nand flash 文章最新資訊

可管理NAND：適用于移動設備的嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
關鍵字： NAND 移動設備大容量存儲

國際廠競搶Flash LED新高地明年恐見殺價潮

　　LED產(chǎn)品價格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場，除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠有億光、新世紀、光寶科等業(yè)者，但近期市場傳出，韓廠三星將走出過去堅守的4139封裝規(guī)格，計劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多，估計FlashLED明年將會見到一波價格下殺潮。　　消費者對于智慧型手機要求越來越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
關鍵字： Flash LED

高容量Flash MCU需求漲

嵌入式系統(tǒng)智能化商機旺　MCU廠升級eFlash制程　　微控制器（MCU）廠商在嵌入式快閃記憶體（eFlash）新一輪先進制 ...
關鍵字：高容量 Flash MCU

嵌入式軟件代碼保護系統(tǒng)設計

目前的嵌入式系統(tǒng)中，軟件代碼一般存儲在諸如EEPROM、F lash等存儲器中，但其中存儲的程序代碼易被讀取，非法 ...
關鍵字：軟件代碼保護 EEPROM FLASH

一步步解決UCGUI漢字字庫

UCGUI設計中漢字字庫也是大家最關注的問題之一。主要的問題是在于，使用C文件的字庫太大，一個12×12的漢字字庫文件有2M以上，一般的控制器內(nèi)部存儲容量是接受不了的。那么讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫就成為大勢所趨。接下來介紹如何讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫。
關鍵字： UCGUI FLASH W25Q64 函數(shù)

10月快閃存儲器NAND供過于求合約價看漲

　　市調(diào)機構(gòu)集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。　　集邦預期，近期1至2個月
關鍵字：快閃存儲器 NAND

用DNW通過USB燒uboot到nand

燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
關鍵字： DNW USB uboot nand

基于FPGA的SPI Flash控制器的設計方案

本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Fl ...
關鍵字： FPGA SPI Flash 控制器

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（二）

啟動匯編代碼　　;*********************************************************************　　; 匯編 ...
關鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（一）

使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行 ...
關鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲及管理方法研究與實現(xiàn)

摘要：本文設計了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲非易失性數(shù)據(jù)的方法，它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個數(shù)據(jù)分區(qū)，不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲數(shù)據(jù)在不同歷史時間的拷貝，最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進行時，計算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲位置，直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫操作進行時
關鍵字：嵌入式 MCU Flash 數(shù)據(jù)存儲 EEPROM 201310

狼、羊、草過河與嵌入式固件更新

狼、羊、草過河問題(也有叫狼、羊、白菜過河之類的名字)是說：有一人帶著一只部分馴化的狼(強調(diào)部分馴化是說明，人在場的情況下狼不會吃羊，不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來到河的左岸，欲乘一只很小的船過到河的右岸，每次人只能帶其中一個過河，當有人在時，狼、羊、草都不會有事;當無人在時，就不允許狼羊在一起，也不允許羊和草在一起，問應如何過河?
關鍵字：嵌入式 Flash RAM 緩沖區(qū)

采取多元化戰(zhàn)略，加強在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議?？梢?，Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
關鍵字：富士通 Spansion MCU NAND 201309

三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
關鍵字：三星 V-NAND

半導體廠擴產(chǎn) 力成進補

　　不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。　　研究機構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
關鍵字：半導體 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]