- 據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，計算機(jī)用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
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NAND DRAM芯片
- 本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計技術(shù)。
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C6201 C6701 FLASH DSP
- 在一些軍用芯片的早期設(shè)計中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進(jìn)行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
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AT25T1024 FLASH 高速SPI接口
- 隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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三星 存儲器 NAND
- 隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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爾必達(dá) NAND
- C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
TI公司C6000系列DSP具有強(qiáng)大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲器的運(yùn)行速度遠(yuǎn)大于片外存儲器的運(yùn)行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運(yùn)行。由于C6000系列DSP均沒有
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技術(shù) 研究 加載 Flash 系列 DSP C6000
- 內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。
今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計自去年的 87MB 增長 41.4%，達(dá) 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
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LSI NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長40%以上。
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索尼 NAND
- 三星電子一家新的存儲半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。
2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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東芝 NAND
- 據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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三星 Flash
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測試結(jié)果表明，該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù)，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 支持Flash的單板計算機(jī)嵌入式系統(tǒng),1 引言 在實(shí)際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個過程中.除了CPU以外，另一個重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件?！ ? 系統(tǒng)介紹 采
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嵌入式 系統(tǒng) 計算機(jī) 單板 Flash 支持
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [
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