中國，2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關無源元件，即可實現類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能，MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關式電源拓撲，包括原邊或副
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電源 意法半導體 擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
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SiC MOSFET
中美貿易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒，華為禁令事件已經讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應鏈緊急備貨，熟悉功率元件業(yè)者透露，除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應鏈以及臺系邏輯IC供應體系外，瘋狂掃貨力道已經蔓延到功率基礎元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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華為 MOSFET 中美貿易戰(zhàn)
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能?！ ￡P鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動器；耐受性；隔離? ? &nb
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201905 IGBT MOSFET 柵極驅動器 耐受性 隔離
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
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MOS MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC
MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發(fā)和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC)
MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源?！ ∵@標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC
生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅動器等互補器件，以及
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安森美 MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結
MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時，提高設計靈活度，非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動以及EV充電樁。近日，該系列產品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?！ 〈舜伍_發(fā)的新系列產品與以往產品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術，實現了極快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比，輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外，通過提高導通MOSFET所需要的電壓水
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ROHM MOSFET
2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON
Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studio?
開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統(tǒng)性能有信心?！ trata Developer
S
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安森美 SiC
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD)
為領先業(yè)界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商，產品涵蓋廣泛領域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP
功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP
晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負載開關電路，提供更高的功率密度設計。
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Diodes MOSFET
2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領域的最新業(yè)內領先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術?！ ≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx
microBR
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Vishay MOSFET
世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產業(yè)鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！ ≈饕獞谩 高效服務器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組 w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網 w航空航天 SiC MOSFET系列 產品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
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新能源汽車 MOSFET
Mar. 7, 2019 ----
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！ 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業(yè)，2019年
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IGBT SiC
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC)
MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅動器、電焊機和電源。 SIC1182K可在125°C結溫下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
sic mosfet介紹
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