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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

  • FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時鐘及特殊應用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設計FPGA電路之前，需要認真的閱讀相應FPGA的芯片手冊。
  • 關鍵字： Cyclone  Altera  Flash  FPGA  CPLD  SDRAM  FPGA最小系統(tǒng)  

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

  • FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
  • 關鍵字： FPGA最小系統(tǒng)  Altera  NiosII  Flash  SDRAM  

2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
  • 關鍵字： NAND  SK海力士  

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

  • TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關的驅動。
  • 關鍵字： 文件系統(tǒng)  Flash  SOCKET  

Flash硬件接口和程序設計中的關鍵技術

  • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫(yī)療設備、家用電器等領域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設計中應注意的關鍵技術。
  • 關鍵字： 編程  接口  Flash  擦除  

大容量NOR Flash與8位單片機的接口設計

  • Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
  • 關鍵字： NOR  Flash  接口  單片機  

F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應用

  • 以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內的特 性，結合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。
  • 關鍵字： DSP  Flash  TI  

Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？

  • 芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
  • 關鍵字： 電源電壓  Flash  MCU  

Gartner：2016年全球半導體收入增長2.6%

  • 　　全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠優(yōu)于整體產業(yè)增長率?！　artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導體產業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強，定價環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設備部門產量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
  • 關鍵字： 半導體  NAND  

物聯(lián)網(wǎng)風起 我國亟需建設自主存儲

  • 　　“物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預期應用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個術語的發(fā)明者)。 　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
  • 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  NAND  

東芝出售半導體導致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

  • 　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業(yè)，但競標者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者? 　　韓聯(lián)社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產良機。 　　美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

中國必須建設自主存儲，為什么？

  • 在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應用會非常廣泛，作用也會愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應用都會用到NAND。
  • 關鍵字： NAND  長江存儲  

東芝是大股東的群聯(lián)董事長：東芝芯片會賣給日資

  • 　　東芝半導體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結果，將會由日本境內私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權入股。 　　潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術，引發(fā)東芝財務危機的是核電事業(yè)，因此切割半導體事業(yè)獨立新公司
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達219.5億美元

  • 　　三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。 　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。 　　存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
  • 關鍵字： 三星  NAND   

3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術關鍵

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。 　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
  • 關鍵字： 摩爾定律  3D NAND  
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