nand-flash 文章最新資訊

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

　　摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫(xiě)片外FLASH的例子，詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。　　1 背景描述　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營(yíng)收排行

今年第二季NANDFlash品牌供貨商營(yíng)收達(dá)76.49億美元，季成長(zhǎng)5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場(chǎng)表現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)

　　今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品，有其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。　　專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 　　處于從專用向通用MCU升級(jí)的開(kāi)端　　MCU(單片機(jī)，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī)，而日本、
關(guān)鍵字：海爾 MCU Flash 201408

基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LVDS FPGA Flash

Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來(lái)襲

　　并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過(guò)程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國(guó)德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬(wàn)別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無(wú)法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開(kāi)創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無(wú)與倫比的性能。　　Marvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
關(guān)鍵字： Marvell 控制器 NAND

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

　　科研投資　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說(shuō)：2012年日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬(wàn)億日元，占GDP的5%，但它對(duì)應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過(guò)IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來(lái)計(jì)算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬(wàn)億日元，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰(shuí)不動(dòng)心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲(chóng)”產(chǎn)業(yè)，沒(méi)有國(guó)家的大力支持，沒(méi)有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入，那是美夢(mèng)難圓的。　　半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的要素之一，它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND IC 201405

競(jìng)逐eMMC商機(jī)　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)下大幅成長(zhǎng)，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國(guó)大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場(chǎng)規(guī)模，引來(lái)業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
關(guān)鍵字： Flash 控制芯片

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開(kāi)了電子時(shí)代的序幕，為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無(wú)線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動(dòng)了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國(guó)是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開(kāi)始廣播，也是30年代最早開(kāi)始電視廣播的國(guó)家之一
關(guān)鍵字： NAND DRAM PC 201404

FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

　　隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過(guò)實(shí)際的讀寫(xiě)操作驗(yàn)證
關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動(dòng) FPGA

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。　　1、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營(yíng)收較第三季下滑4.5%，來(lái)到61億6,800萬(wàn)美元。　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營(yíng)收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
關(guān)鍵字： NAND DRAM

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫(xiě)硬件實(shí)現(xiàn)方案，該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫(xiě)、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時(shí)編寫(xiě)的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測(cè)任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無(wú)法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲(chǔ)器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH