nand flash 文章最新資訊

VxWorks從Flash BOOT的實(shí)現(xiàn)方法

　　引言　　美國WindRiver公司的實(shí)時嵌入式系統(tǒng)VxWorks和美國Motorola 公司MPC860系列處理器已經(jīng)廣泛的應(yīng) ...
關(guān)鍵字： VxWorks Flash BOOT

TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化

　　TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。　　該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
關(guān)鍵字： TDK NAND

NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
關(guān)鍵字： NAND 晶圓

NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
關(guān)鍵字：東芝 NAND

2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告，由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。　　2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。　　第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
關(guān)鍵字： NOR NAND

蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營收比重略減

　　市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。　　反觀海力士，其NANDFlash佔(zhàn)公司營收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營
關(guān)鍵字：三星 NAND

Flash單片機(jī)自編程技術(shù)介紹

Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
關(guān)鍵字：介紹技術(shù) 編程單片機(jī) Flash

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù)，以延長系統(tǒng)的使用周期，
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 遠(yuǎn)程更新嵌入式實(shí)現(xiàn) NAND Flash 利用

固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進(jìn)一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。　　隨著Intel Ivy Bridge處
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤 NAND

基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案

基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案,摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法，并完成了設(shè)計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展，因此往往需要對最初的設(shè)計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
關(guān)鍵字：仿真器設(shè)計方案在線 Flash MCU 內(nèi)部基于

NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
關(guān)鍵字：閃存設(shè)計映射存儲器 NAND 適應(yīng)

一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方法

摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法，并完成了設(shè)計和仿真。 ...
關(guān)鍵字：微控制器在線仿真開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM

Flash存儲器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

　Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開機(jī)后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過程中實(shí)時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。Am29F040是采
關(guān)鍵字： Flash F040 040 29F

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨(dú)
關(guān)鍵字：存儲管理 TMS320F28x 實(shí)現(xiàn) Flash Nand 磨損均衡思想

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用,摘要討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
關(guān)鍵字：開發(fā) 應(yīng)用 SOPC Flash NOR 并行

共1487條 57/100 |‹ « 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]