- 圖1中電路會根據(jù)一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發(fā)生器，一個差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個繼電器驅(qū)動器，以及一個繼電器線圈?！ ∷矂娱_關提供驅(qū)動電路的步進電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
- 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
- 摘要：設計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復雜補償
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穩(wěn)壓器 設計 線性 LDO 成型 CMOS 全集
- 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設計了一個12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時間常數(shù)匹配
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流水線 轉(zhuǎn)換器 CMOS MS 12位 一種
- PMM8731是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進電機脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進電機集成功率放大器。它們和單片機一起可構成一種高效電機控制驅(qū)動電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能，給出了
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驅(qū)動 電路 電機 步進 PMM8731 SI-7300 基于
- ??????? 力科公司，作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測試解決方案和網(wǎng)絡分析儀領導廠商，今天宣布推出其信號完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品：信號完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應用軟件包的附加產(chǎn)品，它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡分析儀協(xié)同工作，還可以作為一個獨立的軟件使用。
可完成信號完整性分析、建模和仿真的功能
SI Studio針對信號完整性工程師而開發(fā)，可讓工程師使用一個軟件包就能完成對
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力科 軟件包 SI-Studio
- 7月10日，北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進入創(chuàng)業(yè)板輔導流程。
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思比科 CMOS
- CMOS成像技術的領先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術創(chuàng)新銅獎。
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Aptina CMOS
- 高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆，締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機芯片廣泛應用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產(chǎn)品。
Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC，Si4700 IC重構了消
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Silicon-Labs IC CMOS
- 目前，包括移動設備在內(nèi)的很多多媒體設備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
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Sensor CMOS 調(diào)試 經(jīng)驗
- 摘要：文中在應用對數(shù)域電路的基礎上，提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法，它通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Marr小波為例來模擬這個逼近過程，并用Matlab對逼近過程進行仿真。仿真結果顯示
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變換 實現(xiàn) 小波 濾波器 SI 基于
- 1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結構如圖1 所示
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設計 振蕩器 CMOS
- 制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創(chuàng)造巨大財
富的機遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
- 本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。
先進CMOS器件高k柵技術的進展
近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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脈沖 CMOS
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