- C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術, DSP是針對實時數(shù)字信號處理而設計的數(shù)字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點，非常適合應用于嵌入式實時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
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MBM29LV800BA 接口 技術 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器
- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業(yè)，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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應用材料 NAND
- 集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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NAND 20nm
- 根據(jù)Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平臺支援這項技術。
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Apple Flash
- 根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;
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IC NAND
- O 引言 Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- 據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。
預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
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NAND 智能手機
- 2010年對于全球半導體產業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產業(yè)僅將成長5%，移動通訊產品反成為支撐整體產業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產品興起而與日俱增。
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SAMSUNG DRAM NAND
- NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
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設計 管理 Flash NAND
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
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設計 實現(xiàn) 算法 管理 Flash NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
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DRAM NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
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三星 DRAM NAND
- 集邦科技旗下研究機構 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。
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三星 NAND UFS
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [
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