nand flash 文章 最新資訊
一種矢量信號發(fā)生器設計與實現(xiàn)

- 摘要:充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產生矢量信號的特點,以FPGA為邏輯時序控制器,設計并實現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產生3載波WCDMA為例,詳細介紹了矢量信號發(fā)生器的設計方案與實現(xiàn)過程,使用Verilog HDL描述并實現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時序控制和FPGA的邏輯控制。
- 關鍵字: DDR2 SDRAM FLASH 201205
今年NAND閃存營業(yè)收入預計增長8%
- 據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場研究報告,雖然2011年情況不如人意,但今年NAND閃存市場可望有不錯的表現(xiàn),裝備固態(tài)硬盤的超級本(Ultrabook)等產品將助其一臂之力。 今年全球NAND閃存營業(yè)收入預計增長8%,從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預期,全球出貨量相當于28823個1GB器件,而2011年是17401個。隨著智能手機、平板電腦和超級本固態(tài)硬盤(SSD)這三大市場使用的NAND閃存逐年增長,未來幾年NAND營業(yè)收入將持續(xù)攀升,到2016年
- 關鍵字: NAND 固態(tài)硬盤
FLASH在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應用
- NAND Flash是采用NAND結構技術的非易失存儲器,具有ROM存儲器的特點,存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持1 ...
- 關鍵字: K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]
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