nor flash 文章最新資訊

基于FPGA的速率自適應圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測任務中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務可視化的關鍵。
關鍵字：存儲器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結構的設計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎，從硬件電路和軟件設計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟，對實現(xiàn)復雜硬件設計工程有一定的參考價值。
關鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
關鍵字： MSP430G 單片機 Flash 擦寫壽命

武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
關鍵字： XMC 存儲器 NOR NAND 201401

單片機高手是怎樣煉成的

近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫：“我想學單片機”，“我要學單片機”，“如何入門啊?”，“你們怎么這么厲害，是怎樣學的??”等等等等一系列的問題，實在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機學習心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
關鍵字：單片機 LED LCD FLASH USB

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結構：
關鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領銜中國存儲半導體業(yè)

　　12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動整機與芯片聯(lián)動，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨第八屆‘中國芯’頒獎典禮”。會議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長兼總裁王繼增先生。　　據(jù)了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項目，是國家認定的首批重點集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術水平生產(chǎn)12英寸存
關鍵字：新芯 NOR 存儲半導體

AVR的主要特性

AVR單片機是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
關鍵字： AVR單片機 ATMEL Flash

缺少仿真器時avr單片機的開發(fā)方法

對FLASH存貯器單片機，不要仿真機也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手：一、盡量使用高級語言開 ...
關鍵字：仿真器時 avr單片機 FLASH

ARM編程中Flash ROM驅(qū)動示例

Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8 ...
關鍵字： ARM編程 Flash ROM驅(qū)動

單片機下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

8K的flash是有8*1024個字節(jié)，一條指令可能有1~4個機器碼，即1~4個字節(jié)，其中1~2機器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
關鍵字：單片機 RAM ROM Flash

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應用

摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
關鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312

2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化

　　FlashLED在智慧型手機的滲透率已達100%，看準Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認為，2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導，而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。　　LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機標配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
關鍵字： Flash LED

國際廠競搶Flash LED新高地明年恐見殺價潮

　　LED產(chǎn)品價格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場，除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠有億光、新世紀、光寶科等業(yè)者，但近期市場傳出，韓廠三星將走出過去堅守的4139封裝規(guī)格，計劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多，估計FlashLED明年將會見到一波價格下殺潮。　　消費者對于智慧型手機要求越來越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
關鍵字： Flash LED

高容量Flash MCU需求漲

嵌入式系統(tǒng)智能化商機旺　MCU廠升級eFlash制程　　微控制器（MCU）廠商在嵌入式快閃記憶體（eFlash）新一輪先進制 ...
關鍵字：高容量 Flash MCU

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]