mosfet 文章最新資訊

意法半導體發(fā)布先進功率MOSFET系列產(chǎn)品

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術型企業(yè)滿足日益嚴格的生態(tài)設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
關鍵字：意法晶體管 MOSFET LED

如何為具體應用選擇恰當?shù)腗OSFET

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
關鍵字： MOSFET

估算熱插拔MOSFET溫升的簡易方法

本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通
關鍵字： MOSFET 熱插拔方法

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
關鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表分析

飛兆半擴展PowerTrench MOSFET系列

提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問題。此外，這些開關電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時提高效率和降低功耗。
關鍵字：飛兆 MOSFET

空間受限型應用中的PMBus熱插拔電路介紹

摘要本文詳細介紹了熱插拔電路基礎，以及要求使用系統(tǒng)保護與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設計人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時，我們?yōu)槟榻B了一種框架
關鍵字： PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構(gòu)、MOSFET、NexFET、電源管理、半導體、德州儀器、TI

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
關鍵字： IR MOSFET

詳細介紹如何運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

汽車上許多組建的多元應用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動馬達，不僅提供了各式各樣的高負載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設計人員為了增加車上電子
關鍵字： MOSFET 詳細介紹如何運用安全系統(tǒng)

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算介紹

我們先來看看MOS關模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關鍵字： MOSFET 驅(qū)動器功耗計算

提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時電壓檢測同步MOSFET控制方案

標簽：電源諧振轉(zhuǎn)換器高壓電源直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設備功能越來越多，設備功能的高功耗對環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓撲具有較高效率，很多大功率消費電子產(chǎn)品和計算機
關鍵字：同步 MOSFET 控制方案檢測電壓電源轉(zhuǎn)換效率定時

功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
關鍵字： MOSFET 功率器件汽車電子

MOSFET雙峰效應的評估方法簡介

金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
關鍵字： MOSFET 雙峰效方法

瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應三極管(超級結(jié)MOSFET)，具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應用。
關鍵字：瑞薩 MOSFET

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

我們先來看看MOS關模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關鍵字： MOSFET 驅(qū)動器功耗計算方法

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]