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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  • 　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。 　　具體可參見下表。 　　 ? 　　“閃 存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
  • 關鍵字： 閃存  NAND  

基于分塊管理和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的嵌入式Flash管理

  • 1 引言嵌入式系統(tǒng)中通常都需要存放一些非易失性數(shù)據(jù), 并且數(shù)據(jù)量的大小和數(shù)據(jù)類型根據(jù)不同的系統(tǒng)需求差異很大。因此選取合適的存儲器是完成數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的第一步, 更重要的是使存儲系統(tǒng)長期穩(wěn)定、高效的工作, 這就必
  • 關鍵字： 管理  嵌入式  Flash  轉(zhuǎn)換  狀態(tài)  分塊  基于  

2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

  • 據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
  • 關鍵字： 蘋果  閃存  NAND  

NAND Flash內(nèi)存設備的讀寫控制設計

  • NAND Flash內(nèi)存設備的讀寫控制設計,引言

    　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數(shù)碼相機、手機、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
  • 關鍵字： 控制  設計  讀寫  設備  Flash  內(nèi)存  NAND  

車窗控制系統(tǒng)的LIN2.1協(xié)議應用

  • 引言LIN協(xié)會于1999年發(fā)布了第一版LIN協(xié)議，至今已有十幾年了，在這十幾年中，LIN總線不斷發(fā)展，已經(jīng)在以車身控制為...
  • 關鍵字： LIN2.1協(xié)議  定時器  Flash  

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

  • 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０　引　言
    現(xiàn)階段嵌入式產(chǎn)品作為Ｕ 盤掛載到ＰＣ機上在各類電子產(chǎn)品中被越來越多的應用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中的應用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機中，與ＰＣ機上通用Ｗｉｎｄｏ
  • 關鍵字： 模擬  分析  FLASH  NAND  ARM11  Linux  基于  

嵌入式系統(tǒng)中Flash存儲管理策略

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： Flash  存儲管理策略  嵌入式系統(tǒng)  

半導體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工

  • 　　日本媒體報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導體需求回溫，故旗下日本半導體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 　　東芝姬路半導體工廠主要生產(chǎn)馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
  • 關鍵字： Toshiba  FlashMemory  NAND  

12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%

  • ? 　　市調(diào)機構集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。 　　集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關NAND Flash的營運沒有受到影響，現(xiàn)貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
  • 關鍵字： SK  NAND Flash  手機  

提高MSP430G系列單片機的Flash擦寫壽命的方法

  • 摘要：在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒 ...
  • 關鍵字： MSP430G系列  單片機  Flash  擦寫壽命  

提高MSP430G系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： MSP430G  單片機  Flash  EEPROM  德州儀器  

提高 MSP430G 系列單片機的 Flash 擦寫壽命的方法

  • 在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應用中，這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本
  • 關鍵字： 擦寫  壽命  方法  Flash  單片機  MSP430G  系列  提高  

蘋果再勝訴 三星特定Galaxy產(chǎn)品在荷蘭禁售

  • 　　11月29日消息，據(jù)國外媒體報道，荷蘭一家法庭周三作出了有利于蘋果的判決，責令禁止出售特定的三星Galaxy平板電腦和智能手機，因為這些產(chǎn)品侵犯了蘋果的專利。 　　據(jù)悉，這項禁令適用于版本較老的三星Android設備，這些產(chǎn)品使用了通過觸摸屏將圖片拖入相冊的蘋果專利技術。法庭表示，這些2.2.1版本及以上的Galaxy設備并未使用三星更新后的“藍色閃光”(blue flash)相冊技術。 　　這家荷蘭法庭在今周三作出裁決稱，如果三星拒絕執(zhí)行這項判決，那么就必須向蘋果支付每天
  • 關鍵字： 蘋果  Galaxy  blue flash  

探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

  • 　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關于這種閃存的原理、架構技術，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 　　不過還是有個變通方法
  • 關鍵字： 三星  閃存  TLC NAND  

基于多端口串行Flash的條形LED顯示屏控制

  • 摘要：為了不增加硬件成本而提高顯示數(shù)據(jù)的輸出速度，在分析現(xiàn)有條形LED顯示屏單元板電路的基礎上，提出了...
  • 關鍵字： Flash  LED顯示屏  控制  
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