nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃

　　這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論NorFlash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績(jī)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見(jiàn)等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動(dòng)預(yù)期，詳細(xì)測(cè)算供需缺口，以求對(duì)未來(lái)趨勢(shì)定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR的拐點(diǎn)
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三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)

　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片，并計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上供不應(yīng)求的局面。　　據(jù)了解，位于韓國(guó)京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動(dòng)工建設(shè)，日均投入1.2萬(wàn)名施工人員，耗時(shí)兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。　　三星宣布，至2021年為止，要對(duì)位于平澤市的NAND型快閃存儲(chǔ)器廠房投入14.4萬(wàn)億韓圜(約合125.4億美元)，并對(duì)華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨(dú)投1800億增產(chǎn)3D NAND

　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲(chǔ)器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于 2017 年下半送樣、2018 年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮?shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機(jī)、平板電腦和存儲(chǔ)卡等市場(chǎng)。　　東芝今后也計(jì)劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢(mèng)碎

UFS普及并不缺乏機(jī)會(huì)，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
關(guān)鍵字： Flash UFS

64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」？

　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預(yù)計(jì)將在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)成為市場(chǎng)主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。　　在最近接受《EE Times》的訪問(wèn)中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開(kāi)創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。他預(yù)計(jì)今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
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三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)

　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，與此同時(shí)，三星還將擴(kuò)展包含服務(wù)器、PC 與行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存解決方案。　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報(bào)導(dǎo)指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。　　其實(shí)，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動(dòng)與消費(fèi)型儲(chǔ)存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 I
關(guān)鍵字：三星 NAND

若拿下東芝郭董：優(yōu)先設(shè)廠美國(guó)

　　鴻海董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘昨(12)日證實(shí)，將籌組美、日、臺(tái)夢(mèng)幻團(tuán)隊(duì)，共同競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體。對(duì)日本出現(xiàn)擔(dān)心鴻?！钢袊?guó)因素」的評(píng)論，郭董炮火全開(kāi)，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省高層，并強(qiáng)調(diào)，鴻海如果順利得標(biāo)，海外市場(chǎng)將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。　　東芝半導(dǎo)體競(jìng)標(biāo)案進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)，預(yù)計(jì)本周公布結(jié)果。競(jìng)標(biāo)者之一鴻海動(dòng)作不斷，郭臺(tái)銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。郭董強(qiáng)調(diào)，如果鴻海順利標(biāo)下東芝半導(dǎo)體事業(yè)，希望未來(lái)能在海外建立內(nèi)存工廠，地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國(guó)。　　郭臺(tái)銘補(bǔ)充，因?yàn)槊绹?guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求在當(dāng)?shù)剡€沒(méi)達(dá)到，
關(guān)鍵字：東芝 NAND

基于ZigBee技術(shù)的家居智能無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點(diǎn)闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無(wú)線節(jié)點(diǎn)的軟硬件設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： UART ZigBee ACLK Flash

NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數(shù)為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對(duì)比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾

每況愈下東芝還能否從風(fēng)暴中脫身？

公司內(nèi)部派系斗爭(zhēng)問(wèn)題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災(zāi)影響日本經(jīng)濟(jì)及東芝業(yè)績(jī)，造成派系斗爭(zhēng)惡化，及為自保而偽造業(yè)績(jī)歪風(fēng)興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會(huì)計(jì)年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績(jī)灌水的問(wèn)題，事件逐一發(fā)不可收拾。
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND Flash下季度或史上最缺貨

　　NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成日前估計(jì)，接下來(lái)將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬(wàn)美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫(kù)存。　　群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí)，建立的庫(kù)存水位一度超過(guò)三億美元，后來(lái)市場(chǎng)景氣于去年第3季開(kāi)始往上，價(jià)格走升，也讓該公司因此大賺。　　潘健成提到，今年大概只有5月有機(jī)會(huì)多收貨，所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬(wàn)美元的額外貨源，預(yù)計(jì)可供第3季使用。　　群聯(lián)在今年4月時(shí)，手
關(guān)鍵字： NAND

基于FPGA的測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲(chǔ)芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)串行存儲(chǔ)芯片的高效讀寫(xiě)操作，完成了對(duì)大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)處理和與上位機(jī)的交換，并在某電力局項(xiàng)目工頻場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲(chǔ) FPGA

基于FPGA的水聲信號(hào)高速采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對(duì)各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲(chǔ)容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時(shí)鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計(jì)FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊(cè)。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡(jiǎn)單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說(shuō)的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時(shí)鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM