高溫半導(dǎo)體產(chǎn)品在中國市場(chǎng)大范圍推廣?！　≈Z衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起，形成獨(dú)一無二的競(jìng)爭(zhēng)力。例如：SiC 電源開關(guān)專用的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號(hào)調(diào)節(jié)器?！　ISSOID公司營(yíng)銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
關(guān)鍵字： CISSOID 諾衛(wèi)卡 SiC

一款基于AN8026的變頻器電源設(shè)計(jì)方案

1.前言變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大，電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)是電能消耗大戶，約消耗全國65%發(fā)電量，近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運(yùn)用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機(jī)、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn)，因此設(shè)計(jì)可靠高性能的變頻器電源尤為重要。變頻技術(shù)目前得到了廣泛的應(yīng)用，而變頻器的可靠穩(wěn)定運(yùn)行決定了變頻器性能指標(biāo)，作為基礎(chǔ)硬件，變頻器電源的高效可靠運(yùn)行至關(guān)重要。如圖1所示為變頻器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，主要由整流單元、預(yù)充電電路、制動(dòng)單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
關(guān)鍵字： AN8026 MOSFET

用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源，不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī)，當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)
關(guān)鍵字： P-FET MOSFET

IR擴(kuò)充StrongIRFET系列

　　　國際整流器公司?(International?Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)?近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?！　∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
關(guān)鍵字： IR StrongIRFET MOSFET

電容器

　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)　　TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法?！　eraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比：由于該款新電容
關(guān)鍵字： TDK 電容器 CeraLink SiC