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占空比的上限

  • 開關(guān)穩(wěn)壓器使用占空比來實現(xiàn)電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時間(TON)與整個周期時長（關(guān)斷時間(TOFF)加上導通時間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡單關(guān)系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說明中，這些并不是決定性因素。開關(guān)穩(wěn)壓器的占空比由各自的開關(guān)穩(wěn)壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉(zhuǎn)換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉(zhuǎn)換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續(xù)導通模式(CCM)。在這個模式下，電感電流在時間段T
  • 關(guān)鍵字： CCM  TON  MOSFET  

iCoupler技術(shù)為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢

  • 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現(xiàn)更高的電流操作，從
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應用筆記140 - 第3/3部分：開關(guān)電源組件的設計考慮因素

  • 開關(guān)頻率優(yōu)化一般來講，開關(guān)頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進負載瞬態(tài)響應。但是，開關(guān)頻率更高也意味著與交流相關(guān)的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數(shù)降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開關(guān)頻率可高達幾MHz。每個設計的最優(yōu)頻率都是通過仔細權(quán)衡尺寸、成本、效率和其他性能參數(shù)實現(xiàn)的。輸出電感選擇在同步降壓轉(zhuǎn)換器中，電感峰峰值
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DCE  ESR  MLCC  

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹立全新性能基準

  • 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開關(guān)和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  QRR  QG  

應用筆記140 第2/3部分 - 開關(guān)模式電源基礎知識

  • 為何使用開關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關(guān)模式而非線性模式下運行。這意味著，當晶體管導通并傳導電流時，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導體晶體管就像一個理想的開關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關(guān)模式同步降壓電源通?？蓪崿F(xiàn)90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
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TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時，經(jīng)過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  FOM  

健康催生可穿戴多功能需求

  • 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VR  MR  CGM  IDC  202009  

ROHM為新基建帶來的功率器件和電源產(chǎn)品

  • 1 無線基站羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關(guān)、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點是導通
  • 關(guān)鍵字： 耐高壓  MOSFET  DC/DC  202009  

有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過提高VCSEL的輸出功率，進一步提高了空間識別和測距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來驅(qū)動光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅(qū)動時間和輸出功率，這就對實現(xiàn)高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VCSEL  TOF  AGV  

內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片

  • 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關(guān)電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現(xiàn)低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補償功能和內(nèi)置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產(chǎn)品應用可廣泛應用于AC
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PSR  IC  RFM  

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

  • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  碳化硅  UPS  

模塊化參考設計幫助用戶為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源

  • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動器以及用于電機控制的RX23T 32位
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PWM  BLDC  MCU  

低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎設施建設

  • 電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內(nèi)燃機汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內(nèi)為電動汽車充滿電，他們不愿排隊等候唯一的充電樁。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PWM  BMS  

東芝與MikroElektronika展開合作，為電機驅(qū)動IC開發(fā)評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅(qū)動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅(qū)動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅(qū)動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機，東芝提供豐富的電機驅(qū)動
  • 關(guān)鍵字： NVM  IC  MOSFET  
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