nand flash 文章最新資訊

用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA配置

摘要：FPGA可以通過串行接口進(jìn)行配置。本文對傳統(tǒng)的配置方法進(jìn)行了研究，并從更新配置文件的方法入手，提出了利用處理機通過網(wǎng)絡(luò)更新的方法，給出了一個用CPLD和Flash對FPGA進(jìn)行配置的應(yīng)用實例。
關(guān)鍵詞：現(xiàn)場可編程
關(guān)鍵字： Flash CPLD FPGA

iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍

　　據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱，隨著消費者越來越多地使用平板電腦，蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。　　iSuppli稱，用于制作移動設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預(yù)計將達(dá)到23億GB，比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預(yù)計到2014年，NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB。　
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1　

　　存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊! 　
關(guān)鍵字： Hynix NAND

蘋果再施狙擊式采購

　　蘋果目前正在跟三星電子洽談購買約78億美元的零組件，內(nèi)容包括屏幕、處理器、NAND閃存等，主要都是要用在 iPad、iPhone等產(chǎn)品上面。一旦該筆訂單確定下來，蘋果將成為三星的最大單一客戶。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND

DRAM、NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

　　市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示，上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。　　
關(guān)鍵字： DRAM NAND

NAND閃存市場或?qū)ⅰ氨辣P”

　　在2011年的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細(xì)節(jié)。　　在一段時間內(nèi)，由于手機、平板電腦和固態(tài)存儲等產(chǎn)品市場的強勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長速度。　　
關(guān)鍵字： NAND 閃存

DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

　　來自臺灣媒體的最新消息稱，市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示，上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。　　
關(guān)鍵字： DRAM NAND

DRAM合約價醞釀反彈

　　DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達(dá)50%，隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價亦走向止跌，存儲器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%，使得DRAM廠在合約價談判上輕松許多;南亞科則預(yù)計，2月 DRAM合約價漲幅目標(biāo)是至少5%?！　?/li>
關(guān)鍵字： DRAM NAND

全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1

　　存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)溃Ａκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!　　
關(guān)鍵字：海力士 NAND

iPad將成今年NAND閃存成長動力

　　據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱，隨著消費者越來越多地使用平板電腦，蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。　　iSuppli稱，用于制作移動設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預(yù)計將達(dá)到23億GB，比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預(yù)計到2014年，NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB。　　
關(guān)鍵字： iPad NAND

三星2010年NAND Flash市占直逼40%　產(chǎn)業(yè)成長率達(dá)58%

　　2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺，整體2010年NAND Flash市場營收成長達(dá)58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當(dāng)少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。　　2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再，取而代之的
關(guān)鍵字：三星電子 NAND

2011年NAND閃存銷售額將進(jìn)一步增長

　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長38%。預(yù)計今年銷售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計2011年增長72%，達(dá)到193億GB。　　盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過度投資擴大生產(chǎn)，風(fēng)險可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計201
關(guān)鍵字： NAND 閃存

2011年NAND閃存銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)增長

　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長38%。預(yù)計今年銷售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計2011年增長72%，達(dá)到193億GB。　
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英特爾與美光科技關(guān)系緊張

　　隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大，英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。　　這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻(xiàn)的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫-阿普爾頓(Steven Appleton)指責(zé)英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金。　
關(guān)鍵字：美光 Flash

傳英特爾、美光科技的合資企業(yè)將解體

　　12月31日消息，據(jù)國外媒體報道，隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大，英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。　　這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻(xiàn)的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫·阿普爾頓(Steven Appleton)指責(zé)英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金。　
關(guān)鍵字：美光科技 Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]