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nor flash 文章 最新資訊

Flash硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

  • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法,并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設(shè)計中應注意的關(guān)鍵技術(shù)。
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大容量NOR Flash與8位單片機的接口設(shè)計

  • Flash存儲器又稱閃速存儲器,是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點,既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種,與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢:可靠性高、隨機讀取速度快,可以單字節(jié)或單字編程,允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
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F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應用

  • 以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用;利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內(nèi)的特 性,結(jié)合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。
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Flash數(shù)據(jù)丟失,說好的數(shù)據(jù)去哪了?

  • 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
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美系兩大廠商淡出NOR Flash市場 NOR芯片缺貨無解

  •   繼美光后,全球第二大編碼型快閃存儲器(NOR Flash)制造廠賽普拉斯(Cypress)也在法說會上,將淡出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息,加上蘋果明年新手機全數(shù)導入有機發(fā)光二極管(OLED)面板,同步得搭載NOR芯片維持手機色彩飽和度,明年缺口持續(xù)擴大。   存儲器業(yè)者透露,美系兩大廠商淡出NOR Flash,讓今年NOR芯片缺貨無解,更因硅晶圓廠優(yōu)先供貨給邏輯芯片廠和DRAM和3D NAND Flash廠,增產(chǎn)數(shù)量受阻,明年更將陷入史上最大缺貨潮,臺灣地區(qū)廠
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麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  •   據(jù)外媒報道,存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲,有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導,Daniel Kim發(fā)布報告說:「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。   他指出,建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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蘋果入局加劇NOR芯片缺貨 預估今年漲幅60%

  •   蘋果新手機iPhone 8將導入采用編碼型快閃存儲(NOR Flash),已讓NOR芯片缺貨更為嚴重。存儲業(yè)者透露,今年NOR芯片供給缺口將擴大至20%,主要供應大廠賽普拉斯(Cypress)也正式發(fā)出漲價通知,業(yè)者估計今年漲幅可能擴大至逾60%。     業(yè)者預期,會有更多廠商來臺搶貨,臺廠相關(guān)供應商包括旺宏、華邦電及晶豪科等,也樂見睽違4年多難得一見的榮景,將同步調(diào)漲售價,且估計第2季漲幅將逾20%之高。   存儲通路商透露,去年下半年以來,市場焦點一直以DRAM和儲存型快閃存
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手機OLED相關(guān)組件賣到缺貨,它成國內(nèi)最大受益者

  • AMOLED面板日益受到全球手機品牌青睞,讓OLED驅(qū)動IC需求快速上揚。OLED驅(qū)動IC采用的高壓制程,目前還無法加入嵌入式閃存(eFlash),只好退而求其次采用外掛NOR Flash來記憶狀態(tài)以及補償AMOLED的電流和亮度……
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出售NOR芯片事業(yè)/再擴產(chǎn)能 千年老三美光要逆襲三星?

  • 在存儲器領(lǐng)域,美光屈居三星及SK 海力士之下,老三地位尷尬,難以出頭。臺灣是美光布局亞洲的橋頭堡和合伙人,合縱連橫,才有一線生機啊!
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手機用OLED面板滲透率提升,加速2017年NOR Flash價格漲勢

  •   日前,根據(jù)平面媒體的報導,由于記憶體大廠美光科技(Micron)計劃處分旗下編碼型快閃記憶體(NOR Flash)事業(yè),將導致供應鏈大洗牌,如此造成包括美系音響大廠,以及歐系車用系統(tǒng)大廠都來臺搶產(chǎn)能的情況,使得 NOR Flash 預計 2017 年上半年漲幅將超過 30%。而根據(jù)科技新報所掌握到的獨家消息,目前 NOR Flash 缺貨的情況,還包括南韓三星電子用于 AMOLED 的色彩控制上,一年估計要超過 4.8 億顆的需求,更是拉抬 NOR Flash 在 2017 年的漲勢。 &nbs
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美光出售NOR芯片業(yè)務(wù) 兆易華邦接手可能性大

  •   全球存儲器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進行,美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù),計劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù),正尋求相關(guān)買家,全力沖刺DRAM及3D NAND Flash,傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。   美光當初并入此芯片事業(yè)花12億美元,以目前內(nèi)存市況持續(xù)加溫來看,要以多少價格出售,有待觀察。   半導體設(shè)備相關(guān)人士透露,美光已和多家廠商接洽,主因美光認為NOR芯片業(yè)務(wù)在該公司營收占比不高,產(chǎn)能也不具經(jīng)濟效益,且近年全力聚焦在DRAM和NAND兩大內(nèi)存的效益整合,因而計劃出售NOR芯片業(yè)務(wù),戰(zhàn)力集中在提升D
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賽普拉斯FL-L NOR 閃存系列迎來新成員,為汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用實現(xiàn)更高安全性、可靠性和性能

  •   全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導體公司今日宣布其配備四串行外設(shè)接口(Quad?SPI)的NOR閃存系列新增64Mb和128Mb產(chǎn)品。全新的兩款FL-L?NOR閃存可為那些在擴展溫度范圍內(nèi)運行并需要存儲重要數(shù)據(jù)的嵌入式系統(tǒng)提供最高可靠性和安全性。該系列閃存產(chǎn)品具備低功耗和AEC-Q100汽車認證,并且能夠在擴展溫度范圍內(nèi)提供更高的讀帶寬和更快的編程速度。借助小巧、統(tǒng)一的4KB物理存儲單元,該系列閃存產(chǎn)品能夠以最佳方式存儲程序代碼和參數(shù)數(shù)據(jù),是高級輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)、汽
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盤點+分析:Flash原廠2016年財報

  • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換,除了研發(fā)成本增加,切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失,同時還需要更新舊設(shè)備,增加新設(shè)備,以及擴大生產(chǎn)空間,從而導致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少,以及投資成本增加。
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大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

  •   儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起,南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠,也預定本月底正式動土,都為2018年供給過于求再現(xiàn),埋下隱憂。   目前各市調(diào)機構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面,但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠,在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元,擴充產(chǎn)能,希望市占率能趕上三星,但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。   稍早三星和美光也都
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  •   SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。     SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年,所以提前做好準備。   SK海力士曾在20
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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