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超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
關鍵字：矽晶 MOSFET

EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇

　　功率器件一直都是由材料引導技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。　　增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
關鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406

Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎。　　《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
關鍵字： Vishay MOSFET 電子產(chǎn)品世界

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領域的領導地位

　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案?！　∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預計，從201
關鍵字：美高森美 MOSFET SiC

開關電源技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況分析

　　開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備，是當今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。　　根據(jù)中國電源學會收集整理的數(shù)據(jù)，2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業(yè)類開關電源、通信電源、PC電源，下同)產(chǎn)值達到855億元，2009年達931億元，
關鍵字：開關電源 MOSFET

一款基于AN8026的變頻器電源設計方案

1.前言變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大，電動機驅(qū)動是電能消耗大戶，約消耗全國65%發(fā)電量，近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn)，因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。變頻技術(shù)目前得到了廣泛的應用，而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標，作為基礎硬件，變頻器電源的高效可靠運行至關重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結(jié)構(gòu)，主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
關鍵字： AN8026 MOSFET

用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法

隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
關鍵字： P-FET MOSFET

IR擴充StrongIRFET系列

　　　國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側(cè)同步整流等?！　∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
關鍵字： IR StrongIRFET MOSFET

Allegro MicroSystems推出新型雙同步低降壓穩(wěn)壓器

　　Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對多輸出系統(tǒng)的新型雙轉(zhuǎn)換器。Allegro’經(jīng)?AEC-Q100?標準認證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩(wěn)壓器，帶可調(diào)頻率，整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制，可
關鍵字： Allegro 雙轉(zhuǎn)換器 MOSFET

工程師該如何選擇電源？

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字：供電處理器凌力爾特 MOSFET 均流控制器二極管

基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關電源的方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： MOSFET TVS串聯(lián) 三相開關電源 ICE3AR2280JZ

同步正向 MOSFET 驅(qū)動器無需信號變壓器

??　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅(qū)動器?LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預測模式，通過在副邊檢測信號以控制同步整流，無需信號變壓器實現(xiàn)原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數(shù)量和解決方案尺寸。　　LT8311?在?3.7V?至?30V
關鍵字：凌力爾 MOSFET LT8311

Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導通電阻記錄

　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm?x?2mm。　　
關鍵字： Vishay MOSFET SiA936EDJ

德州儀器面向大電流電機控制及電源設計推出40V至100V NexFET? MOSFET

　　德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET，其支持?40V?至?100V?輸入電壓，進一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產(chǎn)品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
關鍵字： TI TO-220 MOSFET NexFET

76V、?1A 降壓型轉(zhuǎn)換器靜態(tài)電流僅為12μA

　　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉(zhuǎn)換器?LTC3637，該器件可提供高達?1A?的連續(xù)輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內(nèi)工作，非常適用于電信、工業(yè)、航空電子和汽車應用。LTC3637?運用可編程峰值電流模式設計，在很寬的輸出電流范圍內(nèi)優(yōu)化效率。該器件提供高達&nbs
關鍵字： Linear LTC3637 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]