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一種基于真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的擴(kuò)展頻譜CMOS振蕩器的設(shè)計(jì)

  • 在現(xiàn)代開關(guān)電源的控制電路中，振蕩器target=_blank>振蕩器對(duì)模擬電路和信號(hào)處理起著很重要的作用。在多數(shù)...
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CMOS數(shù)字隔離器為智能電表提供數(shù)據(jù)保護(hù)

  • 未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
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CMOS 圖像傳感器主導(dǎo)多種應(yīng)用，提供巨大市場(chǎng)機(jī)遇

  • 在過(guò)去十年里，CMOS圖像傳感器技術(shù)經(jīng)過(guò)連續(xù)改進(jìn)和不斷提高，已經(jīng)使其從主要服務(wù)于低端市場(chǎng)轉(zhuǎn)移到一些要求最苛刻的高性能應(yīng)用。伴隨著這種趨勢(shì)，CMOS圖像傳感器已經(jīng)開始主導(dǎo)圖像傳感器市場(chǎng)，并為原始設(shè)備制造商（OEM）
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針對(duì)工業(yè)及醫(yī)療等應(yīng)用的安森美半導(dǎo)體CMOS圖像傳感器方案

  • 近年來(lái)，隨著CMOS工藝技術(shù)的不斷改進(jìn)，CMOS傳感器的應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣泛，包括數(shù)碼相機(jī)、電腦攝像頭、視頻電話、手機(jī)、視頻會(huì)議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達(dá)、玩具，以及工業(yè)、醫(yī)療等應(yīng)有盡有。實(shí)際上，CMOS
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東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略 致力BSI型CMOS傳感器

  • 　　東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計(jì)劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實(shí)力，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來(lái)的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的存儲(chǔ)產(chǎn)品業(yè)務(wù)中，應(yīng)用在存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實(shí)力。由此來(lái)培育出繼存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù)。東芝執(zhí)行董事高級(jí)常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲(chǔ)器公司社長(zhǎng)小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。 　　
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采用ADS的CMOS雙平衡混頻器設(shè)計(jì)

  • 摘要：分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機(jī)理，以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系，并據(jù)此使用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25mu;m CMOS工藝，射頻信號(hào)為2．
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基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 1　引言　　鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無(wú)記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場(chǎng)很大份額。然而，鋰電池產(chǎn)品在充放電過(guò)程中的過(guò)充電、過(guò)放電、放電過(guò)電流及其它異常狀態(tài)(例如
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卓然發(fā)布單晶片COACH 14數(shù)碼相機(jī)處理器

  • 為數(shù)億部數(shù)碼相機(jī)提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商卓然公司﹝納斯達(dá)克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機(jī)處理器平臺(tái)可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機(jī)。
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Amalfi推出第二代CMOS功率放大器體系A(chǔ)daptiveRF

  • 　　手機(jī)高級(jí)功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機(jī)用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經(jīng)濟(jì)的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴(kuò)展性，AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能，包括交換機(jī)和復(fù)合濾波器，可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。 　
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CCD和CMOS主要技術(shù)分析

  • CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
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提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

  • 摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)

  • 摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
  • 關(guān)鍵字： CMOS  VTH  電壓基準(zhǔn)    

全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

  • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
    關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

  • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
  • 關(guān)鍵字： 艾克賽利  CMOS  

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
  • 關(guān)鍵字： 4GHz  CMOS  35  集成    
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