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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nch mosfet

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

  • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?；A半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經過優(yōu)化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會

  • 近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規(guī)模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內的領先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時，強調了瑞能半導體未來
  • 關鍵字： MOSFET  

基本半導體——第三代半導體前景無限

  • 相比于數(shù)字半導體，我國在模擬與功率半導體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產品設計的問題，還涉及到材料等多個技術環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領域之一。作為國內第三代半導體領軍企業(yè)，基本半導體技術營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化，核心產品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導體碳化硅功率器件產品性能處于國內領先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應用領域，市場潛力大，也是基本半導體要重點發(fā)力的市場。站在劉誠的角
  • 關鍵字： 基本半導體  MOSFET  中國芯  

變頻電源開關芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

  • 隨著科技的發(fā)展，電器設備使用越來越廣泛，功能越來越強大，體積也越來越小，對電源模塊的要求不斷增加。開關電源具有效率高、成本低及體積小的特點，在電氣設備中獲得了廣泛的應用。經分析，開關電源電路多個器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差，導致開關芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能，使產品各項性能有效提高，滿足電路設計需求，減少售后失效。
  • 關鍵字： 開關電源  高壓瓷片電容  芯片  耐壓提升  可靠性  202105  MOSFET  

特定工作條件下的開關電源模塊失效分析

  • 針對在某特定工作條件下發(fā)生的短路失效問題，進行了開關電源模塊及其外圍電路的工作原理分析，通過建立故障確定了失效原因，運用原理分析與仿真分析的方法找到了開關電源模塊的損傷原因與機理，并給出了對應的改進措施。
  • 關鍵字： 開關電源模塊  電源振蕩  失效分析  MOSFET  202105  

Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

  • 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電
  • 關鍵字： MOSFET  MCU  IGBT  

原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續(xù)漲價

  • 相比去年，已有多款MOSFET產品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內得不到解決，有業(yè)內人士認為下半年該產品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續(xù)大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區(qū)新冠肺炎疫情延燒，導致產能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產品的價格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調MOSFET價格。相比去年，
  • 關鍵字： MOSFET  

使用IC采樣保持放大器

  • 采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉換過程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數(shù)應用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉換所需的時間段內，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數(shù)據(jù)轉換系統(tǒng)必須具備的系統(tǒng)功能模塊，所用的模數(shù)轉換器在進行轉換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數(shù)轉換器就是
  • 關鍵字： MOSFET  

大聯(lián)大品佳集團推出基于NXP產品的5G open frame解決方案

  • 大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯(lián)大品佳推出基于NXP產品的5G open frame解決方案的展示板圖當前，系統(tǒng)對于電源設計要求正在變得愈發(fā)苛刻。隨著能源法規(guī)不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構設計來滿足現(xiàn)行的需求。大聯(lián)大品佳針對高效率的5G電源應用，基于NXP技術推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術IC
  • 關鍵字： MOSFET  

硅晶體管創(chuàng)新還有可能嗎？ 意法半導體超結MDmesh案例研究

  • 前言自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來，半導體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術進步，在封城隔離期間我們就無不可能遠程辦公，與外界保持聯(lián)系。總之，沒有半導體的技術進步，人類就無法享受科技奇跡。舉個例子，處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導體微處理器迭代50多年?，F(xiàn)在，我們即將到達原子學和物理學的理論極限，需要新的技術，例如，分層垂直堆疊技術。同時，我們
  • 關鍵字： MOSFET  

貿澤與Vishay攜手推出全新電子書介紹汽車級電子元件的新應用

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書An Automotive Grade Above（推動汽車電子進一步發(fā)展），探討支持電動汽車 (EV) 充電、車載信息娛樂系統(tǒng)等各種汽車應用所需的高性能解決方案。在這本電子書中，來自貿澤和Vishay的行業(yè)專家就現(xiàn)代汽車設計中一些富有創(chuàng)新性的技術提出了深入的見解，這些技術包括用于人機交互的光電傳感器和用于電動/混動汽車設計的光
  • 關鍵字： MOSFET  

儲能領域蘊藏節(jié)能機會 ADI積極推動節(jié)能減排

  • ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術為全球的能源基礎設施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機電流電壓監(jiān)測/ 風機振動監(jiān)測、輸電環(huán)節(jié)的導線舞動監(jiān)測/ 導線覆冰監(jiān)測/ 地質災害監(jiān)測、變電環(huán)節(jié)的變壓器振動監(jiān)測到配電環(huán)節(jié)故障指示以及用電環(huán)節(jié)的電力計量，從微電網和公用事業(yè)到數(shù)據(jù)中心和工廠，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動汽車充電樁的大規(guī)模部署，ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統(tǒng)。ADI中國汽車技術市場?高級經理 王星煒1? ?儲能系統(tǒng)B
  • 關鍵字： 202107  MOSFET  儲能  

超結高壓MOSFET驅動電路及EMI設計

  • 分析了超結結構功率MOSFET在開關過程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線性產生更快開關速度的特性；給出了不同外部驅動參數(shù)對開關過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅動電路開關波形及開關性能的變化。最后，設計了優(yōu)化驅動電路，實現(xiàn)優(yōu)化的EMI結果，并給出了相應驅動電路的EMI測試結果。
  • 關鍵字： 202106  超結  驅動  EMI  非線性  MOSFET  

ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，
  • 關鍵字： MOSFET  

Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產領先Qrr品質因數(shù)80 V/100 V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內極低的Qrr品質因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產品經理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  
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