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德州儀器面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)推出40V至100V NexFET? MOSFET

　　德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET，其支持?40V?至?100V?輸入電壓，進(jìn)一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產(chǎn)品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
關(guān)鍵字： TI TO-220 MOSFET NexFET

76V、?1A 降壓型轉(zhuǎn)換器靜態(tài)電流僅為12μA

　　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉(zhuǎn)換器?LTC3637，該器件可提供高達(dá)?1A?的連續(xù)輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內(nèi)工作，非常適用于電信、工業(yè)、航空電子和汽車應(yīng)用。LTC3637?運(yùn)用可編程峰值電流模式設(shè)計(jì)，在很寬的輸出電流范圍內(nèi)優(yōu)化效率。該器件提供高達(dá)&nbs
關(guān)鍵字： Linear LTC3637 MOSFET

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?！　〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
關(guān)鍵字： Vishay IGBT MOSFET VOW3120

英飛凌推出針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行了優(yōu)化的快速二極管

　　英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD，進(jìn)一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復(fù)損耗，有助于實(shí)現(xiàn)最可靠的系統(tǒng)，特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中，如通訊系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電機(jī)控制(適用于48–110V系統(tǒng))和直流/交流逆變器等。　　提高可靠性，同時(shí)節(jié)省成本　　OptiMOS?FD家族具備針對(duì)最高性能標(biāo)準(zhǔn)而優(yōu)化的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。相比標(biāo)
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS MOSFET

凌力爾特推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動(dòng)器 LT8309

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動(dòng)器 LT8309，該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管，無需使用散熱器就可允許高達(dá) 10A 的輸出電流。
關(guān)鍵字：凌力爾特 LT8309 MOSFET

下一代晶體管技術(shù)何去何從

電子技術(shù)發(fā)展至今，主要在拼什么？功耗、成本、快速性成為很多公司對(duì)外宣傳的殺手锏，那么在這個(gè)速食的時(shí)代，下一代晶體管技術(shù)又將何去何從呢？
關(guān)鍵字： MOSFET 晶體管

凌力爾特推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器

2014 年 2 月 19 日，凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器 LTC3784，該器件采用高效率 N 溝道 MOSFET 取代了整流升壓二極管。
關(guān)鍵字：凌力爾特 LTC3784 DC/DC MOSFET

模擬電子—從放大器說起（四）：反饋

在了解了三極管/MOSFET的原理之后，就可以涉及具體的電路來放大信號(hào)了。但是剛一拿起鉛筆和稿紙就發(fā)現(xiàn)一個(gè)非?，F(xiàn)實(shí)的問題那就是三極管或者是MOSFET的放大倍數(shù)都不是那么穩(wěn)定的，例如說三極管的電流增益Beta就是受到工藝影響非常大的一個(gè)指標(biāo)，如果我們要對(duì)信號(hào)進(jìn)行非常精準(zhǔn)的放大僅僅依靠三極管的原生放大倍數(shù)肯定是不行的。
關(guān)鍵字：三極管 MOSFET 放大器電路增益

飛兆全新中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

2014年2月13日，許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET，在尺寸減小的同時(shí)可實(shí)現(xiàn)卓越的開關(guān)速度和功耗性能。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si7157DP

省毫瓦以增里程；提升汽車CAN總線能效以增強(qiáng)燃油經(jīng)濟(jì)性

對(duì)于傳統(tǒng)乘用車而言，油箱是唯一的實(shí)際能源來源，故制造商們尋求在包括電子系統(tǒng)在內(nèi)的所有汽車系統(tǒng)中節(jié)能，以進(jìn)一步改善燃油經(jīng)濟(jì)性及二氧化碳(CO2)排放。隨著汽車中增添的電子系統(tǒng)的數(shù)量不斷增多，以增強(qiáng)汽車性能及安全性，并為購買者提供有吸引力的新功能，汽車中每個(gè)電子控制單元(ECU)的節(jié)能效果較低的話，就會(huì)使總油耗大幅增加。
關(guān)鍵字： CAN SBC MOSFET 轉(zhuǎn)換器 ECU

電子元器件科普小知識(shí)：功率MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。...
關(guān)鍵字：電子元器件 MOSFET

非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法

衷于從縮小晶體管來提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的內(nèi)存，是一件多么美妙的事情!越來...
關(guān)鍵字： MOSFET CMOS器件

基于功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的結(jié)構(gòu)工作原理及應(yīng)用

本文將介紹功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)的結(jié)構(gòu)、工作原理及基本工作電路。什么是MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)“MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)...
關(guān)鍵字： MOSFET 工作原理應(yīng)用

開關(guān)電源設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET 驅(qū)動(dòng)技術(shù)

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]