SiC元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實用化

高品質的150mm口徑SiC基板已經實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產“溝道型”SiCMOSFET’。

在‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關技術(圖1)。其中包括了兩大‘驚喜’。一是電裝宣布SiC功率元件將在2015年實用化。在此之前，SiC功率元件的成果雖然頻繁出現(xiàn)在學會和展會等場合，但大家對於實用化的時間表都諱莫如深。

二是名為‘溝道型’的新一代SiC MOSFET的實用化。作為功率半導體材料，SiC與一般的Si相比，能夠制造出損耗更低的功率元件。相關研發(fā)十分活躍，市面上已經出現(xiàn)了SiC材料的二極體和電晶體等產品。

但過去投產的SiCMOSFET，是在元件表面設置柵極的‘平面型’，在柵極部分挖溝的溝道型尚未投產。溝道型的導通電阻能夠縮小到平面型的幾分之一。因此能夠進一步降低損耗。

降低導通電阻還有助於壓縮SiC MOSFET的成本。因為達到相同的載流量，溝道型的晶片面積要小於平面型。也就是說，1枚SiC基板可以制造出更多的晶片，從而壓縮成本。

圖1：電裝即將把溝道型SiC MOSFET投入實用

電裝在‘CEATEC JAPAN 2013’上展出了該公司開發(fā)的溝道型SiCMOSFET。預定於2015年左右投入實用。除此之外，還展示了150mm(6寸)口徑的SiC基板。

因為具備這些特點，溝道型如今成為了‘發(fā)揮SiC優(yōu)勢的電晶體最佳選擇’。溝道型的研發(fā)速度加快

致力於研發(fā)溝道型SiCMOSFET的不只是電裝，許多半導體企業(yè)都已經開始在大力研發(fā)。這一點在SiC相關國際學會‘ICSCRM2013’上可見一斑。在該學會上，有關溝道型SiC MOSFET最新成果的發(fā)表接連不斷(圖2)。其中，羅姆明確提到了投產時間。該公司表示將在2014年上半年，投產在柵極、源極上都設置溝槽的‘雙溝道型’SiC MOSFET。

圖2：各公司全力開發(fā)溝道型SiC MOSFET

在SiC相關國際學會‘ICSCRM 2013’上，溝道型SiC MOSFET研發(fā)成果的發(fā)表絡繹不絕。降低電容、提高生產效率都得到了實現(xiàn)。

會上還發(fā)表了提高溝道型SiC MOSFET性能，以及提高生產效率壓縮成本的研究成果。比方說，三菱電機成功降低了溝道型MOSFET的柵極-漏極之間的電容。電容越小，開關損失越低。MOSFET晶片一般會設置多個叫做‘單元’的微小MOSFET構造，該公司通過使其中的部分單元接地，降低了導致電容增加的偏壓。

住友電氣工業(yè)把目標對準了提高溝道型MOSFET的生產效率。溝道型MOSFET在制造上面臨的課題是無法按照設想制造溝槽。為此，該公司準備把溝槽的形狀改換為一般的溝道型，借此提高生產效率。

從元件的截面來看，一般溝道型的溝槽呈‘凹字’形，但這一次，該公司將其改為了V字形。這種V字溝槽‘容易通過熱化學蝕刻成型，與一般的溝道型相比，更容易提高成品率’。近10家公司提供6寸產品

在ICSCRM 2013上，除了溝道型MOSFET的研究成果之外，關於150mm(6寸)口徑基板的提案也接連不斷(圖3)。量產SiC功率元件使用的SiC基板目前以100mm(4寸)口徑為主。隨著6寸產品的普及，生產效率有望提高，從而降低SiC功率元件的成本。