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布局存儲(chǔ)器封測(cè) 臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)卡位
- 存儲(chǔ)器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺(tái)廠積極布局,今年存儲(chǔ)器封測(cè)競(jìng)爭(zhēng)卡位,勢(shì)必激烈。 展望今年,國(guó)際存儲(chǔ)器大廠集中資源開發(fā)前端制程,包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和快閃存儲(chǔ)器(Flash)后段封測(cè)可能擴(kuò)大委外,封測(cè)臺(tái)廠考量自身發(fā)展,積極與國(guó)際大廠洽商合作。 美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。 為進(jìn)一步集成DRAM封測(cè)業(yè)務(wù),去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測(cè)
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 NAND
AVR的主要特性
- AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡(jiǎn)指令集高 ...
- 關(guān)鍵字: AVR單片機(jī) ATMEL Flash
缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開發(fā)方法
- 對(duì)FLASH存貯器單片機(jī),不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手: 一、盡量使用高級(jí)語(yǔ)言開 ...
- 關(guān)鍵字: 仿真器時(shí) avr單片機(jī) FLASH
ARM編程中Flash ROM驅(qū)動(dòng)示例
- Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
- 關(guān)鍵字: ARM編程 Flash ROM驅(qū)動(dòng)
Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場(chǎng)份額
- 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前,Marvell擁有豐富的端到端存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案,在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無(wú)二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
- 關(guān)鍵字: Marvell 固態(tài)硬盤 NAND
2014年Flash LED市場(chǎng)走勢(shì)將呈現(xiàn)M型化
- FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%,看準(zhǔn)Flash商機(jī),LED業(yè)者積極投入Flash市場(chǎng)。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA、500mA與350mA為主流,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,2014年FlashLED市場(chǎng)將呈現(xiàn)M型化發(fā)展,高階規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA所主導(dǎo),而低階則會(huì)以驅(qū)動(dòng)電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動(dòng)、不需要充電與壽命較長(zhǎng)等特性,F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配,以2013年FlashLED市況來看,主流規(guī)
- 關(guān)鍵字: Flash LED
可管理NAND:適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)
- 與多年前相比,現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,功能豐富,能夠存儲(chǔ)大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是,存儲(chǔ)...
- 關(guān)鍵字: NAND 移動(dòng)設(shè)備 大容量存儲(chǔ)
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