mosfet 文章進(jìn)入mosfet技術(shù)社區(qū)

深度揭秘——電荷泵設(shè)計(jì)及應(yīng)用

電荷泵的基本原理是，電容的充電和放電采用不同的連接方式，如并聯(lián)充電、串聯(lián)放電，串聯(lián)充電、并聯(lián)放電等，實(shí)現(xiàn)升壓、降壓、負(fù)壓等電壓轉(zhuǎn)換功能。
關(guān)鍵字：電荷泵 Cboot MOSFET 電路

Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過(guò)汽車(chē)電子元件標(biāo)準(zhǔn)

2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Microchip推出三相無(wú)刷直流配套器件實(shí)現(xiàn)完整電機(jī)系統(tǒng)解決方案

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器MCP8024。該器件能夠?yàn)閐sPIC?數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)和PIC?單片機(jī)(MCU)供電，同時(shí)驅(qū)動(dòng)六個(gè)N溝道MOSFET。
關(guān)鍵字： Microchip 電機(jī)系統(tǒng) MCP8024 MOSFET

EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅(qū)動(dòng)器

2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動(dòng)化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對(duì)絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。
關(guān)鍵字：英飛凌驅(qū)動(dòng)器 IGBT MOSFET

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻

網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道照明系統(tǒng)

摘要：本課題的主要研究?jī)?nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風(fēng)照明設(shè)計(jì)規(guī)范》要求研究設(shè)計(jì)了網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
關(guān)鍵字：智能調(diào)光 LED 隧道照明光耦 MOSFET 201312

高功率LED照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新方法

摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動(dòng)電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實(shí)現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電源的實(shí)現(xiàn)方法，具有高性價(jià)比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)鍵字： LED 照明驅(qū)動(dòng) DC/DC SIMPLE MOSFET 201312

東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會(huì)

2013年11月22日，日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，在第十五屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱高交會(huì))電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區(qū)”這一主題，重點(diǎn)展示了面向移動(dòng)終端、家用電器、汽車(chē)電子、工業(yè)電子以及存儲(chǔ)等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
關(guān)鍵字：東芝存儲(chǔ)卡 MOSFET

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOS管驅(qū)動(dòng)電路 MOSFET 導(dǎo)通特性 AN799

把握LED設(shè)計(jì)關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)情調(diào)照明

一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計(jì)方法與思路，目前有兩種最新的設(shè)計(jì)理念。1.情景照明:是2008年由飛...
關(guān)鍵字： LED MOSFET

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
關(guān)鍵字： MOSFET 電源設(shè)計(jì)

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時(shí)集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過(guò)20個(gè)元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
關(guān)鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2

飛兆集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動(dòng)器

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： TI MOSFET 導(dǎo)通電阻

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]