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MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)投影儀RGB LED的應(yīng)用

本應(yīng)用筆記提供了一個(gè)低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)。基于單芯片MAX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動(dòng)器，能夠?yàn)?..
關(guān)鍵字： MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器 RGB LED

Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET?的電壓范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
關(guān)鍵字： Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會(huì)把電
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

繼2012年表現(xiàn)黯淡之后中國功率MOSFET市場(chǎng)將恢復(fù)生機(jī)

　　在綠色能源和節(jié)能計(jì)劃的帶動(dòng)下，加之出口回升，預(yù)計(jì)今年中國市場(chǎng)的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢(shì)好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。　　據(jù)IHS公司的中國研究專題報(bào)告，今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計(jì)為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場(chǎng)比2011年的23.7億美元下降8%。　　明年增長將更加強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)營業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 MOSFET

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹,我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

基于MOSFET設(shè)計(jì)優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路

摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高設(shè)計(jì)的可靠性。
關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
關(guān)鍵字： MOSFET 急聚點(diǎn) 損耗

關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇

L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電阻

分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進(jìn)步

要點(diǎn)1.導(dǎo)通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實(shí)現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠(yuǎn)未到...
關(guān)鍵字：晶圓減薄 MOSFET

Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費(fèi)在線仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強(qiáng)大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對(duì)功率耗散的時(shí)間縮放功能，定義更多的真實(shí)條件以提高仿真精度和設(shè)計(jì)靈活性，減輕對(duì)用戶使用經(jīng)驗(yàn)的要求。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET DrMOS

HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

摘要：先進(jìn)的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時(shí)增強(qiáng)了功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)性能。本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
關(guān)鍵字： MOSFET 鎮(zhèn)流器 FRFET 201302

IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能，為繼電器更換和電池開關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性。
關(guān)鍵字： IR 驅(qū)動(dòng)IC AUIR3200S MOSFET

用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源

TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會(huì)以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
關(guān)鍵字： TrenchFET MOSFET DC/DC

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管
關(guān)鍵字： mosfet 場(chǎng)效應(yīng)管

通過可定制單芯片系統(tǒng)提高光伏逆變器的效率(上)

PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個(gè)主要的組成部分：用于實(shí)施系統(tǒng)管理任務(wù)和控制算法的控制器，以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路。控制器的特性取決于PV系統(tǒng)的類型和結(jié)構(gòu)以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細(xì)地分析每個(gè)組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
關(guān)鍵字： PV系統(tǒng) 逆變器 MOSFET 光伏逆變器

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]