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MOSFET高速驅動設計

隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅動高速MOSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅動線路設計的注意事項。
關鍵字： MOSFET 電容

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言　　散熱器在計算時會出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
關鍵字：熱模型 MOSFET PSPICE

飛兆和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
關鍵字：飛兆半導體英飛凌科技 MOSFET

飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。　　飛兆半導體PowerTrench非對稱結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達成的協(xié)議的擴展，旨在為客戶保證供
關鍵字：飛兆 MOSFET

開關電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

1引言開關電源是目前用途非常廣泛的一種電源設備，然而隨著開關頻率以及開關速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來越大，由于市場準入制度的實施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
關鍵字：仿真分析干擾電磁 MOSFET 電壓開關電源

集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046(三)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個PIN腳功能(上接第
關鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅動器 MOSFET 集成

大功率電源中MOSFET功率計算

計算功率耗散　　要確定一個MOSFET場效應管是否適于某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括 ...
關鍵字：大功率電源中 MOSFET 功率

適用于小功率電機驅動系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

摘要
　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅動風扇和水泵中的小型直流無刷電機。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應的高壓柵極驅動電路 (HVIC)。通過使用專門設計的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
關鍵字： MOSFET 逆變模塊系統(tǒng) 驅動功率電機適用于

計算大功率電源中MOSFET的功率耗散

中心議題：計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案：重新設定輸入電壓范圍改變開關頻率
也許便攜式電源設計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
關鍵字：功率耗散 MOSFET 電源大功率計算

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
關鍵字： Diodes MOSFET 控制器

MOSFET控制器有助提升PSU效率

Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
關鍵字： Diodes MOSFET ZXGD3104N8

德州儀器推出4A與5A雙通道輸出MOSFET驅動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅動器，進一步壯大其 MOSFET 驅動器產(chǎn)品陣營。
關鍵字： TI MOSFET UCC27210

二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測量

中心議題：二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測量解決方案：采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流采用兩臺SMU來測量MOSFET的亞閥區(qū)電流
測試半導體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
關鍵字：電流測量 MOSFET 二極管泄漏

Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
關鍵字： Diodes MOSFET

汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

英飛凌汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案主要由5個MOSFET、2個高電壓驅動器、1個PFC控制器和1個HID燈鎮(zhèn)流...
關鍵字： HID燈鎮(zhèn)流器 MOSFET 高電壓驅動器

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]